Högspänningskretsar och sammansättningar för att dra nytta av SiC-chips som erbjuder oöverträffade spänningsklasser och ultrahöghastighetsomkoppling
Dulles, Virginia., nov 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager den omedelbara tillgängligheten av 8000 V SiC PiN-likriktare; 8000 V SiC Schottky-likriktare, 3300 V SiC Schottky Likriktare och 6500 V SiC tyristorer i blankt formformat. Dessa unika produkter representerar de SiC-enheter med högsta spänning på marknaden, och är specifikt inriktat på olje- och gasinstrumentering, spänningsmultiplikatorkretsar och högspänningsaggregat.
Samtida ultrahögspänningskretsar lider av låg kretseffektivitet och stora storlekar eftersom de omvända återvinningsströmmarna från silikonlikriktare laddar ur de parallellkopplade kondensatorerna. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation förvärras ytterligare eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, korsningstemperaturer stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passeras. Högspännings-SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera högspänningsaggregaten. GeneSiC 8000 V och 3300 V Schottky-likriktare har noll omvänd återvinningsström som inte ändras med temperaturen. Denna relativt höga spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska switchegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanserande nätverk och snubberkretsar. 8000 V PiN-likriktare erbjuder högre strömnivåer och högre driftstemperaturer. 6500 V SiC Thyristor-chips finns också tillgängliga för att accelerera R&D av nya system.
"Dessa produkter visar upp GeneSiC:s starka ledning i utvecklingen av SiC-chips i multi-kV-klassificeringarna. Vi tror att 8000 V-betyget går utöver vad Silicon-enheter kan erbjuda vid nominella temperaturer, och kommer att ge betydande fördelar för våra kunder. högtemperaturapplikationer, SiC-likriktare och tyristorer med låg kapacitans kommer att möjliggöra fördelar på systemnivå som inte tidigare varit möjliga” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Tekniska höjdpunkter
- Tjmax = 210oC
- Omvända läckströmmar < 50 uA kl 175oC
- Omvänd återställningsavgift 558 nC (högtemperaturapplikationer).
8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Tekniska höjdpunkter
- Total kapacitans 25 pF (högtemperaturapplikationer, på -1 V, 25oC).
- högtemperaturapplikationer
- Tjmax = 175oC
6500 V SiC Thyristor Bare Die Tekniska höjdpunkter
- Tre erbjudanden - 80 ampere (GA080TH65-CAU); 60 ampere (GA060TH65-STÄNGD); och 40 ampere (GA040TH65-CAU)
- Tjmax = 200oC
3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Tekniska höjdpunkter
- högtemperaturapplikationer 1.7 högtemperaturapplikationer 0.3 EN
- högtemperaturapplikationer
- Tjmax = 175oC
- Kapacitiv laddning 52 nC (högtemperaturapplikationer).
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom produkter av kisellikriktare. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ner oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har fått många forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som större regeringsentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.
För mer information, besök https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie
