Yayınlanan

GeneSiC'in hibrit SiC Schottky Doğrultucu/Si IGBT Modülleri, 175°C'de çalışmayı mümkün kılar

DULES, VA, Mart 5, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) power semiconductors bugün ikinci nesil hibrit mini modüllerinin hemen kullanılabilir olduğunu duyurdu. 1200 Sağlam Silikon IGBT'lere sahip V/100 Amper SiC Schottky Doğrultucular – GB100XCP12-227. Bu ürünün piyasaya sürüldüğü performans-fiyat noktası, birçok güç dönüştürme uygulamasının hiçbir Silikon IGBT/Silikon Doğrultucu çözümünün sağlayamadığı maliyet/boyut/ağırlık/hacim düşüşünden faydalanmasına olanak tanır., ne de saf bir SiC Modülü sunabilir. Bu cihazlar, endüstriyel motorlar da dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanım için hedeflenmiştir., güneş invertörleri, özel ekipman ve elektrik şebekesi uygulamaları.

SiC Schottky/Si IGBT mini modülleri (yardımcı paketler) GeneSiC tarafından sunulan, durum düşüşü için pozitif sıcaklık katsayısı sergileyen Si IGBT'lerle yapılır, sağlam delme tasarımı, ticari olarak çalıştırılabilen yüksek sıcaklıkta çalışma ve hızlı anahtarlama özellikleri, yaygın olarak mevcut 15 V IGBT kapısı sürücüleri. Bu Co-pack modüllerinde kullanılan SiC doğrultucular, son derece düşük endüktanslı paketlere izin verir., düşük durum voltaj düşüşü ve geri dönüş yok. SOT-227 paketi, izole edilmiş taban plakası sunar, 12bağımsız bir devre elemanı olarak çok esnek bir şekilde kullanılabilen mm düşük profilli tasarım, yüksek akım paralel yapılandırma, a Faz Ayağı (iki modül), veya kıyıcı devre elemanı olarak.

“Bu ürünün ilk kez sunulmasından bu yana kilit müşterilerimizi dinledik. 2 yıllar önce. Bu ikinci nesil 1200 V/100 A Co-pack ürünü, yüksek frekans için uygun olan düşük endüktanslı bir tasarıma sahiptir., yüksek sıcaklık uygulamaları. Silikon diyotların zayıf yüksek sıcaklık ve ters geri kazanım özellikleri, IGBT'lerin daha yüksek sıcaklıklarda kullanımını kritik olarak sınırlar.. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Schottky Diyotlar bu çığır açan ürünü etkinleştirir” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.

1200 V/100 A Si IGBT/SiC Doğrultucu Teknik Özellikleri

  • Devlet Üzerinden Düşürme 1.9 KDV 100 Bir
  • VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
  • Tjmax = 175 °C
  • Açma Enerji Kayıpları 23 mikroJoule (tipik).

Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir ve Halojensiz olarak muhafaza edilmiştir, RoHS uyumlu endüstri standardı SOT-227 paketleri. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütörlerinden hemen temin edilebilir..

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Ordu, DARPA, DTRA, ve İç Güvenlik Bakanlığı, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Yayınlanan

GeneSiC, Silisyum Karbür Bağlantı Transistörlerini Tanıtıyor

DULES, VA, Şubat 25, 2013 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün bir 1700V ailesinin hemen kullanılabilirliğini duyuruyor ve 1200 V SiC Bağlantı Transistörleri. Yüksek voltaj dahil, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık özellikli SiC Bağlantı Transistörleri, dönüştürme verimliliğini artıracak ve güç elektroniğinin boyut/ağırlık/hacmini azaltacaktır.. Bu cihazlar, sunucu dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanım için hedeflenmiştir., telekom ve ağ güç kaynakları, kesintisiz güç kaynakları, güneş invertörleri, endüstriyel motor kontrol sistemleri, ve kuyu içi uygulamalar.

