Publicerat den

G3R ™ 750V SiC MOSFET erbjuder oöverträffad prestanda och tillförlitlighet

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, Juni 04, 2021 — GeneSiCs nästa generations 750V G3R ™ SiC MOSFETs kommer att leverera enastående prestanda, robusthet och kvalitet som överstiger dess motsvarigheter. Systemfördelarna inkluderar låga fall på plats vid driftstemperaturer, snabbare växlingshastigheter, ökad effekttäthet, minimal ringning (låg EMI) och kompakt systemstorlek. GeneSiCs G3R ™, erbjuds i optimerade diskreta paket med låg induktans (SMD och genomgående hål), är optimerade för att fungera med lägsta effektförluster under alla driftsförhållanden och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med samtida SiC MOSFET.

750V G3R SiC MOSFET

”Högeffektiv energianvändning har blivit en kritisk leverans i nästa generations kraftomvandlare och SiC-kraftenheter är fortfarande de viktigaste komponenterna som driver denna revolution. Efter år av utvecklingsarbete för att uppnå det lägsta motståndet i staten och robust kortslutnings- och lavinprestanda, vi är glada att kunna släppa branschens bäst prestanda 750V SiC MOSFET. Våra G3R ™ gör det möjligt för kraftelektronikdesigners att möta den utmanande effektiviteten, effektdensitet och kvalitetsmål i applikationer som solomvandlare, EV-inbyggda laddare och server- / telekomströmförsörjning. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning och bilkvalificerad högvolymtillverkning förbättrar deras värdeproposition ytterligare. ” sa Dr. Ranbir Singh, President på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Branschens lägsta portavgift (FG) och inre grindmotstånd (RG(INT))
  • Lägsta RDS(PÅ) förändras med temperaturen
  • Låg uteffekt (CUSA) och mjukare kapacitans (CGD)
  • 100% lavin (UIL) testas under produktionen
  • Branschledande kortslutningsmotstånd
  • Snabb och pålitlig karossdiod med låg VF och låg QRR
  • Hög och stabil grindtröskelspänning (VTH) över alla temperatur- och dräneringsförspänningsförhållanden
  • Avancerad förpackningsteknik för lägre värmebeständighet och lägre ringning
  • Tillverkningsuniformitet av RDS(PÅ), VTH och nedbrytningsspänning (BV)
  • Omfattande produktportfölj och säkrare leveranskedja med bilkvalificerad högvolymtillverkning

Ansökningar –

  • Sol (PV) Omvandlare
  • EV / HEV-laddare
  • Server & Telekom nätaggregat
  • Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
  • DC-DC-omvandlare
  • Strömförsörjning med omkopplat läge (SMPS)
  • Energilagring och batteriladdning
  • Induktionsuppvärmning

Alla GeneSiC Semiconductors SiC MOSFETs är riktade för fordonsapplikationer (AEC-q101) och PPAP-kapabla.

G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handla SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handla SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handla SiC MOSFET

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ eller kontakta sales@genesicsemi.com

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiC: s nya tredje generationens SiC MOSFET med branschens bästa resultat

DULLES, VA, februari 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors nästa generations 1200V G3R ™ SiC MOSFET med RDS(PÅ) nivåer från 20 mΩ till 350 mΩ levererar oöverträffade nivåer av prestanda, robusthet och kvalitet som överstiger dess motsvarigheter. Systemfördelarna inkluderar högre effektivitet, snabbare omkopplingsfrekvens, ökad effekttäthet, minskad ringning (EMI) och kompakt systemstorlek.

GeneSiC tillkännager tillgängligheten av sina branschledande 3: e generationens kiselkarbid MOSFET som har branschledande prestanda, robusthet och kvalitet att utnyttja aldrig tidigare sett nivåer av effektivitet och systemtillförlitlighet i fordons- och industriapplikationer.

Dessa G3R ™ SiC MOSFET, erbjuds i optimerade diskreta paket med låg induktans (SMD och genomgående hål), är mycket optimerade för kraftsystemkonstruktioner som kräver förhöjda effektivitetsnivåer och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med konkurrerande produkter. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning med hög volymtillverkning förbättrar deras värdeproposition ytterligare.

”Efter år av utvecklingsarbete för att uppnå det lägsta motståndet i staten och förbättrad kortslutningsprestanda, Vi är glada att kunna släppa branschens bäst presterande 1200V SiC MOSFET med över 15+ diskreta och nakna chipprodukter. Om nästa generations kraftelektroniksystem ska möta den utmanande effektiviteten, effektdensitet och kvalitetsmål i applikationer som bil, industriell, förnybar energi, transport, IT och telekom, då kräver de avsevärt förbättrad enhetsprestanda och tillförlitlighet jämfört med nuvarande SiC MOSFET” sa Dr. Ranbir Singh, President på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Superior QG x RDS(PÅ) förtjänst – G3R ™ SiC MOSFETs har branschens lägsta motstånd med en mycket låg portladdning, vilket leder till 20% bättre meriter än någon annan liknande konkurrent
  • Låga ledningsförluster vid alla temperaturer – GeneSiCs MOSFETs har det mjukaste temperaturberoendet av on-state motstånd för att erbjuda mycket låga ledningsförluster vid alla temperaturer; betydligt bättre än någon annan dike och plana SiC MOSFET på marknaden
  • 100 % lavin testad – Robust UIL-kapacitet är ett kritiskt krav för majoriteten av fältapplikationer. GeneSiC: s 1200V SiC MOSFET diskreta är 100 % lavin (UIL) testas under produktionen
  • Låg grindladdning och lågt motstånd mot inre grindar – Dessa parametrar är kritiska för att realisera ultrasnabb växling och uppnå högsta effektivitet (låg Eon -Eoff) över ett brett spektrum av applikationsomkopplingsfrekvenser
  • Normalt avstängd stabil drift upp till 175 ° C – Alla GeneSiCs SiC MOSFETs är designade och tillverkade med toppmoderna processer för att leverera produkter som är stabila och tillförlitliga under alla driftsförhållanden utan risk för funktionsfel. Den överlägsna grindoxidkvaliteten hos dessa enheter förhindrar tröskelvärden (VTH) drift
  • Låga enhetskapacitanser – G3R ™ är utformade för att köra snabbare och effektivare med sina låga kapaciteter - Ciss, Coss och Crss
  • Snabb och pålitlig kroppsdiod med låg egen laddning – GeneSiCs MOSFETs har en jämförbar låg omvänd återvinningsavgift (FRR) vid alla temperaturer; 30% bättre än någon liknande klassad konkurrent. Detta ger ytterligare minskning av effektförluster och ökar driftsfrekvensen
  • Enkel användning – G3R ™ SiC MOSFETs är konstruerade för att köras vid + 15V / -5V gate drive. Detta erbjuder bredaste kompatibilitet med befintliga kommersiella IGBT- och SiC MOSFET-drivrutiner

Ansökningar –

  • Elektriskt fordon – Drivlina och laddning
  • Solinverter och energilagring
  • Industrial Motor Drive
  • Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
  • Switchat läge Strömförsörjning (SMPS)
  • Dubbelriktad DC-DC-omvandlare
  • Smart Grid och HVDC
  • Induktionsuppvärmning och svetsning
  • Pulsad kraftapplikation

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakta sales@genesicsemi.com

Alla GeneSiC Semiconductors SiC MOSFETs är riktade för fordonsapplikationer (AEC-q101) och PPAP-kapabla. Alla enheter erbjuds i industristandard D2PAK, TO-247 och SOT-227 paket.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiCs 3300V och 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs revolutionerar miniatyriseringen av extra strömförsörjningar

DULLES, VA, december 4, 2020 — GeneSiC tillkännager tillgänglighet av branschledande 3300V och 1700V diskreta SiC MOSFET som är optimerade för att uppnå enastående miniatyrisering, tillförlitlighet och energibesparingar i industriell hushållningskraft.

GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av en omfattande portfölj av kiselkarbid (Sic) halvledare, tillkännager idag omedelbar tillgänglighet av nästa generations 3300V och 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, och G2R1000MT33J. Dessa SiC MOSFET möjliggör överlägsna prestandanivåer, baserat på flaggskeppssiffror av meriter (FoM) som förbättrar och förenklar kraftsystem över energilagring, förnybar energi, industriella motorer, allmänna växelriktare och industriell belysning. Produkter som släpps är:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC: s nya 3300V och 1700V SiC MOSFET, finns i 1000mΩ och 450mΩ alternativ som SMD och genomgående hål diskreta paket, är mycket optimerade för kraftsystemkonstruktioner som kräver förhöjda effektivitetsnivåer och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med konkurrerande produkter. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning av högvolymtillverkning ytterligare förbättrar deras värdeproposition.

”I applikationer som 1500V solcellsomvandlare, MOSFET i hjälpströmförsörjning kan behöva motstå spänningar i området 2500V, beroende på ingångsspänningen, varvtalet mellan transformatorn och utspänningen. Höga nedbrytningsspänningar MOSFETs undanröjer behovet av seriekopplade omkopplare i Flyback, Boost och framåt omvandlare därigenom minska antalet delar och minska kretsens komplexitet. GeneSiC: s 3300V och 1700V diskreta SiC MOSFETs gör det möjligt för konstruktörerna att använda enklare single switch-baserad topologi och samtidigt ge kunderna pålitlig, kompakt och kostnadseffektivt system” sa Sumit Jadav, Senior Applications Manager på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Överlägset pris / prestandaindex
  • Flaggskepp QG x RDS(PÅ) förtjänst
  • Låg inneboende kapacitans och låg grindladdning
  • Låga förluster vid alla temperaturer
  • Hög lavin och kortslutningsegenskaper
  • Benchmark tröskelspänning för normalt avstängd drift upp till 175 ° C

Ansökningar –

  • Förnybar energi (solomvandlare) och energilagring
  • Industriella motorer (och bindning)
  • Växelriktare för allmänt ändamål
  • Industriell belysning
  • Piezo-förare
  • Jonstrålgeneratorer

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakta sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiCs branschledande 6,5 kV SiC MOSFET – Vanguard för en ny våg av applikationer

6.5kV SiC MOSFET

DULLES, VA, Oktober 20, 2020 — GeneSiC släpper 6,5 kV MOSFET-kiselkarbid för att ligga i framkant när det gäller prestanda utan motstycke, effektivitet och tillförlitlighet i medelspänningseffektkonverteringstillämpningar såsom dragkraft, pulsad kraft och infrastruktur för smarta nät.

GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) halvledare, tillkännager idag omedelbar tillgänglighet av 6,5 kV SiC MOSFET nakna marker - G2R300MT65-CAL och G2R325MS65-CAL. Hela SiC-moduler som använder denna teknik kommer snart att släppas. Applikationer förväntas inkludera dragkraft, pulserande kraft, infrastruktur för smarta nät och andra kraftomvandlare med mellanspänning.

G2R300MT65-CAL - 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (med Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

GeneSiCs innovation har en SiC dubbelimplanterad metalloxid halvledare (DMOSFET) enhetsstruktur med en korsningsbarriärschottky (JBS) likriktare integrerad i SiC DMOSFET-enhetscellen. Denna ledande kraftenhet kan användas i en mängd olika strömomvandlingskretsar i nästa generation av kraftomvandlingssystem. Andra viktiga fördelar inkluderar effektivare dubbelriktad prestanda, temperaturoberoende omkoppling, låga kopplings- och ledningsförluster, minskade kylbehov, överlägsen långsiktig tillförlitlighet, enkel parallellanordning och kostnadsfördelar. GeneSiCs teknik erbjuder överlägsen prestanda och har också potential att minska SiC-materialets fotavtryck i kraftomvandlare.

“GeneSiCs 6,5 kV SiC MOSFETs är designade och tillverkade på 6-tums skivor för att uppnå lågt motstånd mot tillståndet, högsta kvalitet, och överlägset pris / prestandaindex. Nästa generations MOSFET-teknik lovar exemplarisk prestanda, överlägsen robusthet och långsiktig tillförlitlighet i applikationer för kraftkonvertering med mellanspänning.” sa Gå till Kontakt. Siddarth Sundaresan, VP of Technology på GeneSiC Semiconductor.

GeneSiCs 6,5 kV G2R ™ SiC MOSFET-teknikfunktioner –

  • Hög lavin (UIS) och kortslutningsegenskaper
  • Superior QG x RDS(PÅ) förtjänst
  • Temperaturoberoende kopplingsförluster
  • Låga kapaciteter och låg grindladdning
  • Låga förluster vid alla temperaturer
  • Normalt avstängd stabil drift upp till 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip eller kontakta sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiC vinner prestigefyllda R&D100-pris för SiC-baserad monolitisk transistor-likriktaromkopplare

DULLES, VA, december 5, 2019 — R&D Magazine har valt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottagare av det prestigefyllda 2019 R&D 100 Pris för utveckling av SiC-baserad monolitisk transistor-likriktaromkopplare.

GeneSiC Semiconductor Inc., en viktig innovatör inom Silicon Carbide-baserade kraftenheter hedrade med tillkännagivandet att den har tilldelats det prestigefyllda 2019 R&D 100 Tilldela. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC för att introducera en av de mest betydelsefulla, nyligen introducerade forsknings - och utvecklingsframsteg bland flera discipliner under 2018. R&D Magazine kände igen GeneSiCs mellanspänning SiC-kraftenhetsteknik för sin förmåga att monolitiskt integrera MOSFET och Schottky-likriktare på ett enda chip. Dessa funktioner som uppnås med GeneSiCs enhet gör det möjligt för forskare inom kraftelektronik att utveckla nästa generations kraftelektroniska system som växelriktare och DC-DC-omvandlare. Detta möjliggör produktutveckling inom elfordon, laddningsinfrastruktur, förnybar energi och energilagring. GeneSiC har bokat order från flera kunder mot demonstration av avancerad kraftelektronikhårdvara med hjälp av dessa enheter och fortsätter att utveckla sin familj av Silicon Carbide MOSFET-produkter. R&D på tidig version för applikationer för kraftkonvertering utvecklades genom US Dept. av energi och samarbete med Sandia National Laboratories.

Den årliga tekniktävlingen som drivs av R&D Magazine utvärderade bidrag från olika företag och branschaktörer, forskningsorganisationer och universitet runt om i världen. Tidningens redaktörer och en panel av externa experter fungerade som domare, utvärdera varje post i termer av dess betydelse för vetenskap och forskning.

Enligt R&D Magazine, vinner en R&D 100 Priset ger ett kvalitetsmärke som industrin känner till, regering, och akademin som bevis på att produkten är en av årets mest innovativa idéer. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC som en global ledare inom skapandet av teknologibaserade produkter som gör skillnad i hur vi arbetar och lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.