Ladda ner produktväljarguiden
GeneSiCs G3R ™ SiC MOSFETs har branschledande prestanda inom högspänningsväxling till sele som aldrig tidigare sett effektivitetsnivåer, hög temperatur drift och systemets tillförlitlighet.
Funktioner:
- G3R ™ -teknik för +15 V Gate Drive
- Superior QG x RDS(PÅ) Figur av meriter
- Laddning med låg port och kapacitet på enheter
- Förluster med låg ledning vid hög temperatur
- Överlägsen lavin och kortslutnings robusthet
- Normalt avstabil stabil drift upp till 175 ° C
- Snabb och pålitlig kroppsdiod
- Optimerad förpackning med Kelvin Source Connection
Fördelar:
- Överlägset kostnadseffektivitetsindex
- Ökad effekttäthet för kompakt system
- Låg intern RG för hög omkopplingsfrekvens
- Minskade förluster för högre systemeffektivitet
- Minimerad portringning
- Förbättrad termisk kapacitet
- Enkel att köra
- Enkel parallellisering utan termisk utflykt
Ansökningar:
- Elektriska fordon - Drivlina och laddning
- Solomvandlare och energilagring
- Smart Grid och HVDC
- Motordrivna enheter
- Högspännings DC-DC och AC-DC omvandlare
- Induktionsuppvärmning och svetsning
- Strömförsörjning med omkopplat läge
- Pulserande kraftapplikationer
750V SiC MOSFET
| Om motstånd, RDS(PÅ) | Bare Chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 mΩ | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 mΩ | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC MOSFET
| Om motstånd, RDS(PÅ) | Bare Chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 mΩ | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 mΩ | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 mΩ | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 mΩ | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 mΩ | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 mΩ | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC MOSFET
| Om motstånd, RDS(PÅ) | Bare Chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 mΩ | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 mΩ | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 mΩ | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 mΩ | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC MOSFET
| Om motstånd, RDS(PÅ) | Bare Chip | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 mΩ | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 mΩ | G2R120MT33J | ||
| 1000 mΩ | G2R1000MT33J |
6500V SiC MOSFET
| Om motstånd, RDS(PÅ) | Bare Chip |
|---|---|
|
|
| 300 mΩ | G2R300MT65-CAL |
| 325 mΩ | G2R325MS65-CAL |
