Silicon Carbide Schottky Likriktare utökas till 3300 Voltvärden

Högspänningsaggregat för att dra nytta av dessa likriktare med låg kapacitans som erbjuder temperaturoberoende nollåtervinningsströmmar i isolerade paket

Thief River Falls/Dulles, Virginia., Maj 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager den omedelbara tillgängligheten av 3300 V/0,3 Ampere SiC Schottky Likriktare – GAP3SLT33-220FP. Denna unika produkt representerar den högsta spänningen SiC-likriktaren på marknaden, och är specifikt inriktat på spänningsmultiplikatorkretsar och högspänningsaggregat som används i ett brett spektrum av röntgenstrålar, Strömförsörjning för laser och partikelgenerator.3300 V SiC Schottky-diod GeneSiC

Samtida spänningsmultiplikatorkretsar lider av låg kretseffektivitet och stora storlekar eftersom de omvända återvinningsströmmarna från kisellikriktare laddar ur de parallellkopplade kondensatorerna. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation blir värre eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, korsningstemperaturer stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passeras. Högspännings-SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera högspänningsaggregaten. GeneSiC 3300 V/0.3 A Schottky-likriktare har noll omvänd återvinningsström som inte ändras med temperaturen. Denna relativt höga spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska switchegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanserande nätverk och snubberkretsar. TO-220 Full Pack övergjutna isolerade paket har industristandard formfaktor med ökat stiftavstånd i genomgående hålenheter.3300 V SiC Schottky-diod SMB GeneSiC

"Detta produkterbjudande kommer från år av ihållande ansträngningar på GeneSiC. Vi tror att 3300 V-betyget är en viktig differentiator för marknaden för högspänningsgeneratorer, och kommer att ge betydande fördelar för våra kunder. högtemperaturapplikationer, SiC Schottky-likriktare med låg kapacitans möjliggör denna banbrytande produkt” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

3300 V/0.3 A SiC Likriktare Tekniska höjdpunkter

  • högtemperaturapplikationer 1.7 högtemperaturapplikationer 0.3 EN
  • högtemperaturapplikationer
  • Tjmax = 175oC
  • Kapacitiv laddning 52 nC (högtemperaturapplikationer).

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i Halogen-Free, RoHS-kompatibel industristandard TO-220FP (Fullt paket) paket. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiCs auktoriserade distributör, Digikey.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom produkter av kisellikriktare. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ner oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har fått många forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som större regeringsentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, vänligen besök www.genesicsemi.com