Publicerat den

GeneSiCs branschledande 6,5 kV SiC MOSFET – Vanguard för en ny våg av applikationer

6.5kV SiC MOSFET

DULLES, VA, Oktober 20, 2020 — GeneSiC släpper 6,5 kV MOSFET-kiselkarbid för att ligga i framkant när det gäller prestanda utan motstycke, effektivitet och tillförlitlighet i medelspänningseffektkonverteringstillämpningar såsom dragkraft, pulsad kraft och infrastruktur för smarta nät.

GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) halvledare, tillkännager idag omedelbar tillgänglighet av 6,5 kV SiC MOSFET nakna marker - G2R300MT65-CAL och G2R325MS65-CAL. Hela SiC-moduler som använder denna teknik kommer snart att släppas. Applikationer förväntas inkludera dragkraft, pulserande kraft, infrastruktur för smarta nät och andra kraftomvandlare med mellanspänning.

G2R300MT65-CAL - 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (med Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

GeneSiCs innovation har en SiC dubbelimplanterad metalloxid halvledare (DMOSFET) enhetsstruktur med en korsningsbarriärschottky (JBS) likriktare integrerad i SiC DMOSFET-enhetscellen. Denna ledande kraftenhet kan användas i en mängd olika strömomvandlingskretsar i nästa generation av kraftomvandlingssystem. Andra viktiga fördelar inkluderar effektivare dubbelriktad prestanda, temperaturoberoende omkoppling, låga kopplings- och ledningsförluster, minskade kylbehov, överlägsen långsiktig tillförlitlighet, enkel parallellanordning och kostnadsfördelar. GeneSiCs teknik erbjuder överlägsen prestanda och har också potential att minska SiC-materialets fotavtryck i kraftomvandlare.

“GeneSiCs 6,5 kV SiC MOSFETs är designade och tillverkade på 6-tums skivor för att uppnå lågt motstånd mot tillståndet, högsta kvalitet, och överlägset pris / prestandaindex. Nästa generations MOSFET-teknik lovar exemplarisk prestanda, överlägsen robusthet och långsiktig tillförlitlighet i applikationer för kraftkonvertering med mellanspänning.” sa Gå till Kontakt. Siddarth Sundaresan, VP of Technology på GeneSiC Semiconductor.

GeneSiCs 6,5 kV G2R ™ SiC MOSFET-teknikfunktioner –

  • Hög lavin (UIS) och kortslutningsegenskaper
  • Superior QG x RDS(PÅ) förtjänst
  • Temperaturoberoende kopplingsförluster
  • Låga kapaciteter och låg grindladdning
  • Låga förluster vid alla temperaturer
  • Normalt avstängd stabil drift upp till 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip eller kontakta sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiC vinner 2,53 miljoner USD från ARPA-E för utveckling av kiselkarbidtyristorbaserade enheter

DULLES, VA, september 28, 2010 – Byrån för avancerade forskningsprojekt – Energi (ARPA-E) har ingått ett samarbetsavtal med det GeneSiC Semiconductor-ledda teamet för utvecklingen av den nya ultrahögspänningen kiselkarbid (Sic) Tyristorbaserade enheter. Dessa enheter förväntas vara viktiga möjliggörare för att integrera storskaliga vind- och solkraftverk i nästa generations Smart Grid.

"Denna mycket konkurrenskraftiga utmärkelse till GeneSiC kommer att tillåta oss att utöka vår tekniska ledande position inom multi-kV Silicon Carbide-teknologin, samt vårt engagemang för alternativa energilösningar i nätskala med solid state-lösningar," kommenterade Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC. "Multi-kV SiC-tyristorer som vi utvecklar är nyckeln som möjliggör förverkligandet av flexibla AC-transmissionssystem (FAKTA) element och högspänningslikström (HVDC) planerade arkitekturer mot en integrerad, effektiv, Framtidens Smart Grid. GeneSiCs SiC-baserade tyristorer erbjuder 10 gånger högre spänning, 100X snabbare omkopplingsfrekvenser och högre temperaturdrift i FACTS och HVDC-kraftbehandlingslösningar jämfört med konventionella kiselbaserade tyristorer."

I april 2010, GeneSiC svarade på Agile Delivery of Electrical Power Technology (SKICKLIG) uppmaning från ARPA-E som försökte investera i material för grundläggande framsteg inom högspänningsomkopplare som har potential att hoppa över existerande effektomvandlars prestanda samtidigt som det ger sänkta kostnader. Företagets förslag med titeln "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power conversion" valdes ut för att ge en lättvikts, fast tillstånd, mellanspänningsenergiomvandling för applikationer med hög effekt som solid-state elektriska transformatorstationer och vindkraftsgeneratorer. Att implementera dessa avancerade krafthalvledarteknologier kan ge så mycket som en 25-30 procentuell minskning av elförbrukningen genom ökad effektivitet vid leverans av elkraft. Innovationer som valdes var att stödja och marknadsföra U.S. företag genom tekniskt ledarskap, genom en mycket konkurrensutsatt process.

Kiselkarbid är ett nästa generations halvledarmaterial med mycket överlägsna egenskaper jämfört med konventionellt kisel, såsom förmågan att hantera tio gånger spänningen – och hundra gånger strömmen – vid temperaturer så höga som 300ºC. Dessa egenskaper gör den idealisk för högeffektapplikationer som hybrid- och elfordon, förnybar energi (vind och sol) installationer, och styrsystem för elnät.

Det är nu väl etablerat att ultrahög spänning (>10kV) Kiselkarbid (Sic) enhetsteknologi kommer att spela en revolutionerande roll i nästa generations elnät. Tyristorbaserade SiC-enheter erbjuder högsta prestanda i tillståndet >5 kV-enheter, och är allmänt tillämpliga på medelspänningseffektomvandlingskretsar som felströmsbegränsare, AC-DC omvandlare, Statiska VAR-kompensatorer och seriekompensatorer. SiC-baserade tyristorer erbjuder också den bästa chansen till tidig adoption på grund av deras likheter med konventionella elnätselement. Andra lovande tillämpningar och fördelar för dessa enheter inkluderar:

  • Effektstyrning och energikonditioneringssystem för mellanspänningslikströmsomvandling sökt under Future Naval Capability (FNC) av US Navy, Elektromagnetiska uppskjutningssystem, högenergivapensystem och medicinsk bildbehandling. Den 10-100X högre driftsfrekvensen möjliggör oöverträffade förbättringar i storlek, vikt, volym och slutligen, kostnaden för sådana system.
  • En mängd olika energilagring, högtemperatur- och högenergifysikapplikationer. Energilagring och kraftnätsapplikationer får allt större uppmärksamhet när världen fokuserar på mer effektiva och kostnadseffektiva energihanteringslösningar.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning.

“Vi har vuxit fram som ledande inom ultrahögspännings-SiC-teknik genom att utnyttja vår kärnkompetens inom enhets- och processdesign med en omfattande serie tillverkning, karakterisering, och testanläggningar,” avslutar Dr. Singh. "GeneSiC:s position har nu effektivt validerats av US DOE med denna betydande uppföljningspris."

Om GeneSiC Semiconductor

Strategiskt beläget nära Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter. Pågående utvecklingsprojekt inkluderar högtemperaturlikriktare, SuperJunction-transistorer (Inc) och ett brett utbud av Thyristor-baserade enheter. GeneSiC har eller har haft huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive energidepartementet, Marin, Armé, DARPA, och Department of Homeland Security. Företaget upplever för närvarande en betydande tillväxt, och anställa kvalificerad personal inom design av kraftenheter och detektorer, tillverkning, och testning. För att få reda på mer, besökwww.genesicsemi.com.