DULLES, VA, juli 14, 2011 — R&D Magazine har valt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottagare av det prestigefyllda 2011 R&D 100 Pris för kommersialisering av kiselkarbidenheter med hög spänning.
GeneSiC Semiconductor Inc., en nyckelinnovatör inom de kiselkarbidbaserade kraftenheterna hedrades förra veckan med tillkännagivandet att den har tilldelats den prestigefyllda 2011 R&D 100 Tilldela. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC för att introducera en av de mest betydelsefulla, nyligen introducerade forsknings - och utvecklingsframsteg bland flera discipliner under 2010. R&D Magazine erkände GeneSiC:s Ultra-High Voltage SiC-tyristor för dess förmåga att uppnå blockerande spänningar och frekvenser som aldrig tidigare använts för kraftelektronikdemonstrationer. Spänningsvärdena för >6.5kV, på-tillstånd nuvarande betyg på 80 A och driftfrekvenser för >5 kHz är mycket högre än de som tidigare introducerats på marknaden. Dessa förmågor som uppnås av GeneSiCs tyristorer gör det på ett avgörande sätt möjligt för kraftelektronikforskare att utveckla nätanslutna växelriktare, Flexibel
AC transmissionssystem (FAKTA) och högspänningssystem (HVDC). Detta kommer att möjliggöra nya uppfinningar och produktutvecklingar inom förnybar energi, solomvandlare, vindkraftsväxelriktare, och energilagringsindustrier. Gå till Kontakt. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor kommenterade "Det förväntas att storskaliga marknader för solid-state elektriska transformatorstationer och vindkraftsgeneratorer kommer att öppna upp efter att forskare inom energiomvandlingsarenan kommer att fullt ut inse fördelarna med SiC-tyristorer. Dessa första generationens SiC-tyristorer använder det lägsta påvisade spänningsfallet i tillstånd och differentiella på-motstånd som någonsin uppnåtts i SiC-tyristorer. Vi har för avsikt att släppa framtida generationer av SiC-tyristorer optimerade för gate-kontrollerad avstängningskapacitet och pulserande effektkapacitet och >10kV-värden. När vi fortsätter att utveckla förpackningslösningar för hög temperatur och ultrahög spänning, nuvarande 6,5 kV tyristorer är förpackade i moduler med helt lödda kontakter, begränsad till 150oC korsningstemperaturer." Sedan denna produkt lanserades i oktober 2010, GeneSiC har bokat beställningar från flera kunder för demonstration av avancerad kraftelektronikhårdvara med dessa kiselkarbidtyristorer. GeneSiC fortsätter att utveckla sin familj av Silicon Carbide Thyristor-produkter. R&D på tidig version för kraftomvandlingsapplikationer utvecklades genom SBIR-finansieringsstöd från US Dept. av energi. Mer avancerad, Pulsed Power-optimerade SiC-tyristorer utvecklas under ett annat SBIR-kontrakt med ARDEC, Amerikanska armén. Med hjälp av denna tekniska utveckling, intern investering från GeneSiC och kommersiella beställningar från flera kunder, GeneSiC kunde erbjuda dessa UHV-tyristorer som kommersiella produkter.
Den 49:e årliga tekniktävlingen som drivs av R&D Magazine utvärderade bidrag från olika företag och branschaktörer, forskningsorganisationer och universitet runt om i världen. Tidningens redaktörer och en panel av externa experter fungerade som domare, utvärdera varje post i termer av dess betydelse för vetenskap och forskning.
Enligt R&D Magazine, vinner en R&D 100 Priset ger ett kvalitetsmärke som industrin känner till, regering, och akademin som bevis på att produkten är en av årets mest innovativa idéer. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC som en global ledare inom skapandet av teknologibaserade produkter som gör skillnad i hur vi arbetar och lever.
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.
