Kategori: Basın yayınları

Yüksek Frekanslı Güç Devreleri için en düşük iletim kayıpları ve üstün kısa devre özelliği sunan SiC anahtarları

Dulles, Virginia., Ekim 28, 2014 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün, düşük dirençli 1700V ve 1200 TO-247 paketlerinde V SiC Bağlantı Transistörleri. Yüksek voltaj kullanımı, yüksek frekans, yüksek sıcaklık ve düşük direnç özelliğine sahip SiC Bağlantı Transistörleri, dönüştürme verimliliğini artıracak ve daha yüksek veri yolu voltajları gerektiren güç elektroniği uygulamalarının boyut/ağırlık/hacmini azaltacaktır.. Bu cihazlar, DC mikro şebekeler de dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanım için hedeflenmiştir., Araç Hızlı şarj cihazları, sunucu, telekom ve ağ güç kaynakları, kesintisiz güç kaynakları, güneş invertörleri, Rüzgar enerjisi sistemleri, ve endüstriyel motor kontrol sistemleri.

SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) GeneSiC tarafından sunulan ultra hızlı anahtarlama yeteneği (SiC MOSFET'lerinkine benzer), kare ters taraflı güvenli çalışma alanı (RBSOA), ayrıca sıcaklıktan bağımsız geçici enerji kayıpları ve anahtarlama süreleri. Bu anahtarlar geçit oksit içermez, normalde kapalı, direncin pozitif sıcaklık katsayısını sergilemek, ve ticari olarak kapı sürücüleri tarafından sürülebilen, diğer SiC anahtarlarının aksine. SJT'nin diğer SiC anahtarlarına kıyasla benzersiz avantajları, daha yüksek uzun vadeli güvenilirliğidir, >10 usec kısa devre özelliği, ve üstün çığ yeteneği

“Bu geliştirilmiş SJT'ler çok daha yüksek akım kazançları sunar (>100), diğer SiC anahtarlarına kıyasla oldukça kararlı ve sağlam performans. GeneSiC'nin SJT'leri, güç devrelerinde üstün kapatma kayıpları olarak nominal akımlarda son derece düşük iletim kayıpları sunar. Eşsiz cihaz ve üretim yeniliklerini kullanma, GeneSiC'nin Transistör ürünleri, tasarımcıların daha sağlam bir çözüm elde etmelerine yardımcı olur,” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.

1700 V SiC Bağlantı Transistörü piyasaya çıktı

• 25 mOhm (GA50JT17-247), 65 mOhm (GA16JT17-247), 220 mOhm (GA04JT17-247)
• Şu anki kazanç (H_FE) >90
• T_jmax = 175^ÖC
• Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <30 nanosaniye tipik.

1200 V SiC Bağlantı Transistörü piyasaya çıktı

• 25 mOhm (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhm (GA05JT12-247)
• Şu anki kazanç (H_FE) >90
• T_jmax = 175^ÖC
• Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <30 nanosaniye tipik.

Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir ve Halojensiz olarak muhafaza edilmiştir, RoHS uyumlu TO-247 paketleri. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütörlerinden hemen temin edilebilir..

Daha fazla bilgi için, lütfen https'yi ziyaret edin://192.168.88.14/ticari-sic/sic-bağlantı-transistörleri/

GeneSiC'nin SiC Transistör ve Doğrultucuları, hedeflerin gerçekleştirilmesine yönelik önemli avantajlar sunar. Küçük Kutu Mücadelesi

Ustalık derecesi. Silisyum Karbür Güç Transistörleri & Doğrultucular. Mevcut. Şimdi!

GeneSiC, şu anda dünya çapında en iyi distribütörlerden temin edilebilen geniş bir ürün portföyüne sahiptir.

Çıplak Kalıp Çipi Doğrudan fabrikadan temin edilebilen SiC cihazlarının formu (Lütfen aşağıdaki formu doldurun)

ayrık SJT'ler ve Doğrultucular Ticari sıcaklık derecelendirmelerinde (175°C)

ayrık Merhaba SJTkum HiT Redresörler Yüksek Sıcaklıkta (250°C'ye kadar)

GeneSiC, daha fazla tasarım esnekliği ve yenilik sağlamak için paketlenmiş ürünlerin yanı sıra çıplak kalıp biçiminde en geniş SiC ürünleri yelpazesini sunar.. GeneSiC, yeni ürünler sunarak sürekli olarak önde olmak için çabalıyor., Yenilikçi ürünler. Tam olarak aradığınız ürünü bugün göremiyorsanız, yakın gelecekte görebilirsin.

