DULLES, VA, november 1, 2010 –I ett första erbjudande i sitt slag, GeneSiC Semiconductor tillkännager tillgången på en familj av 6,5 kV SCR-mode kiselkarbidtyristorer för användning i kraftelektronik för Smart Grid-applikationer. Revolutionerande prestandafördelar med dessa kraftenheter förväntas stimulera nyckelinnovationer inom kraftelektronikhårdvara i nyttoskala för att öka tillgängligheten och utnyttjandet av distribuerade energiresurser (DE). "Tills nu, multi-kV kiselkarbid (Sic) kraftenheter var inte öppet tillgängliga för amerikanska forskare för att fullt ut kunna utnyttja de välkända fördelarna – nämligen 2-10 kHz driftfrekvenser vid 5–15 kV klassificering – med SiC-baserade kraftenheter.” kommenterade Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC. ”GeneSiC har nyligen levererat många 6,5 kV/40A, 6.5kV/60A och 6,5kV/80A tyristorer till flera kunder som bedriver forskning inom förnybar energi, Armé- och sjökraftssystemapplikationer. SiC-enheter med dessa klassificeringar erbjuds nu mer allmänt."
Kiselkarbidbaserade tyristorer erbjuder 10X högre spänning, 100X snabbare omkopplingsfrekvenser och högre temperaturdrift jämfört med konventionella kiselbaserade tyristorer. Möjligheterna till målinriktade applikationsforskning för dessa enheter inkluderar allmänna medelspänningsomvandling (MVDC), Grid-bundna solinverterare, vindkraftsväxelriktare, pulserande kraft, vapensystem, tändningskontroll, och triggkontroll. Det är nu väl etablerat att ultrahög spänning (>10kV) Kiselkarbid (Sic) enhetsteknologi kommer att spela en revolutionerande roll i nästa generations elnät. Tyristorbaserade SiC-enheter erbjuder högsta prestanda i tillståndet >5 kV-enheter, och är allmänt tillämpliga på medelspänningseffektomvandlingskretsar som felströmsbegränsare, AC-DC omvandlare, Statiska VAR-kompensatorer och seriekompensatorer. SiC-baserade tyristorer erbjuder också den bästa chansen till tidig adoption på grund av deras likheter med konventionella elnätselement. Att implementera dessa avancerade krafthalvledarteknologier kan ge så mycket som en 25-30 procentuell minskning av elförbrukningen genom ökad effektivitet vid leverans av elkraft.
Gå till Kontakt. Singh fortsätter "Det förväntas att storskaliga marknader för solid-state elektriska transformatorstationer och vindkraftsgeneratorer kommer att öppnas efter att forskare inom energiomvandlingsarenan kommer att fullt ut inse fördelarna med SiC-tyristorer. Dessa första generationens SiC-tyristorer använder det lägsta påvisade spänningsfallet i tillstånd och differentiella på-motstånd som någonsin uppnåtts i SiC-tyristorer. Vi har för avsikt att släppa framtida generationer av SiC-tyristorer optimerade för portstyrd avstängningsförmåga och >10kV-värden. När vi fortsätter att utveckla förpackningslösningar för hög temperatur och ultrahög spänning, nuvarande 6,5 kV tyristorer är förpackade i moduler med helt lödda kontakter, begränsad till 150oC korsningstemperaturer." GeneSiC är en snabbt växande innovatör inom området SiC kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning.
Beläget nära Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter. Pågående utvecklingsprojekt inkluderar högtemperaturlikriktare, SuperJunction-transistorer (Inc) och ett brett utbud av Thyristor-baserade enheter. GeneSiC har eller har haft huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive energidepartementet, Marin, Armé, DARPA, och Department of Homeland Security. Företaget upplever för närvarande en betydande tillväxt, och anställa kvalificerad personal inom design av kraftenheter och detektorer, tillverkning, och testning. För att få reda på mer, besök www.genesicsemi.com.