GeneSiC tarafından sunulan Kavşak Transistörleri, ultra hızlı anahtarlama yeteneği sergiler, kare ters taraflı güvenli çalışma alanı (RBSOA), ayrıca sıcaklıktan bağımsız geçici enerji kayıpları ve anahtarlama süreleri. Bu anahtarlar geçit oksit içermez, normalde kapalı, direncin pozitif sıcaklık katsayısını sergilemek, ve ticari tarafından yönlendirilebilir, yaygın olarak mevcut 15 V IGBT kapısı sürücüleri, diğer SiC anahtarlarının aksine. SiC JFET sürücüleri ile uyumluluk sunarken, Bağlantı Transistörleri, eşleşen geçici özellikleri nedeniyle kolayca paralel hale getirilebilir.

“Güç sistemi tasarımcıları çalışma frekansının sınırlarını zorlamaya devam ettikçe, hala yüksek devre verimliliği talep ederken, bir performans standardı ve üretim tekdüzeliği sunabilen SiC anahtarlarına duyulan ihtiyaç. Eşsiz cihaz ve üretim yeniliklerini kullanma, GeneSiC'nin Transistör ürünleri, tasarımcıların tüm bunları daha sağlam bir çözümde gerçekleştirmesine yardımcı olur,” dedi Dr. Ranbir Singh , GeneSiC Semiconductor Başkanı.

1700 V Kavşak Transistörünün Teknik Özellikleri

  • Üç teklif – 110 mOhm (GA16JT17-247); 250 mOhm (GA08JT17-247); ve 500 mOhm (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175 °C
  • Yükseliş/Düşüş Zamanlarını Aç/Kapat <50 nanosaniye tipik.

1200 V Kavşak Transistörünün Teknik Özellikleri

  • İki teklif – 220 mOhm (GA06JT12-247); ve 460 mOhm (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175 °C
  • Yükseliş/Düşüş Zamanlarını Aç/Kapat <50 nanosaniye tipik

Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir ve Halojensiz olarak muhafaza edilmiştir, RoHS uyumlu TO-247 paketleri. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütörlerinden hemen temin edilebilir..

Yayınlanan

Yeni Fizik, Tristörün Daha Yüksek Seviyeye Ulaşmasını Sağlıyor

DULES, VA, Ağustos 30, 2011 – Yeni Fizik, Tristörlerin Daha Yüksek Seviyeye Ulaşmasını Sağlıyor

Bir elektrik güç şebekesi, sorunsuz olmasını sağlayan elektronik cihazların yardımıyla güvenilir güç sağlar., güvenilir güç akışı. Şimdiye kadar, silikon bazlı düzeneklere güvenildi, ancak akıllı şebekenin gereksinimlerini karşılayamadılar. Silisyum karbür gibi geniş bant aralığına sahip malzemeler (SiC) daha yüksek anahtarlama hızlarına sahip oldukları için daha iyi bir alternatif sunar, daha yüksek arıza gerilimi, daha düşük anahtarlama kayıpları, ve geleneksel silikon bazlı anahtarlardan daha yüksek bağlantı sıcaklığı. Pazara ulaşan bu tür ilk SiC tabanlı cihaz, Ultra yüksek voltajlı Silisyum Karbür Tristördür. (Ranbir Singh), GeneSiC Semiconductor Inc. tarafından geliştirilmiştir., Dulles, Va., Sandia Ulusal Laboratuvarlarının desteğiyle, Albuquerque, N.M., Birleşik Devletler. Enerji/Elektrik Dağıtım Dairesi Başkanlığı, ve ABD. Ordu/Silah Araştırması, Geliştirme ve Mühendislik Merkezi, Picatinny Arsenal, NJ.

Geliştiriciler bu cihaz için farklı bir çalışma fiziği benimsedi, azınlık taşıyıcı taşımacılığı ve entegre bir üçüncü terminal doğrultucu üzerinde çalışan, diğer ticari SiC cihazlarından bir tanesi daha. Geliştiriciler, yukarıdaki derecelendirmeleri destekleyen yeni bir üretim tekniği benimsedi 6,500 V, yüksek akımlı cihazlar için yeni bir kapı anot tasarımının yanı sıra. kadar sıcaklıklarda performans gösterebilme 300 C ve akım 80 Bir, SiC Tristör 10 kat daha yüksek voltaj, dört kat daha yüksek blokaj gerilimi, ve 100 silikon bazlı tristörlerden kat daha hızlı anahtarlama frekansı.