Uyumlu endüstri standardı paketler aracılığıyla gerçekleştirilen SiC Transistörlerde yüksek sıcaklık vaadi, kuyu içi ve havacılık aktüatörlerini ve güç kaynaklarını önemli ölçüde artıracaktır.

Dulles, Virginia., Aralık 10, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün distribütörleri ve doğrudan yüksek sıcaklıkta paketlenmiş bir aile aracılığıyla anında kullanılabilirliğini duyuruyor 600 V SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) içinde 3-50 JEDEC endüstri standardı açık delik ve yüzeye montaj paketlerinde amper akım değerleri. Bu yüksek sıcaklıkları içeren, düşük direnç, hermetik paketlerde yüksek frekanslı SiC Transistörler, yüksek sıcaklık lehimleri ve kapsülleme, dönüştürme verimliliğini artıracak ve yüksek sıcaklıkta güç dönüştürme uygulamalarının boyut/ağırlık/hacmini azaltacaktır..

Çağdaş yüksek sıcaklık güç kaynağı, petrol/gaz/kuyu içi ve havacılık uygulamalarında kullanılan motor kontrol ve aktüatör devreleri, uygulanabilir bir yüksek sıcaklıklı Silisyum Karbür çözümünün bulunmamasından muzdariptir.. Silikon transistörler, yüksek kaçak akımlardan ve düşük zayıf anahtarlama özelliklerinden muzdarip oldukları için düşük devre verimliliklerinden ve büyük boyutlardan muzdariptir.. Bu parametrelerin her ikisi de daha yüksek bağlantı sıcaklıklarında daha da kötüleşir. Termal olarak kısıtlı ortamlar ile, Mütevazı akımlar geçildiğinde bile bağlantı sıcaklıkları oldukça kolay yükselir. Hermetik olarak paketlenmiş SiC transistörler, kuyu içi ve havacılık uygulamalarının kapasitesinde devrim yaratmayı vaat eden benzersiz özellikler sunar.. GeneSiC'ler 650 V/3-50 A SiC Bağlantı Transistörleri, sıcaklıkla değişmeyen sıfıra yakın anahtarlama sürelerine sahiptir. bu 210^ÖC bağlantı sıcaklık dereceli cihazlar, aşırı ortamlarda çalışan uygulamalar için nispeten büyük sıcaklık marjları sunar.

GeneSiC tarafından sunulan Kavşak Transistörleri, ultra hızlı anahtarlama yeteneği sergiler, kare ters taraflı güvenli çalışma alanı (RBSOA), ayrıca sıcaklıktan bağımsız geçici enerji kayıpları ve anahtarlama süreleri. Bu anahtarlar geçit oksit içermez, normalde kapalı, direncin pozitif sıcaklık katsayısını sergilemek, ve ticari tarafından yönlendirilebilir, yaygın olarak mevcut 15 V IGBT kapısı sürücüleri, diğer SiC anahtarlarının aksine. SiC JFET sürücüleri ile uyumluluk sunarken, SiC Bağlantı Transistörleri, eşleşen geçici özellikleri nedeniyle kolayca paralel hale getirilebilir.

“Kuyu içi ve havacılık uygulama tasarımcıları, çalışma frekansının sınırlarını zorlamaya devam ederken, hala yüksek devre verimliliği talep ederken, bir performans standardı sunabilen SiC anahtarlarına ihtiyaçları var, güvenilirlik ve üretim tekdüzeliği. Eşsiz cihaz ve üretim yeniliklerini kullanma, GeneSiC'nin SJT ürünleri, tasarımcıların tüm bunları daha sağlam bir çözümde gerçekleştirmesine yardımcı olur. Bu ürünler, GeneSiC tarafından geçen yıl piyasaya sürülen hermetik paketlenmiş SiC doğrultucuyu tamamlıyor., ve bu yılın başlarında piyasaya sürülen çıplak kalıp ürünleri, yüksek sıcaklık sunmamızın yolunu açarken, düşük endüktans, yakın gelecekte güç modülleri ” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.

