DULLES, VA, november 12, 2008 – Det amerikanska energidepartementet har tilldelat GeneSiC Semiconductor två separata anslag på totalt 1,5 miljoner USD för utveckling av högspännings kiselkarbid (Sic) enheter som kommer att fungera som viktiga möjliggörare för vind- och solenergiintegration med landets elnät.
"Dessa utmärkelser visar DOE:s förtroende för GeneSiC:s kapacitet, samt dess engagemang för alternativa energilösningar,” noterar Dr. Ranbir Singh, president för GeneSiC. ”En integrerad, Effektivt elnät är avgörande för landets energiframtid - och SiC-enheterna vi utvecklar är avgörande för att övervinna ineffektiviteten hos konventionell kiselteknologi."
Den första utmärkelsen är ett fas II SBIR-bidrag på $750 000 för utveckling av snabba, ultrahögspänning SiC bipolära enheter. Den andra är ett fas II STTR-anslag på $750 000 för utveckling av optiskt grindade SiC-switchar med hög effekt.
Kiselkarbid är ett nästa generations halvledarmaterial med förmågan att hantera 10x spänningen och 100x strömmen av kisel, vilket gör den idealisk för applikationer med hög effekt som förnybar energi (vind och sol) installationer och styrsystem för elnät.
Specifikt, de två utmärkelserna är för:
- Utveckling av högfrekventa, multikilovolt SiC gate-avstängning (GTO) kraftenheter. Offentliga och kommersiella tillämpningar inkluderar krafthanterings- och konditioneringssystem för fartyg, bruksindustrin, och medicinsk bildbehandling.
- Design och tillverkning av optiskt grindad högspänning, högeffekt SiC-växlingsenheter. Att använda fiberoptik för att byta ström är en idealisk lösning för miljöer som plågas av elektromagnetiska störningar (EMI), och applikationer som kräver ultrahöga spänningar.
SiC-enheterna som GeneSiC utvecklar tjänar en mängd olika energilagringar, Kraftnät, och militära tillämpningar, som får allt större uppmärksamhet när världen fokuserar på mer effektiva och kostnadseffektiva energihanteringslösningar.
Baserad utanför Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter. Pågående utvecklingsprojekt inkluderar högtemperaturlikriktare, fälteffekttransistorer (FET) och bipolära enheter, såväl som partikel & fotoniska detektorer. GeneSiC har huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive energidepartementet, Marin, DARPA, och Department of Homeland Security. Företaget upplever för närvarande en betydande tillväxt, och anställa kvalificerad personal inom design av kraftenheter och detektorer, tillverkning, och testning. För att få reda på mer, besök www.genesicsemi.com.
