Märka: SiC Schottky MPS

DULLES, VA, december 5, 2019 — R&D Magazine har valt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottagare av det prestigefyllda 2019 R&D 100 Pris för utveckling av SiC-baserad monolitisk transistor-likriktaromkopplare.

GeneSiC Semiconductor Inc., en viktig innovatör inom Silicon Carbide-baserade kraftenheter hedrade med tillkännagivandet att den har tilldelats det prestigefyllda 2019 R&D 100 Tilldela. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC för att introducera en av de mest betydelsefulla, nyligen introducerade forsknings - och utvecklingsframsteg bland flera discipliner under 2018. R&D Magazine kände igen GeneSiCs mellanspänning SiC-kraftenhetsteknik för sin förmåga att monolitiskt integrera MOSFET och Schottky-likriktare på ett enda chip. Dessa funktioner som uppnås med GeneSiCs enhet gör det möjligt för forskare inom kraftelektronik att utveckla nästa generations kraftelektroniska system som växelriktare och DC-DC-omvandlare. Detta möjliggör produktutveckling inom elfordon, laddningsinfrastruktur, förnybar energi och energilagring. GeneSiC har bokat order från flera kunder mot demonstration av avancerad kraftelektronikhårdvara med hjälp av dessa enheter och fortsätter att utveckla sin familj av Silicon Carbide MOSFET-produkter. R&D på tidig version för applikationer för kraftkonvertering utvecklades genom US Dept. av energi och samarbete med Sandia National Laboratories.

Den årliga tekniktävlingen som drivs av R&D Magazine utvärderade bidrag från olika företag och branschaktörer, forskningsorganisationer och universitet runt om i världen. Tidningens redaktörer och en panel av externa experter fungerade som domare, utvärdera varje post i termer av dess betydelse för vetenskap och forskning.

Enligt R&D Magazine, vinner en R&D 100 Priset ger ett kvalitetsmärke som industrin känner till, regering, och akademin som bevis på att produkten är en av årets mest innovativa idéer. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC som en global ledare inom skapandet av teknologibaserade produkter som gör skillnad i hur vi arbetar och lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.