Publicerat den

G3R ™ 750V SiC MOSFET erbjuder oöverträffad prestanda och tillförlitlighet

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, Juni 04, 2021 — GeneSiCs nästa generations 750V G3R ™ SiC MOSFETs kommer att leverera enastående prestanda, robusthet och kvalitet som överstiger dess motsvarigheter. Systemfördelarna inkluderar låga fall på plats vid driftstemperaturer, snabbare växlingshastigheter, ökad effekttäthet, minimal ringning (låg EMI) och kompakt systemstorlek. GeneSiCs G3R ™, erbjuds i optimerade diskreta paket med låg induktans (SMD och genomgående hål), är optimerade för att fungera med lägsta effektförluster under alla driftsförhållanden och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med samtida SiC MOSFET.

750V G3R SiC MOSFET

”Högeffektiv energianvändning har blivit en kritisk leverans i nästa generations kraftomvandlare och SiC-kraftenheter är fortfarande de viktigaste komponenterna som driver denna revolution. Efter år av utvecklingsarbete för att uppnå det lägsta motståndet i staten och robust kortslutnings- och lavinprestanda, vi är glada att kunna släppa branschens bäst prestanda 750V SiC MOSFET. Våra G3R ™ gör det möjligt för kraftelektronikdesigners att möta den utmanande effektiviteten, effektdensitet och kvalitetsmål i applikationer som solomvandlare, EV-inbyggda laddare och server- / telekomströmförsörjning. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning och bilkvalificerad högvolymtillverkning förbättrar deras värdeproposition ytterligare. ” sa Dr. Ranbir Singh, President på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Branschens lägsta portavgift (FG) och inre grindmotstånd (RG(INT))
  • Lägsta RDS(PÅ) förändras med temperaturen
  • Låg uteffekt (CUSA) och mjukare kapacitans (CGD)
  • 100% lavin (UIL) testas under produktionen
  • Branschledande kortslutningsmotstånd
  • Snabb och pålitlig karossdiod med låg VF och låg QRR
  • Hög och stabil grindtröskelspänning (VTH) över alla temperatur- och dräneringsförspänningsförhållanden
  • Avancerad förpackningsteknik för lägre värmebeständighet och lägre ringning
  • Tillverkningsuniformitet av RDS(PÅ), VTH och nedbrytningsspänning (BV)
  • Omfattande produktportfölj och säkrare leveranskedja med bilkvalificerad högvolymtillverkning

Ansökningar –

  • Sol (PV) Omvandlare
  • EV / HEV-laddare
  • Server & Telekom nätaggregat
  • Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
  • DC-DC-omvandlare
  • Strömförsörjning med omkopplat läge (SMPS)
  • Energilagring och batteriladdning
  • Induktionsuppvärmning

Alla GeneSiC Semiconductors SiC MOSFETs är riktade för fordonsapplikationer (AEC-q101) och PPAP-kapabla.

G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handla SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handla SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handla SiC MOSFET

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ eller kontakta sales@genesicsemi.com

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

5generationens 650V SiC Schottky MPS ™ -dioder för bästa effektivitet i klassen

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULLES, VA, Maj 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av kiselkarbid (Sic) krafthalvledarenheter, tillkännager tillgängligheten av 5:e generationen (GE***-serien) SiC Schottky MPS™-likriktare som sätter upp ett nytt riktmärke med sitt överlägsna pris-prestandaindex, branschledande överspänningsström och lavinstabilitet, och högkvalitativ tillverkning.

"GeneSiC var en av de första SiC-tillverkarna som kommersiellt levererade SiC Schottky-likriktare i 2011. Efter mer än ett decennium av att leverera högpresterande och högkvalitativa SiC-likriktare i branschen, vi är glada över att släppa vår 5:e generation av SiC Schottky MPS™ (Merged-PiN-Schottky) dioder som erbjuder branschledande prestanda i alla aspekter för att uppfylla målen för hög effektivitet och effekttäthet i applikationer som server-/telekomströmförsörjning och batteriladdare. Den revolutionerande egenskapen som gör vår 5:e generation (GE***-serien) SiC Schottky MPS™-dioder sticker ut bland sina kamrater är den låga inbyggda spänningen (även känd som knäspänning);det möjliggör lägsta diodledningsförluster vid alla belastningsförhållanden – avgörande för applikationer som kräver högeffektiv energianvändning. I motsats till andra konkurrerande SiC-dioder också utformade för att erbjuda lågknäegenskaper, en ytterligare egenskap hos våra Gen5-dioddesigner är att de fortfarande håller den höga lavinnivån (UIL) robusthet som våra kunder har förväntat sig av GeneSiC:s Gen3 (GC***-serien) och Gen4 (GD***-serien) SiC Schottky MPS ™” sa Dr. Siddarth Sundaresan, Vice President of Technology på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Låg inbyggd spänning – Lägsta ledningsförluster för alla belastningsförhållanden
  • Överlägsen förtjänstgestalt – QC x VF
  • Optimal prisprestanda
  • Förbättrad strömstyrka
  • 100% Lavin (UIL) Testad
  • Lågt termiskt motstånd för kyldrift
  • Noll återställning framåt och bakåt
  • Temperaturoberoende snabbväxling
  • Positiv temperaturkoefficient för VF

Ansökningar –

  • Boost Diode i Power Factor Correction (PFC)
  • Strömförsörjning för server och telekom
  • Solar växelriktare
  • Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
  • Batteriladdare
  • Frihjuling / Antiparallell diod i växelriktare

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ eller kontakta sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiC: s nya tredje generationens SiC MOSFET med branschens bästa resultat

DULLES, VA, februari 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors nästa generations 1200V G3R ™ SiC MOSFET med RDS(PÅ) nivåer från 20 mΩ till 350 mΩ levererar oöverträffade nivåer av prestanda, robusthet och kvalitet som överstiger dess motsvarigheter. Systemfördelarna inkluderar högre effektivitet, snabbare omkopplingsfrekvens, ökad effekttäthet, minskad ringning (EMI) och kompakt systemstorlek.

GeneSiC tillkännager tillgängligheten av sina branschledande 3: e generationens kiselkarbid MOSFET som har branschledande prestanda, robusthet och kvalitet att utnyttja aldrig tidigare sett nivåer av effektivitet och systemtillförlitlighet i fordons- och industriapplikationer.

Dessa G3R ™ SiC MOSFET, erbjuds i optimerade diskreta paket med låg induktans (SMD och genomgående hål), är mycket optimerade för kraftsystemkonstruktioner som kräver förhöjda effektivitetsnivåer och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med konkurrerande produkter. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning med hög volymtillverkning förbättrar deras värdeproposition ytterligare.

”Efter år av utvecklingsarbete för att uppnå det lägsta motståndet i staten och förbättrad kortslutningsprestanda, Vi är glada att kunna släppa branschens bäst presterande 1200V SiC MOSFET med över 15+ diskreta och nakna chipprodukter. Om nästa generations kraftelektroniksystem ska möta den utmanande effektiviteten, effektdensitet och kvalitetsmål i applikationer som bil, industriell, förnybar energi, transport, IT och telekom, då kräver de avsevärt förbättrad enhetsprestanda och tillförlitlighet jämfört med nuvarande SiC MOSFET” sa Dr. Ranbir Singh, President på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Superior QG x RDS(PÅ) förtjänst – G3R ™ SiC MOSFETs har branschens lägsta motstånd med en mycket låg portladdning, vilket leder till 20% bättre meriter än någon annan liknande konkurrent
  • Låga ledningsförluster vid alla temperaturer – GeneSiCs MOSFETs har det mjukaste temperaturberoendet av on-state motstånd för att erbjuda mycket låga ledningsförluster vid alla temperaturer; betydligt bättre än någon annan dike och plana SiC MOSFET på marknaden
  • 100 % lavin testad – Robust UIL-kapacitet är ett kritiskt krav för majoriteten av fältapplikationer. GeneSiC: s 1200V SiC MOSFET diskreta är 100 % lavin (UIL) testas under produktionen
  • Låg grindladdning och lågt motstånd mot inre grindar – Dessa parametrar är kritiska för att realisera ultrasnabb växling och uppnå högsta effektivitet (låg Eon -Eoff) över ett brett spektrum av applikationsomkopplingsfrekvenser
  • Normalt avstängd stabil drift upp till 175 ° C – Alla GeneSiCs SiC MOSFETs är designade och tillverkade med toppmoderna processer för att leverera produkter som är stabila och tillförlitliga under alla driftsförhållanden utan risk för funktionsfel. Den överlägsna grindoxidkvaliteten hos dessa enheter förhindrar tröskelvärden (VTH) drift
  • Låga enhetskapacitanser – G3R ™ är utformade för att köra snabbare och effektivare med sina låga kapaciteter - Ciss, Coss och Crss
  • Snabb och pålitlig kroppsdiod med låg egen laddning – GeneSiCs MOSFETs har en jämförbar låg omvänd återvinningsavgift (FRR) vid alla temperaturer; 30% bättre än någon liknande klassad konkurrent. Detta ger ytterligare minskning av effektförluster och ökar driftsfrekvensen
  • Enkel användning – G3R ™ SiC MOSFETs är konstruerade för att köras vid + 15V / -5V gate drive. Detta erbjuder bredaste kompatibilitet med befintliga kommersiella IGBT- och SiC MOSFET-drivrutiner

Ansökningar –

  • Elektriskt fordon – Drivlina och laddning
  • Solinverter och energilagring
  • Industrial Motor Drive
  • Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
  • Switchat läge Strömförsörjning (SMPS)
  • Dubbelriktad DC-DC-omvandlare
  • Smart Grid och HVDC
  • Induktionsuppvärmning och svetsning
  • Pulsad kraftapplikation

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakta sales@genesicsemi.com

Alla GeneSiC Semiconductors SiC MOSFETs är riktade för fordonsapplikationer (AEC-q101) och PPAP-kapabla. Alla enheter erbjuds i industristandard D2PAK, TO-247 och SOT-227 paket.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.