Yayınlanan

GeneSiC prestijli R'yi kazandı&Şebekeye Bağlı Güneş ve Rüzgar Enerjisi Uygulamalarında SiC Cihazları için D100 Ödülü

DULES, VA, Temmuz 14, 2011 — r&D Magazine, GeneSiC Semiconductor Inc'i seçti. Dulles, prestijli bir alıcı olarak VA 2011 r&NS 100 Yüksek voltaj değerlerine sahip Silisyum Karbür cihazlarının ticarileştirilmesi ödülü.

GeneSiC Semiconductor Inc, Silisyum Karbür tabanlı güç cihazlarında önemli bir yenilikçi, geçen hafta prestijli ödüle layık görüldüğünü duyurarak onurlandırıldı. 2011 r&NS 100 ödül. Bu ödül, GeneSiC'yi en önemlilerinden birini tanıttığı için tanır., sırasında birden fazla disiplin arasında yeni tanıtılan araştırma ve geliştirme ilerlemeleri 2010. r&D Magazine, GeneSiC'in Ultra Yüksek Voltajlı SiC Tristörünü, güç elektroniği gösterileri için daha önce hiç kullanılmamış olan engelleme voltajlarını ve frekanslarını elde etme yeteneği nedeniyle tanıdı.. voltaj değerleri >6.5kV, durum geçerli derecelendirme 80 A ve çalışma frekansları >5 kHz, daha önce piyasaya sunulanlardan çok daha yüksektir. GeneSiC'nin Tristörleri tarafından elde edilen bu yetenekler, kritik olarak güç elektroniği araştırmacılarının şebekeye bağlı invertörler geliştirmelerini sağlar., Esnek

AC İletim Sistemleri (GERÇEKLER) ve Yüksek Gerilim DC Sistemleri (HVDC). Bu, yenilenebilir enerji içinde yeni buluşlara ve ürün geliştirmelerine izin verecektir., güneş invertörleri, rüzgar enerjisi invertörleri, ve enerji depolama endüstrileri. Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı, “Güç dönüştürme alanındaki araştırmacıların SiC Tristörlerin faydalarını tam olarak fark etmesinin ardından katı hal elektrik trafo merkezlerinde ve rüzgar türbini jeneratörlerinde büyük ölçekli pazarların açılması bekleniyor.. Bu birinci nesil SiC Tristörler, SiC Tristörlerde şimdiye kadar elde edilen en düşük durumsal voltaj düşüşünü ve diferansiyel açık dirençleri kullanır.. Kapı kontrollü Kapatma özelliği ve darbeli güç kapasitesi için optimize edilmiş gelecek nesil SiC Tristörleri piyasaya sürmeyi amaçlıyoruz ve >10kV değerleri. Yüksek sıcaklıkta ultra yüksek voltajlı paketleme çözümleri geliştirmeye devam ederken, mevcut 6.5kV Tristörler, tamamen lehimli kontaklara sahip modüller halinde paketlenmiştir, 150oC bağlantı sıcaklıkları ile sınırlıdır. Bu ürün Ekim ayında piyasaya çıktığından beri 2010, GeneSiC, bu Silisyum Karbür Tristörleri kullanan gelişmiş güç elektroniği donanımının gösterilmesi için birden fazla müşteriden sipariş aldı. GeneSiC, Silisyum Karbür Tristör ürünleri ailesini geliştirmeye devam ediyor. R&Güç dönüştürme uygulamaları için erken sürümde D, ABD Departmanı'ndan SBIR finansman desteği ile geliştirildi. enerjinin. Daha ileri, Darbeli Güç optimize edilmiş SiC Tristörler, ARDEC ile yapılan başka bir SBIR sözleşmesi kapsamında geliştiriliyor, Amerikan ordusu. Bu teknik gelişmeleri kullanmak, GeneSiC'den dahili yatırım ve birden fazla müşteriden gelen ticari siparişler, GeneSiC, bu UHV Tristörlerini ticari ürünler olarak sunabildi.

R tarafından düzenlenen 49. yıllık teknoloji yarışması&D Magazine, çeşitli şirketlerden ve sektör oyuncularından gelen girdileri değerlendirdi, dünyadaki araştırma kuruluşları ve üniversiteler. Derginin editörleri ve dışarıdan uzmanlardan oluşan bir kurul hakim olarak görev yaptı, Her girişi bilim ve araştırma dünyası için önemi açısından değerlendirmek.

R'ye göre&D Dergisi, R kazanmak&NS 100 Ödül, endüstri tarafından bilinen bir mükemmellik işareti sağlar, hükümet, ve akademi, ürünün yılın en yenilikçi fikirlerinden biri olduğunun kanıtı olarak. Bu ödül, GeneSiC'i çalışma ve yaşama şeklimizde fark yaratan teknoloji tabanlı ürünlerin yaratılmasında küresel bir lider olarak tanır..

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları. GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma. GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederekwww.genesicsemi.com.

Yayınlanan

GeneSiC Semiconductor, Teknolojiyi Sergilemek İçin Seçildi 2011 ARPA-E Enerji İnovasyon Zirvesi

DULES, VA, Şubat 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor, ARPA-E Energy Innovation Summit'teki prestijli Teknoloji Vitrini için seçimini duyurmaktan heyecan duyuyor., co-hosted by the Department of Energy’s Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) and the Clean Technology and Sustainable Industries Organization (CTSI). Hundreds of top technologists and cutting-edge clean tech organizations competed to participate in the Showcase, a hallway of America’s most promising prospects for winning the future in energy.

As one of ARPA-E’s selected organizations, GeneSiC Semiconductor will exhibit its Silicon Carbide to nearly 2,000 national leaders gathering to drive long-term American competitiveness in the energy sector, including top researchers, investors, entrepreneurs, corporate executives and government officials. More than 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, Başkan, Dr.. Ranbir Singh. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, BİZ. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – Mart 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

GeneSiC Yarı İletken Hakkında

GeneSiC Semiconductor Inc. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, Ordu, NASA, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. Department of Energy – and the first to focus exclusively on breakthrough energy technologies that could radically change the way we use energy. Rather than performing research directly, ARPA-E invests in high-risk, high-reward energy technologies being developed by universities, startups, small businesses, and corporations. Our staff combines industry-leading scientists, mühendisler, and investment executives to identify promising solutions to the nation’s most critical energy problems and to fast-track top technologies towards the marketplace – which is critical to securing the nation’s global technology leadership and creating new American industries and jobs. Ziyaret etmek www.arpa-e.energy.govfor more information.

About CTSI

The Clean Technology & Sustainable Industries Organization (CTSI), a 501c6 non-profit industry association, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. Ziyaret etmek www.ct-si.org for more information.

Yayınlanan

GeneSiC, gelecekteki Venüs keşif görevlerini desteklemek için NASA'dan güç yönetimi projesi kazandı

DULES, VA, Aralık 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., Yeni Silikon Karbür'ün önemli bir mucidi (SiC) yüksek sıcaklık için cihazlar, yüksek güç, ve ultra yüksek voltaj uygulamaları, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” dedi Dr. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 ° C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 ° C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.

GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederek www.genesicsemi.com.

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma.

Yayınlanan

Çok kHz, ABD Araştırmacılarına örneklenen Ultra Yüksek Voltajlı Silisyum Karbür Tristörler

DULES, VA, Kasım 1, 2010 –Türünün ilk örneği, GeneSiC Semiconductor, Akıllı Şebeke uygulamaları için güç elektroniğinde kullanım için bir 6.5kV SCR-modu Silisyum Karbür Tristör ailesinin kullanılabilirliğini duyurdu. Bu güç cihazlarının devrim niteliğindeki performans avantajlarının, Dağıtılmış Enerji Kaynaklarının erişilebilirliğini ve kullanımını artırmak için şebeke ölçeğindeki güç elektroniği donanımında önemli yenilikleri teşvik etmesi bekleniyor. (NS). "Şimdiye kadar, çok kV Silisyum Karbür (SiC) güç cihazları, SiC tabanlı güç cihazlarının iyi bilinen avantajlarından, yani 5-15kV değerlerinde 2-10kHz çalışma frekanslarından tam olarak yararlanmak için ABD'li araştırmacıların kullanımına açık değildi.” yorum yapan Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC Başkanı. “GeneSiC kısa süre önce birçok 6.5kV/40A'nın teslimatını tamamladı, 6.5Yenilenebilir enerji konusunda araştırma yapan birden fazla müşteriye kV/60A ve 6.5kV/80A Tristörler, Ordu ve Deniz güç sistemi uygulamaları. Bu derecelendirmelere sahip SiC cihazları artık daha yaygın olarak sunuluyor.”

