Publicerat den

GeneSiCs branschledande 6,5 kV SiC MOSFET – Vanguard för en ny våg av applikationer

6.5kV SiC MOSFET

DULLES, VA, Oktober 20, 2020 — GeneSiC släpper 6,5 kV MOSFET-kiselkarbid för att ligga i framkant när det gäller prestanda utan motstycke, effektivitet och tillförlitlighet i medelspänningseffektkonverteringstillämpningar såsom dragkraft, pulsad kraft och infrastruktur för smarta nät.

GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) halvledare, tillkännager idag omedelbar tillgänglighet av 6,5 kV SiC MOSFET nakna marker - G2R300MT65-CAL och G2R325MS65-CAL. Hela SiC-moduler som använder denna teknik kommer snart att släppas. Applikationer förväntas inkludera dragkraft, pulserande kraft, infrastruktur för smarta nät och andra kraftomvandlare med mellanspänning.

G2R300MT65-CAL - 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (med Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

GeneSiCs innovation har en SiC dubbelimplanterad metalloxid halvledare (DMOSFET) enhetsstruktur med en korsningsbarriärschottky (JBS) likriktare integrerad i SiC DMOSFET-enhetscellen. Denna ledande kraftenhet kan användas i en mängd olika strömomvandlingskretsar i nästa generation av kraftomvandlingssystem. Andra viktiga fördelar inkluderar effektivare dubbelriktad prestanda, temperaturoberoende omkoppling, låga kopplings- och ledningsförluster, minskade kylbehov, överlägsen långsiktig tillförlitlighet, enkel parallellanordning och kostnadsfördelar. GeneSiCs teknik erbjuder överlägsen prestanda och har också potential att minska SiC-materialets fotavtryck i kraftomvandlare.

“GeneSiCs 6,5 kV SiC MOSFETs är designade och tillverkade på 6-tums skivor för att uppnå lågt motstånd mot tillståndet, högsta kvalitet, och överlägset pris / prestandaindex. Nästa generations MOSFET-teknik lovar exemplarisk prestanda, överlägsen robusthet och långsiktig tillförlitlighet i applikationer för kraftkonvertering med mellanspänning.” sa Gå till Kontakt. Siddarth Sundaresan, VP of Technology på GeneSiC Semiconductor.

GeneSiCs 6,5 kV G2R ™ SiC MOSFET-teknikfunktioner –

  • Hög lavin (UIS) och kortslutningsegenskaper
  • Superior QG x RDS(PÅ) förtjänst
  • Temperaturoberoende kopplingsförluster
  • Låga kapaciteter och låg grindladdning
  • Låga förluster vid alla temperaturer
  • Normalt avstängd stabil drift upp till 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip eller kontakta sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiC släpper branschens bästa prestanda 1700V SiC Schottky MPS™ dioder

DULLES, VA, Januari 7, 2019 — GeneSiC släpper en omfattande portfölj av sin tredje generation 1700V SiC Schottky MPS™-dioder i TO-247-2-paket

GeneSiC har introducerat GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 och GB50MPS17-247; branschens bäst presterande 1700V SiC-dioder tillgängliga i det populära TO-247-2 genomhålspaketet. Dessa 1700V SiC-dioder ersätter kiselbaserade ultrasnabba återställningsdioder och andra gamla generationens 1700V SiC JBS, gör det möjligt för ingenjörer att bygga omkopplingskretsar med högre effektivitet och högre effekttäthet. Applikationerna förväntas inkludera elektriska snabbladdare, motordrivningar, kraftförsörjning för transporter och förnybar energi.

GB50MPS17-247 är en 1700V 50A SiC merged-PiN-schottky-diod, branschens högst märkta diskreta SiC-effektdiod. Dessa nyligen släppta dioder har lågt framåtspänningsfall, ingen återhämtning framåt, noll omvänd återhämtning, låg förbindelsekapacitans och är klassade för en maximal arbetstemperatur på 175 ° C. GeneSiC: s tredje generationens SiC schottky-diodteknik ger branschledande lavin robusthet och överspänningsström (Ifsm) robusthet, kombinerat med högkvalitativt bilkvalificerat 6-tums gjuteri och avancerad diskret monteringsteknik med hög tillförlitlighet.

Dessa SiC-dioder är stiftkompatibla direkta ersättningar till andra dioder som finns i TO-247-2-paketet. Dra nytta av deras lägre effektförluster (svalare drift) och högfrekvent omkopplingsfunktion, formgivare kan nu uppnå högre konverteringseffektivitet och större effekttäthet i konstruktioner.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.