Multi-kHz, Ultra-högspänning kiselkarbid tyristorer provades till amerikanska forskare
DULLES, VA, november 1, 2010 –I ett första erbjudande i sitt slag, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power…
GeneSiC vinner 2,53 miljoner USD från ARPA-E för utveckling av kiselkarbidtyristorbaserade enheter
DULLES, VA, september 28, 2010 – Byrån för avancerade forskningsprojekt – Energi (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel…
Förnybar energi Thrust Nets GeneSiC Semiconductor $1,5 miljoner från US Department of Energy
DULLES, VA, november 12, 2008 – Det amerikanska energidepartementet har tilldelat GeneSiC Semiconductor två separata anslag på totalt 1,5 miljoner USD för utveckling av högspännings kiselkarbid (Sic) devices that…
GeneSiC Semiconductor belönades med flera US Department of Energy SBIR och STTR Grants
DULLES, VA, Oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., en snabbt växande innovatör av hög temperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, announced that is has been awarded three separate…