GeneSiC trivs med att leverera den bästa kunddrivna designen som möjligt genom att förse SiC-kraftenheter med överlägset kostnads-prestandaindex, hög robusthet och hög kvalitet.
Ansökningar inkluderar:
- Boost Diode i Power Factor Correction (PFC)
- Switchat läge Strömförsörjning (SMPS)
- Elektriska fordon – Power Train, DC-DC Converter and On-Board Charging
- Extrem snabbladdningsinfrastruktur
- Solomvandlare och energilagring
- Dragning
- Data Center Power Supplies
- Induktionsuppvärmning och svetsning
- Högspännings DC-DC-omvandlare
- Free-wheeling / Anti-parallel Diode
- LED- och HID-belysning
- Medicinska bildbehandlingssystem
- Down-Hole Oil Drilling Power Converters
- Högspänningsavkänning
- Pulsad kraft
Besök www.genesicsemi.com/applications att lära sig mer!
For high voltage sensing applications like DE-SAT protection and high side switch gate drive bootstrap circuits, the DO-214 and TO-252-2 packages are ideal solutions.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
The TO-247-3 package offers great flexibility for higher power density and BOM reduction in applications like the power factor correction (PFC) inter that share a common cathode between two diodes.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Applikationsanmärkningar:
AN-1 1200 V Schottky-dioder med temperaturvarierande barriärhöjder och idealitetsfaktorer
Okt 2010 AN-1 1200 V Schottky-dioder med temperaturvarierande barriärhöjder och idealitetsfaktorer
AN-2 1200 V SiC JBS-dioder med extremt låg kapacitiv laddning för omvänd återhämtning för applikationer med snabb växling
Okt 2010 AN-2 1200 V SiC JBS-dioder med extremt låg kapacitiv laddning för omvänd återhämtning för applikationer med snabb växling
AN1001 SiC Power Diode Pålitlighet
september, 2018AN1001 SiC Power Diode Pålitlighet
AN1002 Förstå databladet för en SiC Power Schottky-diod
september, 2018AN1002 Förstå databladet för en SiC Power Schottky-diod
AN1003 SPICE-modellinstruktioner
december, 2018AN1003 SPICE-modellinstruktioner
Tekniska artiklar:
Högeffektiv SiC PiN-likriktare
Dec, 2005 Högeffektiv SiC PiN-likriktare
SiC PiN-likriktare med hög effekt
Juni, 2007 SiC PiN-likriktare med hög effekt
Snabb neutrondetektering med halvisolerande detektorer av kiselkarbid
Juni, 2008 Snabb neutrondetektering med halvisolerande detektorer av kiselkarbid
Utveckling av strålningsdetektorer baserat på halvisolerande kiselkarbid
Okt, 2008 Utveckling av strålningsdetektorer baserat på halvisolerande kiselkarbid
Korrelation mellan bärarrekombinationens livslängd och framåt spänningsfall i 4H-SiC PiN-dioder
Sept, 2010 Korrelation mellan bärarrekombinationens livslängd och framåt spänningsfall i 4H-SiC PiN-dioder
