Applikationsanmärkningar:
AN-10A Drivning SiC Junction Transistorer (Inc) med Off-the-Shelf Silicon IGBT Gate Drivers: Ennivådrivningskoncept
Maj 2013 AN-10A Drivning SiC Junction Transistorer (Inc) med Off-the-Shelf Silicon IGBT Gate Drivers: Ennivådrivningskoncept
AN-10B Drivning SiC Junction Transistorer (Inc): Två-nivå Gate Drive Concept
Juni 2013 AN-10B Drivning SiC Junction Transistorer (Inc): Två-nivå Gate Drive Concept
Dubbelpulsomkopplingskort
sep 2014 Dubbelpulsomkopplingskort
High Power Gate Driver Board
sep 2014 High Power Gate Driver Board
Låg effekt Gate Driver Board
sep 2014 Låg effekt Gate Driver Board
Tekniska artiklar:
1200 V-klass 4H-SiC “Super” Junction transistorer med strömförstärkningar på 88 och ultrasnabb växlingsförmåga
Sept, 20111200 V-klass 4H-SiC “Super” Junction transistorer med strömförstärkningar på 88 och ultrasnabb växlingsförmåga
1200 V SiC "Super" Junction Transistorer som arbetar vid 250 °C med extremt låga energiförluster för kraftomvandlingsapplikationer
nov, 2011 1200 V SiC "Super" Junction Transistorer som arbetar vid 250 °C med extremt låga energiförluster för kraftomvandlingsapplikationer
Utnyttjar det höga temperaturlöftet om SiC
feb, 2012 Utnyttjar det höga temperaturlöftet om SiC
Kiselkarbid “Super” Junction Transistorer som arbetar vid 500°C
apr, 2012 Kiselkarbid “Super” Junction Transistorer som arbetar vid 500°C
Stabilitet för elektriska egenskaper hos SiC "Super" Junction Transistorer under långvarig DC och pulsad drift vid olika temperaturer
Maj, 2012 Stabilitet för elektriska egenskaper hos SiC "Super" Junction Transistorer under långvarig DC och pulsad drift vid olika temperaturer