Silisyum Karbür bazlı Tristörler 10 kat daha yüksek voltaj sunar, 100Geleneksel Silikon bazlı Tristörlere kıyasla X daha hızlı anahtarlama frekansları ve daha yüksek sıcaklıkta çalışma. Bu cihazlar için hedeflenen uygulama araştırma fırsatları, genel amaçlı orta gerilim güç dönüşümünü içerir (MVDC), Şebekeye bağlı solar inverterler, rüzgar enerjisi invertörleri, darbeli güç, silah sistemleri, ateşleme kontrolü, ve tetik kontrolü. Artık, ultra yüksek voltajın (>10kV) Silisyum Karbür (SiC) cihaz teknolojisi, yeni nesil elektrik şebekesinde devrim niteliğinde bir rol oynayacak. Tristör tabanlı SiC cihazları, aşağıdakiler için en yüksek durum performansını sunar: >5 kV cihazları, ve Hata-Akım Sınırlayıcıları gibi orta gerilim güç dönüştürme devrelerine yaygın olarak uygulanabilir, AC-DC dönüştürücüler, Statik VAR dengeleyiciler ve Seri Dengeleyiciler. SiC tabanlı Tristörler ayrıca geleneksel elektrik şebekesi elemanlarına benzerlikleri nedeniyle erken kabul için en iyi şansı sunar.. Bu gelişmiş güç yarı iletken teknolojilerinin uygulanması, 25-30 elektrik enerjisi dağıtımında artan verimlilik yoluyla elektrik tüketiminde yüzde azalma.

Dr.. Singh sözlerine şöyle devam ediyor: “Güç dönüştürme alanındaki araştırmacıların SiC Tristörlerin faydalarını tam olarak fark etmesinin ardından katı hal elektrik trafo merkezlerinde ve rüzgar türbini jeneratörlerinde büyük ölçekli pazarların açılması bekleniyor.. Bu birinci nesil SiC Tristörler, SiC Tristörlerde şimdiye kadar elde edilen en düşük durumsal voltaj düşüşünü ve diferansiyel açık dirençleri kullanır.. Kapı kontrollü Kapatma özelliği için optimize edilmiş gelecek nesil SiC Tristörleri piyasaya sürmeyi amaçlıyoruz ve >10kV değerleri. Yüksek sıcaklıkta ultra yüksek voltajlı paketleme çözümleri geliştirmeye devam ederken, mevcut 6.5kV Tristörler, tamamen lehimli kontaklara sahip modüller halinde paketlenmiştir, 150oC bağlantı sıcaklıkları ile sınırlıdır. GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları.

Washington'un yakınında bulunan, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., SuperJunction Transistörler (SJT) ve çok çeşitli Tristör tabanlı cihazlar. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından asal/alt sözleşmelere sahiptir veya olmuştur, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, Ordu, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edin www.genesicsemi.com.

Yayınlanan

GeneSiC, Silisyum Karbür Tristör tabanlı cihazların geliştirilmesine yönelik ARPA-E'den 2,53 milyon dolar kazandı

DULES, VA, Eylül 28, 2010 - İleri Araştırma Projeleri Ajansı - Enerji (ARPA-E) GeneSiC Semiconductor liderliğindeki ekiple yeni ultra yüksek voltajlı silisyum karbürün geliştirilmesine yönelik bir İşbirliği Anlaşması imzaladı (SiC) Tristör tabanlı cihazlar. Bu cihazların, büyük ölçekli rüzgar ve güneş enerjisi santrallerini yeni nesil Akıllı Şebekeye entegre etmede kilit kolaylaştırıcılar olması bekleniyor..

"GeneSiC'ye verilen bu son derece rekabetçi ödül, multi-kV Silisyum Karbür teknolojisindeki teknik liderlik konumumuzu genişletmemizi sağlayacak., katı hal çözümleriyle şebeke ölçeğinde alternatif enerji çözümlerine olan bağlılığımızın yanı sıra,” yorumladı Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Başkanı. “Geliştirmekte olduğumuz Multi-kV SiC Tristörler, Esnek AC İletim Sistemlerinin gerçekleştirilmesine yönelik anahtar teknolojidir. (GERÇEKLER) elemanlar ve Yüksek Gerilim DC (HVDC) bütünleşik bir yapıya yönelik tasarlanan mimariler, verimli, Geleceğin Akıllı Şebekesi. GeneSiC'nin SiC tabanlı Tristörleri 10 kat daha yüksek voltaj sunar, 100X, geleneksel Silikon bazlı Tristörlere kıyasla FACTS ve HVDC güç işleme çözümlerinde daha hızlı anahtarlama frekansları ve daha yüksek sıcaklıkta çalışma.”

Nisan içinde 2010, GeneSiC, Elektrik Gücü Teknolojisinin Çevik Teslimatına Yanıt Verdi (ADAPT) Maliyette düşüşler sunarken mevcut güç dönüştürücü performansını sıçrama potansiyeline sahip yüksek gerilim anahtarlarındaki temel ilerlemeler için malzemelere yatırım yapmaya çalışan ARPA-E'den talep. Şirketin “orta gerilim güç dönüşümü için Silisyum Karbür Anot Anahtarlamalı Tristör” başlıklı önerisi, hafiflik sağlamak için seçilmiştir., katı hal, katı hal elektrik trafo merkezleri ve rüzgar türbini jeneratörleri gibi yüksek güçlü uygulamalar için orta gerilim enerji dönüşümü. Bu gelişmiş güç yarı iletken teknolojilerinin uygulanması, 25-30 elektrik enerjisi dağıtımında artan verimlilik yoluyla elektrik tüketiminde yüzde azalma. Seçilen yenilikler ABD'yi desteklemek ve tanıtmaktı.. teknolojik liderlik yoluyla işletmeler, son derece rekabetçi bir süreçle.

Silisyum karbür, geleneksel silisyumdan çok daha üstün özelliklere sahip yeni nesil bir yarı iletken malzemedir., 300ºC kadar yüksek sıcaklıklarda voltajın on katı ve akımın yüz katı ile başa çıkma yeteneği gibi. Bu özellikler, onu hibrit ve elektrikli araçlar gibi yüksek güçlü uygulamalar için ideal hale getirir., yenilenebilir enerji (rüzgar ve güneş) tesisler, ve elektrik-şebeke kontrol sistemleri.

Artık, ultra yüksek voltajın (>10kV) Silisyum Karbür (SiC) cihaz teknolojisi, yeni nesil elektrik şebekesinde devrim niteliğinde bir rol oynayacak. Tristör tabanlı SiC cihazları, aşağıdakiler için en yüksek durum performansını sunar: >5 kV cihazları, ve Hata-Akım Sınırlayıcıları gibi orta gerilim güç dönüştürme devrelerine yaygın olarak uygulanabilir, AC-DC dönüştürücüler, Statik VAR Kompansatörler ve Seri Kompansatörler. SiC tabanlı Tristörler ayrıca geleneksel elektrik şebekesi elemanlarına benzerlikleri nedeniyle erken kabul için en iyi şansı sunar.. Bu cihazlar için gelecek vaat eden diğer uygulamalar ve avantajlar şunlardır::

  • Geleceğin Deniz Yeteneği kapsamında Orta Gerilim DC dönüşümü için güç yönetimi ve güç koşullandırma sistemleri aranıyor (FNC) ABD Donanması, Elektro-manyetik fırlatma sistemleri, yüksek enerjili silah sistemleri ve tıbbi görüntüleme. 10-100X daha yüksek çalışma frekansı kapasitesi, boyutta eşi görülmemiş iyileştirmeler sağlar, ağırlık, hacim ve nihayetinde, bu tür sistemlerin maliyeti.
  • Çeşitli enerji depolama, yüksek sıcaklık ve yüksek enerjili fizik uygulamaları. Dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça, enerji depolama ve elektrik şebekesi uygulamaları artan bir ilgi görmektedir..

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları.

“Kapsamlı bir üretim paketi ile cihaz ve süreç tasarımındaki temel yetkinliğimizden yararlanarak ultra yüksek voltajlı SiC teknolojisinde bir lider olarak ortaya çıktık., karakterizasyon, ve test tesisleri,” sonucuna varıyor Dr.. Singh. "GeneSiC'nin konumu, bu önemli müteakip ödülle artık ABD DOE tarafından etkin bir şekilde doğrulandı."

GeneSiC Yarı İletken Hakkında

Washington yakınlarında stratejik bir konuma sahip, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., SuperJunction Transistörler (SJT) ve çok çeşitli Tristör tabanlı cihazlar. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından asal/alt sözleşmelere sahiptir veya olmuştur, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, Ordu, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edinwww.genesicsemi.com.

Yayınlanan

Yenilenebilir Enerji İtme Ağları GeneSiC Semiconductor ABD Enerji Bakanlığı'ndan 1,5 Milyon Dolar

DULES, VA, Kasım 12, 2008 – ABD Enerji Bakanlığı, GeneSiC Semiconductor'a yüksek voltajlı silisyum karbürün geliştirilmesi için toplam 1,5 milyon ABD Doları tutarında iki ayrı hibe verdi. (SiC) rüzgar için önemli etkinleştiriciler olarak hizmet edecek cihazlar- ve ülkenin elektrik şebekesi ile güneş enerjisi entegrasyonu.

"Bu ödüller, DOE'nin GeneSiC'nin yeteneklerine olan güvenini göstermektedir., alternatif enerji çözümlerine olan bağlılığının yanı sıra,” notları Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC başkanı. "Entegre, verimli elektrik şebekesi, ülkenin enerji geleceği için kritik öneme sahip ve geliştirdiğimiz SiC cihazları, geleneksel silikon teknolojilerinin verimsizliklerinin üstesinden gelmek için kritik öneme sahip.”

İlk ödül, hızlı teknolojinin geliştirilmesi için 750 bin $'lık Faz II SBIR hibesidir., ultra yüksek voltajlı SiC bipolar cihazlar. İkincisi, optik olarak kapılı yüksek güçlü SiC anahtarlarının geliştirilmesi için 750 bin dolarlık Faz II STTR hibesidir..

Silisyum karbür, silikonun voltajının 10 katı ve akımın 100 katının üstesinden gelme kabiliyetine sahip yeni nesil bir yarı iletken malzemedir., yenilenebilir enerji gibi yüksek güçlü uygulamalar için ideal hale getirir (rüzgar ve güneş) tesisatlar ve elektrik-şebeke kontrol sistemleri.

özellikle, iki ödül için:

  • Yüksek frekansın geliştirilmesi, çoklu kilovolt SiC geçit kapatma (GTO) güç cihazları. Hükümet ve ticari uygulamalar, gemiler için güç yönetimi ve iklimlendirme sistemlerini içerir, kamu hizmeti endüstrisi, ve tıbbi görüntüleme.
  • Optik kapılı yüksek voltaj tasarımı ve üretimi, yüksek güçlü SiC anahtarlama cihazları. Gücü değiştirmek için fiber optik kullanmak, elektromanyetik parazitten rahatsız olan ortamlar için ideal bir çözümdür (EMI), ve ultra yüksek voltaj gerektiren uygulamalar.

GeneSiC'nin geliştirmekte olduğu SiC cihazları, çeşitli enerji depolamalarına hizmet eder., Güç ızgarası, ve askeri uygulamalar, dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça artan ilgi görmektedir..

Washington dışında yerleşik, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., Alan Etkili Transistörler (FET'ler) ve bipolar cihazlar, ayrıca parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edin www.genesicsemi.com.