İzole TO-257 ile 600 SJT'lerde:

• 65 mOhm/20 Amper (2N7639-GA); 170 mOhm/8 Amper (2N7637-GA); ve 425 mOhm/4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^ÖC
• Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <50 nanosaniye tipik.
• İlgili Çıplak Kalıp GA20JT06-CAL (2N7639-GA'da); GA10JT06-CAL (2N7637-GA'da); ve GA05JT06-CAL (2N7635-GA'da)

İzolesiz TO-258 Prototip paketi ile 600 SJT'ler

• 25 mOhm/50 Amper (GA50JT06-258 prototip paketi)
• T_jmax = 210^ÖC
• Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <50 nanosaniye tipik.
• İlgili Çıplak Kalıp GA50JT06-CAL (GA50JT06-258'de)

Yüzey Montajı TO-276 (SMD0.5) ile 600 SJT'ler

• 65 mOhm/20 Amper (2N7640-GA); 170 mOhm/8 Amper (2N7638-GA); ve 425 mOhm/4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^ÖC
• Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <50 nanosaniye tipik.

Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiş ve hermetik paketlerde muhafaza edilmiştir. Teknik Destek ve SPICE devre modelleri sunulmaktadır. Cihazlar, GeneSiC'den Doğrudan ve/veya Yetkili Distribütörleri aracılığıyla hemen temin edilebilir..

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Ordu, DARPA, DTRA, ve İç Güvenlik Bakanlığı, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Daha fazla bilgi için, lütfen ziyaret edin https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Yüksek voltaj, En küçük form faktörlü yüzeye montaj yetenekleri sunarak Solar İnvertörleri ve Yüksek Gerilim tertibatlarını kritik bir şekilde etkinleştirmek için Ters Kurtarmasız SiC Schottky Diyotları

Dulles, Virginia., kasım 19, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün bir Endüstri standardı SMB ailesinin hemen kullanılabilirliğini duyuruyor (JEDEC DO-214AA) paketlenmiş SiC Doğrultucular 650 - 3300 V aralığı. Bu yüksek voltajın dahil edilmesi, geri kurtarma gerektirmeyen, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık özellikli SiC Diyotları, dönüştürme verimliliğini artıracak ve çoklu kV düzeneklerinin boyut/ağırlık/hacmini azaltacaktır.. Bu ürünler, çok çeşitli X-Ray'de kullanılan voltaj çoğaltıcı devrelerin yanı sıra Mikro-güneş invertörlerine yöneliktir., Lazer ve parçacık üreteci güç kaynakları.

Çağdaş Mikro-güneş invertörleri ve voltaj çoğaltıcı devreleri, Silikon doğrultuculardan gelen ters kurtarma akımları nedeniyle düşük devre verimliliklerinden ve büyük boyutlardan zarar görebilir.. Daha yüksek doğrultucu bağlantı sıcaklıklarında, bu durum daha da kötüleşir çünkü Silikon redresörlerde ters toparlanma akımı sıcaklıkla artar. Termal kısıtlamalar ile yüksek gerilim grupları, Mütevazı akımlar geçildiğinde bile bağlantı sıcaklıkları oldukça kolay yükselir. Yüksek Gerilim SiC doğrultucular, mikro-güneş invertörlerinde ve yüksek gerilim düzeneklerinde devrim yaratmayı vaat eden benzersiz özellikler sunar.. GeneSiC'ler 650 V/1 A; 1200 V/2A ve 3300 V/0.3 A Schottky redresörleri, sıcaklıkla değişmeyen sıfır ters kurtarma akımına sahiptir. bu 3300 V dereceli cihazlar, tek bir cihazda nispeten yüksek voltaj sunar, tipik yüksek voltaj jeneratörü devrelerinde gereken voltaj çarpma aşamalarında bir azalmaya izin verir, daha yüksek AC giriş voltajlarının kullanılmasıyla. İdeale yakın anahtarlama özellikleri, voltaj dengeleme ağlarının ve durdurma devrelerinin ortadan kaldırılmasına/önemli ölçüde azaltılmasına izin verir.. KOBİ (DO-214AA) aşırı kalıplanmış paket, yüzeye montaj düzenekleri için endüstri standardı form faktörüne sahiptir.

"Bu ürün teklifleri, GeneSiC'de zorlayıcı cihazlar ve paketler sunmaya yönelik yıllarca süren sürekli geliştirme çabalarından geliyor.. KOBİ form faktörünün Mikro Solar İnverter ve Voltaj Çarpanı pazarı için önemli bir farklılaştırıcı olduğuna inanıyoruz., ve müşterilerimize önemli faydalar sağlayacak. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Schottky Redresörler ve geliştirilmiş SMB paketleri bu çığır açan ürünü mümkün kılar” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.

