Publicerat den förbi Redaktör 0

Hög temperatur (210 C) SiC Junction Transistors erbjuds i hermetiska paket

Löftet om hög temperatur i SiC-transistorer som realiseras genom kompatibla branschstandardpaket kommer att förbättra kritiska ställdon och strömförsörjning i borrhål och rymd

Dulles, Virginia., Dec 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) kraft halvledare meddelar idag omedelbar tillgänglighet via sina distributörer och direkt en familj hög temperatur förpackad 600 V SiC Junction Transistors (Inc) i 3-50 Förbättrar nuvarande betyg i JEDEC industristandard genomgående hål- och ytmonteringspaket. Innehåller dessa höga temperaturer, låg motståndskraft, högfrekventa SiC-transistorer i hermetiska förpackningar, högtryckssäljare och inkapsling ökar omvandlingseffektiviteten och minskar storleken / vikten / volymen för applikationer för kraftomvandling vid hög temperatur.Hej_Schottky

Samtida hög temperatur strömförsörjning, motorstyrning och ställdonskretsar som används i olja / gas / borrhåls- och rymdtillämpningar lider av brist på tillgänglighet av en lönsam kiselkarbidlösning med hög temperatur. Kiseltransistorer har låg kretseffektivitet och stora storlekar eftersom de lider av höga läckströmmar och låga dåliga kopplingsegenskaper. Båda dessa parametrar förvärras vid högre korsningstemperaturer. Med termiskt begränsade miljöer, korsningstemperaturer stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passeras. Hermetiskt förpackade SiC-transistorer erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera kapaciteten hos borrhåls- och rymdtillämpningar. GeneSiC 650 V / 3-50 A SiC-kopplingstransistorer har omkopplingstider nära noll som inte ändras med temperaturen. De 210oC-korsningstemperaturvärderade enheter erbjuder relativt stora temperaturmarginaler för applikationer som arbetar under extrema miljöer.

Junction Transistors som erbjuds av GeneSiC uppvisar extremt snabb omkopplingsfunktion, ett kvadratiskt, förspänt säkerhetsområde (RBSOA), samt temperaturoberoende övergående energiförluster och omkopplingstider. Dessa omkopplare är gate-oxidfria, normalt avstängd, uppvisa positiv temperaturkoefficient för på-resistans, och kan drivas av kommersiella, allmänt tillgängliga 15 V IGBT-drivrutiner, till skillnad från andra SiC-switchar. Samtidigt som de erbjuder kompatibilitet med SiC JFET-drivrutiner, SiC Junction Transistors kan enkelt parallelliseras på grund av deras överensstämmande övergående egenskaper.

“I takt med att hål- och rymdapplikationsdesigners fortsätter att driva gränserna för frekvens, samtidigt som det kräver hög kretseffektivitet, de behöver SiC-omkopplare som kan erbjuda en standard för prestanda, tillförlitlighet och enhetlighet i produktionen. Utnyttja de unika innovationerna för apparater och tillverkning, GeneSiCs SJT-produkter hjälper designers att uppnå allt detta i en mer robust lösning. Dessa produkter kompletterar den hermetiska förpackade SiC-likriktaren som släpptes förra året av GeneSiC, och de nakna matriserna som släpptes tidigare i år, samtidigt som vi banar väg för oss att erbjuda hög temperatur, låg induktans, kraftmoduler inom en snar framtid ” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

Isolerad TO-257 med 600 I SJT:

  • 65 mOhms / 20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7637-GA); och 425 mOhms / 4 Amp (2N7635-GA)
  • Tjmax = 210oC
  • Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <50 typiska nanosekunder.
  • Motsvarande Bare Die GA20JT06-CAL (i 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (i 2N7637-GA); och GA05JT06-CAL (i 2N7635-GA)

Icke-isolerad TO-258 prototyppaket med 600 SJT

  • 25 mOhms / 50 Amp (GA50JT06-258 prototyppaket)
  • Tjmax = 210oC
  • Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <50 typiska nanosekunder.
  • Motsvarande berör matris GA50JT06-CAL (i GA50JT06-258)

Ytmontering TO-276 (SMD0.5) med 600 SJT

  • 65 mOhms / 20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7638-GA); och 425 mOhms / 4 Amp (2N7636-GA)
  • Tjmax = 210oC
  • Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <50 typiska nanosekunder.

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i hermetiska förpackningar. Teknisk support och SPICE-kretsmodeller erbjuds. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC direkt och / eller via dess auktoriserade distributörer.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom produkter av kisellikriktare. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ner oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har fått många forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som större regeringsentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, besök https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt