DULLES, VA, Juni 04, 2021 — GeneSiCs nästa generations 750V G3R ™ SiC MOSFETs kommer att leverera enastående prestanda, robusthet och kvalitet som överstiger dess motsvarigheter. Systemfördelarna inkluderar låga fall på plats vid driftstemperaturer, snabbare växlingshastigheter, ökad effekttäthet, minimal ringning (låg EMI) och kompakt systemstorlek. GeneSiCs G3R ™, erbjuds i optimerade diskreta paket med låg induktans (SMD och genomgående hål), är optimerade för att fungera med lägsta effektförluster under alla driftsförhållanden och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med samtida SiC MOSFET.
”Högeffektiv energianvändning har blivit en kritisk leverans i nästa generations kraftomvandlare och SiC-kraftenheter är fortfarande de viktigaste komponenterna som driver denna revolution. Efter år av utvecklingsarbete för att uppnå det lägsta motståndet i staten och robust kortslutnings- och lavinprestanda, vi är glada att kunna släppa branschens bäst prestanda 750V SiC MOSFET. Våra G3R ™ gör det möjligt för kraftelektronikdesigners att möta den utmanande effektiviteten, effektdensitet och kvalitetsmål i applikationer som solomvandlare, EV-inbyggda laddare och server- / telekomströmförsörjning. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning och bilkvalificerad högvolymtillverkning förbättrar deras värdeproposition ytterligare. ” sa Dr. Ranbir Singh, President på GeneSiC Semiconductor.
Funktioner –
- Branschens lägsta portavgift (FG) och inre grindmotstånd (RG(INT))
- Lägsta RDS(PÅ) förändras med temperaturen
- Låg uteffekt (CUSA) och mjukare kapacitans (CGD)
- 100% lavin (UIL) testas under produktionen
- Branschledande kortslutningsmotstånd
- Snabb och pålitlig karossdiod med låg VF och låg QRR
- Hög och stabil grindtröskelspänning (VTH) över alla temperatur- och dräneringsförspänningsförhållanden
- Avancerad förpackningsteknik för lägre värmebeständighet och lägre ringning
- Tillverkningsuniformitet av RDS(PÅ), VTH och nedbrytningsspänning (BV)
- Omfattande produktportfölj och säkrare leveranskedja med bilkvalificerad högvolymtillverkning
Ansökningar –
- Sol (PV) Omvandlare
- EV / HEV-laddare
- Server & Telekom nätaggregat
- Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
- DC-DC-omvandlare
- Strömförsörjning med omkopplat läge (SMPS)
- Energilagring och batteriladdning
- Induktionsuppvärmning
Alla GeneSiC Semiconductors SiC MOSFETs är riktade för fordonsapplikationer (AEC-q101) och PPAP-kapabla.
G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handla SiC MOSFET
G3R60MT07K - 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handla SiC MOSFET
G3R60MT07D - 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handla SiC MOSFET
För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ eller kontakta sales@genesicsemi.com
Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.