1200 V/2 A SMB SiC Schottky Diyot (GB02SLT12-214) Teknik Özellikler

• Tipik VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^ÖC
• Ters Kurtarma Ücreti = 14 nC.

3300 V/0.3 A SMB SiC Schottky Diyot (GAP3SLT33-214) Teknik Özellikler

• Tipik VF = 1.7 V
• T_jmax = 175^ÖC
• Ters Kurtarma Ücreti = 52 nC.

650 V/1 A SMB SiC Schottky Diyot (GB01SLT06-214) Teknik Özellikler

• Tipik VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^ÖC
• Ters Kurtarma Ücreti = 7 nC.

Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir ve Halojensiz olarak muhafaza edilmiştir, RoHS uyumlu KOBİ (DO-214AA) paketler. Teknik Destek ve SPICE devre modelleri sunulmaktadır. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütörlerinden hemen temin edilebilir..

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Ordu, DARPA, DTRA, ve İç Güvenlik Bakanlığı, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Daha fazla bilgi için, lütfen https'yi ziyaret edin://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

İzole paketlerde sıcaklıktan bağımsız sıfır ters geri kazanım akımları sunan bu düşük kapasitanslı doğrultuculardan yararlanmak için Yüksek Gerilim tertibatları

Thief River Şelaleleri/Dulles, Virginia., Mayıs 28, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri, hemen kullanılabilirliğini duyurur 3300 V/0.3 Amper SiC Schottky Redresörler – GAP3SLT33-220FP. Bu benzersiz ürün, piyasadaki en yüksek voltajlı SiC doğrultucuyu temsil eder., ve özellikle çok çeşitli X-Ray'de kullanılan voltaj çarpan devrelerine ve yüksek voltajlı montajlara yöneliktir., Lazer ve parçacık üreteci güç kaynakları.

Çağdaş voltaj çoğaltıcı devreleri, düşük devre verimliliklerinden ve büyük boyutlardan muzdariptir, çünkü Silikon doğrultuculardan gelen ters kurtarma akımları paralel bağlı kapasitörleri boşaltır.. Daha yüksek doğrultucu bağlantı sıcaklıklarında, bu durum daha da kötüleşir çünkü Silikon redresörlerde ters toparlanma akımı sıcaklıkla artar. Termal kısıtlamalar ile yüksek gerilim grupları, Mütevazı akımlar geçildiğinde bile bağlantı sıcaklıkları oldukça kolay yükselir. Yüksek Gerilim SiC doğrultucular, yüksek gerilim tertibatlarında devrim yaratmayı vaat eden benzersiz özellikler sunar.. GeneSiC'ler 3300 V/0.3 A Schottky redresörleri, sıcaklıkla değişmeyen sıfır ters kurtarma akımına sahiptir. Tek bir cihazdaki bu nispeten yüksek voltaj, tipik yüksek voltaj üreteci devrelerinde gereken voltaj çarpma aşamalarında bir azalmaya izin verir., daha yüksek AC giriş voltajlarının kullanılmasıyla. İdeale yakın anahtarlama özellikleri, voltaj dengeleme ağlarının ve durdurma devrelerinin ortadan kaldırılmasına/önemli ölçüde azaltılmasına izin verir.. TO-220 Tam Paket aşırı kalıplanmış yalıtılmış paket, açık delik düzeneklerinde artırılmış pim aralığı ile endüstri standardı form faktörüne sahiptir.

"Bu ürün teklifi, GeneSiC'de yıllarca sürdürülen çabalardan geliyor.. biz inanıyoruz 3300 V derecesi, yüksek voltajlı jeneratör pazarı için önemli bir farklılaştırıcıdır, ve müşterilerimize önemli faydalar sağlayacak. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Schottky Redresörler bu çığır açan ürünü mümkün kılar” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.

3300 V/0.3 A SiC Redresör Teknik Özellikleri

• Devlet Üzerinden Düşürme 1.7 KDV 0.3 Bir
• VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
• T_jmax = 175^ÖC
• kapasitif şarj 52 nC (tipik).

Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir ve Halojensiz olarak muhafaza edilmiştir, RoHS uyumlu endüstri standardı TO-220FP (Dolu paket) paketler. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütöründen hemen temin edilebilir., Digikey.

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Ordu, DARPA, DTRA, ve İç Güvenlik Bakanlığı, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Daha fazla bilgi için, lütfen www.genesicsemi.com adresini ziyaret edin

Benzersiz voltaj değerleri ve ultra yüksek hızlı anahtarlama sunan SiC çiplerinden faydalanmak için Yüksek Voltaj devreleri ve tertibatları

Dulles, Virginia., kasım 7, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri, hemen kullanılabilirliğini duyurur 8000 V SiC PiN Doğrultucular; 8000 V SiC Schottky Doğrultucular, 3300 V SiC Schottky Doğrultucular ve 6500 Çıplak kalıp formatında V SiC Tristörler. Bu benzersiz ürünler, piyasadaki en yüksek voltajlı SiC cihazlarını temsil eder., ve özellikle petrol ve gaz enstrümantasyonuna yöneliktir, gerilim çarpan devreleri ve yüksek gerilim grupları.

Çağdaş ultra yüksek voltaj devreleri, düşük devre verimliliklerinden ve büyük boyutlardan muzdariptir, çünkü Silikon doğrultuculardan gelen ters kurtarma akımları paralel bağlı kapasitörleri boşaltır.. Daha yüksek doğrultucu bağlantı sıcaklıklarında, Silikon redresörlerde ters toparlanma akımı sıcaklıkla arttığı için bu durum daha da kötüleşir.. Termal kısıtlamalar ile yüksek gerilim grupları, Mütevazı akımlar geçildiğinde bile bağlantı sıcaklıkları oldukça kolay yükselir. Yüksek Gerilim SiC doğrultucular, yüksek gerilim tertibatlarında devrim yaratmayı vaat eden benzersiz özellikler sunar.. GeneSiC'ler 8000 V ve 3300 V Schottky redresörleri, sıcaklıkla değişmeyen sıfır ters kurtarma akımına sahiptir. Tek bir cihazdaki bu nispeten yüksek voltaj, tipik yüksek voltaj üreteci devrelerinde gereken voltaj çarpma aşamalarında bir azalmaya izin verir., daha yüksek AC giriş voltajlarının kullanılmasıyla. İdeale yakın anahtarlama özellikleri, voltaj dengeleme ağlarının ve durdurma devrelerinin ortadan kaldırılmasına/önemli ölçüde azaltılmasına izin verir.. 8000 V PiN Doğrultucular daha yüksek akım seviyeleri ve daha yüksek çalışma sıcaklıkları sunar. 6500 R'yi hızlandırmak için V SiC Tristör yongaları da mevcuttur&D yeni sistemler.

"Bu ürünler, GeneSiC'nin çoklu kV derecelendirmelerinde SiC çiplerinin geliştirilmesindeki güçlü liderliğini sergiliyor.. biz inanıyoruz 8000 V derecesi, Silikon cihazların nominal sıcaklıklarda sunabileceklerinin ötesine geçer, ve müşterilerimize önemli faydalar sağlayacak. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Redresörler ve Tristörler, daha önce mümkün olmayan sistem düzeyinde faydalar sağlayacaktır” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.

8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Redresör Teknik Özellikleri

• T_jmax = 210^ÖC
• Ters Kaçak Akımlar < 50 uA'da 175^ÖC
• Ters Kurtarma Ücreti 558 nC (tipik).

8000 V/50 mA SiC Çıplak Kalıp Schottky Doğrultucu Teknik Özellikler

• Toplam Kapasite 25 pF (tipik, de -1 V, 25^ÖC).
• VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
• T_jmax = 175^ÖC

6500 V SiC Tristör Çıplak Kalıp Teknik Özellikler

• Üç teklif – 80 Amper (GA080TH65-CAU); 60 Amper (GA060TH65-CAU); ve 40 Amper (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^ÖC

3300 V/0.3 A SiC Çıplak Kalıp Doğrultucu Teknik Özellikler

• Devlet Üzerinden Düşürme 1.7 KDV 0.3 Bir
• VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
• T_jmax = 175^ÖC
• kapasitif şarj 52 nC (tipik).

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Ordu, DARPA, DTRA, ve İç Güvenlik Bakanlığı, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Daha fazla bilgi için, lütfen ziyaret edin https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie