Publicerat den

GeneSiC släpper branschens bästa prestanda 1700V SiC Schottky MPS™ dioder

DULLES, VA, Januari 7, 2019 — GeneSiC släpper en omfattande portfölj av sin tredje generation 1700V SiC Schottky MPS™-dioder i TO-247-2-paket

GeneSiC har introducerat GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 och GB50MPS17-247; branschens bäst presterande 1700V SiC-dioder tillgängliga i det populära TO-247-2 genomhålspaketet. Dessa 1700V SiC-dioder ersätter kiselbaserade ultrasnabba återställningsdioder och andra gamla generationens 1700V SiC JBS, gör det möjligt för ingenjörer att bygga omkopplingskretsar med högre effektivitet och högre effekttäthet. Applikationerna förväntas inkludera elektriska snabbladdare, motordrivningar, kraftförsörjning för transporter och förnybar energi.

GB50MPS17-247 är en 1700V 50A SiC merged-PiN-schottky-diod, branschens högst märkta diskreta SiC-effektdiod. Dessa nyligen släppta dioder har lågt framåtspänningsfall, ingen återhämtning framåt, noll omvänd återhämtning, låg förbindelsekapacitans och är klassade för en maximal arbetstemperatur på 175 ° C. GeneSiC: s tredje generationens SiC schottky-diodteknik ger branschledande lavin robusthet och överspänningsström (Ifsm) robusthet, kombinerat med högkvalitativt bilkvalificerat 6-tums gjuteri och avancerad diskret monteringsteknik med hög tillförlitlighet.

Dessa SiC-dioder är stiftkompatibla direkta ersättningar till andra dioder som finns i TO-247-2-paketet. Dra nytta av deras lägre effektförluster (svalare drift) och högfrekvent omkopplingsfunktion, formgivare kan nu uppnå högre konverteringseffektivitet och större effekttäthet i konstruktioner.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.

Publicerat den

Multi-kHz, Ultra-högspänning kiselkarbid tyristorer provades till amerikanska forskare

DULLES, VA, november 1, 2010 –I ett första erbjudande i sitt slag, GeneSiC Semiconductor tillkännager tillgången på en familj av 6,5 kV SCR-mode kiselkarbidtyristorer för användning i kraftelektronik för Smart Grid-applikationer. Revolutionerande prestandafördelar med dessa kraftenheter förväntas stimulera nyckelinnovationer inom kraftelektronikhårdvara i nyttoskala för att öka tillgängligheten och utnyttjandet av distribuerade energiresurser (DE). "Tills nu, multi-kV kiselkarbid (Sic) kraftenheter var inte öppet tillgängliga för amerikanska forskare för att fullt ut kunna utnyttja de välkända fördelarna – nämligen 2-10 kHz driftfrekvenser vid 5–15 kV klassificering – med SiC-baserade kraftenheter.” kommenterade Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC. ”GeneSiC har nyligen levererat många 6,5 ​​kV/40A, 6.5kV/60A och 6,5kV/80A tyristorer till flera kunder som bedriver forskning inom förnybar energi, Armé- och sjökraftssystemapplikationer. SiC-enheter med dessa klassificeringar erbjuds nu mer allmänt."

Kiselkarbidbaserade tyristorer erbjuder 10X högre spänning, 100X snabbare omkopplingsfrekvenser och högre temperaturdrift jämfört med konventionella kiselbaserade tyristorer. Möjligheterna till målinriktade applikationsforskning för dessa enheter inkluderar allmänna medelspänningsomvandling (MVDC), Grid-bundna solinverterare, vindkraftsväxelriktare, pulserande kraft, vapensystem, tändningskontroll, och triggkontroll. Det är nu väl etablerat att ultrahög spänning (>10kV) Kiselkarbid (Sic) enhetsteknologi kommer att spela en revolutionerande roll i nästa generations elnät. Tyristorbaserade SiC-enheter erbjuder högsta prestanda i tillståndet >5 kV-enheter, och är allmänt tillämpliga på medelspänningseffektomvandlingskretsar som felströmsbegränsare, AC-DC omvandlare, Statiska VAR-kompensatorer och seriekompensatorer. SiC-baserade tyristorer erbjuder också den bästa chansen till tidig adoption på grund av deras likheter med konventionella elnätselement. Att implementera dessa avancerade krafthalvledarteknologier kan ge så mycket som en 25-30 procentuell minskning av elförbrukningen genom ökad effektivitet vid leverans av elkraft.

Gå till Kontakt. Singh fortsätter "Det förväntas att storskaliga marknader för solid-state elektriska transformatorstationer och vindkraftsgeneratorer kommer att öppnas efter att forskare inom energiomvandlingsarenan kommer att fullt ut inse fördelarna med SiC-tyristorer. Dessa första generationens SiC-tyristorer använder det lägsta påvisade spänningsfallet i tillstånd och differentiella på-motstånd som någonsin uppnåtts i SiC-tyristorer. Vi har för avsikt att släppa framtida generationer av SiC-tyristorer optimerade för portstyrd avstängningsförmåga och >10kV-värden. När vi fortsätter att utveckla förpackningslösningar för hög temperatur och ultrahög spänning, nuvarande 6,5 kV tyristorer är förpackade i moduler med helt lödda kontakter, begränsad till 150oC korsningstemperaturer." GeneSiC är en snabbt växande innovatör inom området SiC kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning.

Beläget nära Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter. Pågående utvecklingsprojekt inkluderar högtemperaturlikriktare, SuperJunction-transistorer (Inc) och ett brett utbud av Thyristor-baserade enheter. GeneSiC har eller har haft huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive energidepartementet, Marin, Armé, DARPA, och Department of Homeland Security. Företaget upplever för närvarande en betydande tillväxt, och anställa kvalificerad personal inom design av kraftenheter och detektorer, tillverkning, och testning. För att få reda på mer, besök www.genesicsemi.com.

Publicerat den

GeneSiC vinner 2,53 miljoner USD från ARPA-E för utveckling av kiselkarbidtyristorbaserade enheter

DULLES, VA, september 28, 2010 – Byrån för avancerade forskningsprojekt – Energi (ARPA-E) har ingått ett samarbetsavtal med det GeneSiC Semiconductor-ledda teamet för utvecklingen av den nya ultrahögspänningen kiselkarbid (Sic) Tyristorbaserade enheter. Dessa enheter förväntas vara viktiga möjliggörare för att integrera storskaliga vind- och solkraftverk i nästa generations Smart Grid.

"Denna mycket konkurrenskraftiga utmärkelse till GeneSiC kommer att tillåta oss att utöka vår tekniska ledande position inom multi-kV Silicon Carbide-teknologin, samt vårt engagemang för alternativa energilösningar i nätskala med solid state-lösningar," kommenterade Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC. "Multi-kV SiC-tyristorer som vi utvecklar är nyckeln som möjliggör förverkligandet av flexibla AC-transmissionssystem (FAKTA) element och högspänningslikström (HVDC) planerade arkitekturer mot en integrerad, effektiv, Framtidens Smart Grid. GeneSiCs SiC-baserade tyristorer erbjuder 10 gånger högre spänning, 100X snabbare omkopplingsfrekvenser och högre temperaturdrift i FACTS och HVDC-kraftbehandlingslösningar jämfört med konventionella kiselbaserade tyristorer."

I april 2010, GeneSiC svarade på Agile Delivery of Electrical Power Technology (SKICKLIG) uppmaning från ARPA-E som försökte investera i material för grundläggande framsteg inom högspänningsomkopplare som har potential att hoppa över existerande effektomvandlars prestanda samtidigt som det ger sänkta kostnader. Företagets förslag med titeln "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power conversion" valdes ut för att ge en lättvikts, fast tillstånd, mellanspänningsenergiomvandling för applikationer med hög effekt som solid-state elektriska transformatorstationer och vindkraftsgeneratorer. Att implementera dessa avancerade krafthalvledarteknologier kan ge så mycket som en 25-30 procentuell minskning av elförbrukningen genom ökad effektivitet vid leverans av elkraft. Innovationer som valdes var att stödja och marknadsföra U.S. företag genom tekniskt ledarskap, genom en mycket konkurrensutsatt process.

Kiselkarbid är ett nästa generations halvledarmaterial med mycket överlägsna egenskaper jämfört med konventionellt kisel, såsom förmågan att hantera tio gånger spänningen – och hundra gånger strömmen – vid temperaturer så höga som 300ºC. Dessa egenskaper gör den idealisk för högeffektapplikationer som hybrid- och elfordon, förnybar energi (vind och sol) installationer, och styrsystem för elnät.

Det är nu väl etablerat att ultrahög spänning (>10kV) Kiselkarbid (Sic) enhetsteknologi kommer att spela en revolutionerande roll i nästa generations elnät. Tyristorbaserade SiC-enheter erbjuder högsta prestanda i tillståndet >5 kV-enheter, och är allmänt tillämpliga på medelspänningseffektomvandlingskretsar som felströmsbegränsare, AC-DC omvandlare, Statiska VAR-kompensatorer och seriekompensatorer. SiC-baserade tyristorer erbjuder också den bästa chansen till tidig adoption på grund av deras likheter med konventionella elnätselement. Andra lovande tillämpningar och fördelar för dessa enheter inkluderar:

  • Effektstyrning och energikonditioneringssystem för mellanspänningslikströmsomvandling sökt under Future Naval Capability (FNC) av US Navy, Elektromagnetiska uppskjutningssystem, högenergivapensystem och medicinsk bildbehandling. Den 10-100X högre driftsfrekvensen möjliggör oöverträffade förbättringar i storlek, vikt, volym och slutligen, kostnaden för sådana system.
  • En mängd olika energilagring, högtemperatur- och högenergifysikapplikationer. Energilagring och kraftnätsapplikationer får allt större uppmärksamhet när världen fokuserar på mer effektiva och kostnadseffektiva energihanteringslösningar.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning.

“Vi har vuxit fram som ledande inom ultrahögspännings-SiC-teknik genom att utnyttja vår kärnkompetens inom enhets- och processdesign med en omfattande serie tillverkning, karakterisering, och testanläggningar,” avslutar Dr. Singh. "GeneSiC:s position har nu effektivt validerats av US DOE med denna betydande uppföljningspris."

Om GeneSiC Semiconductor

Strategiskt beläget nära Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter. Pågående utvecklingsprojekt inkluderar högtemperaturlikriktare, SuperJunction-transistorer (Inc) och ett brett utbud av Thyristor-baserade enheter. GeneSiC har eller har haft huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive energidepartementet, Marin, Armé, DARPA, och Department of Homeland Security. Företaget upplever för närvarande en betydande tillväxt, och anställa kvalificerad personal inom design av kraftenheter och detektorer, tillverkning, och testning. För att få reda på mer, besökwww.genesicsemi.com.

Publicerat den

Förnybar energi Thrust Nets GeneSiC Semiconductor $1,5 miljoner från US Department of Energy

DULLES, VA, november 12, 2008 – Det amerikanska energidepartementet har tilldelat GeneSiC Semiconductor två separata anslag på totalt 1,5 miljoner USD för utveckling av högspännings kiselkarbid (Sic) enheter som kommer att fungera som viktiga möjliggörare för vind- och solenergiintegration med landets elnät.

"Dessa utmärkelser visar DOE:s förtroende för GeneSiC:s kapacitet, samt dess engagemang för alternativa energilösningar,” noterar Dr. Ranbir Singh, president för GeneSiC. ”En integrerad, Effektivt elnät är avgörande för landets energiframtid - och SiC-enheterna vi utvecklar är avgörande för att övervinna ineffektiviteten hos konventionell kiselteknologi."

Den första utmärkelsen är ett fas II SBIR-bidrag på $750 000 för utveckling av snabba, ultrahögspänning SiC bipolära enheter. Den andra är ett fas II STTR-anslag på $750 000 för utveckling av optiskt grindade SiC-switchar med hög effekt.

Kiselkarbid är ett nästa generations halvledarmaterial med förmågan att hantera 10x spänningen och 100x strömmen av kisel, vilket gör den idealisk för applikationer med hög effekt som förnybar energi (vind och sol) installationer och styrsystem för elnät.

Specifikt, de två utmärkelserna är för:

  • Utveckling av högfrekventa, multikilovolt SiC gate-avstängning (GTO) kraftenheter. Offentliga och kommersiella tillämpningar inkluderar krafthanterings- och konditioneringssystem för fartyg, bruksindustrin, och medicinsk bildbehandling.
  • Design och tillverkning av optiskt grindad högspänning, högeffekt SiC-växlingsenheter. Att använda fiberoptik för att byta ström är en idealisk lösning för miljöer som plågas av elektromagnetiska störningar (EMI), och applikationer som kräver ultrahöga spänningar.

SiC-enheterna som GeneSiC utvecklar tjänar en mängd olika energilagringar, Kraftnät, och militära tillämpningar, som får allt större uppmärksamhet när världen fokuserar på mer effektiva och kostnadseffektiva energihanteringslösningar.

Baserad utanför Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter. Pågående utvecklingsprojekt inkluderar högtemperaturlikriktare, fälteffekttransistorer (FET) och bipolära enheter, såväl som partikel & fotoniska detektorer. GeneSiC har huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive energidepartementet, Marin, DARPA, och Department of Homeland Security. Företaget upplever för närvarande en betydande tillväxt, och anställa kvalificerad personal inom design av kraftenheter och detektorer, tillverkning, och testning. För att få reda på mer, besök www.genesicsemi.com.

Publicerat den

GeneSiC Semiconductor belönades med flera US Department of Energy SBIR och STTR Grants

DULLES, VA, Oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., en snabbt växande innovatör av hög temperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, meddelade att det har tilldelats tre separata småföretagsanslag från US Department of Energy under FY07. SBIR- och STTR-bidragen kommer att användas av GeneSiC för att demonstrera nya högspännings-SiC-enheter för en mängd olika energilagring, Kraftnät, högtemperatur- och högenergifysikapplikationer. Energilagring och kraftnätsapplikationer får allt större uppmärksamhet när världen fokuserar på mer effektiva och kostnadseffektiva energihanteringslösningar.

“Vi är nöjda med det förtroende som olika kontor inom det amerikanska energidepartementet uttryckt med avseende på våra högeffektslösningar. Att injicera denna finansiering i våra avancerade SiC-teknologiprogram kommer att resultera i en branschledande linje SiC-enheter,” kommenterade GeneSiC:s ordförande, Gå till Kontakt. Ranbir Singh. “De enheter som utvecklas i dessa projekt lovar att tillhandahålla kritisk möjliggörande teknologi för att stödja ett mer effektivt elnät, och kommer att öppna dörren till ny kommersiell och militär hårdvaruteknik som har förblivit orealiserad på grund av begränsningarna hos samtida kiselbaserad teknik.”

De tre projekten inkluderar:

  • En ny Fas I SBIR-utmärkelse fokuserad på starkström, multi-kV tyristorbaserade enheter inriktade på energilagringstillämpningar.
  • En uppföljande utmärkelse för fas II SBIR för utveckling av multi-kV SiC-kraftenheter för högspänningsaggregat för högeffekts RF-systemtillämpningar tilldelad av DOE Office of Science.
  • En Fas I STTR-utmärkelse fokuserad på optiskt grindad högspänning, högfrekventa SiC-kraftenheter för miljöer rika på elektromagnetiska störningar, inklusive högeffekts RF-energisystem, och riktade energivapensystem.

Tillsammans med utmärkelserna, GeneSiC har nyligen flyttat verksamheten till ett utökat laboratorie- och kontorshus i Dulles, Virginia, avsevärt uppgradera sin utrustning, infrastruktur och håller på att lägga till ytterligare nyckelpersoner.

“GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder, backar upp det med tillgång till en omfattande serie tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar,” avslutade Dr. Singh. “Vi anser att dessa förmågor har validerats effektivt av US DOE med dessa nya och uppföljande utmärkelser.”

Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besöka www.genesicsemi.com.