Publicerat den förbi Redaktör 0

GeneSiC släpps 25 mOhm/1700 V kiselkarbidtransistorer

SiC-omkopplare som erbjuder lägsta ledningsförluster och överlägsen kortslutningsförmåga som släpps för högfrekventa effektkretsar

Dulles, Virginia., Okt 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) kraft halvledare meddelar idag omedelbar tillgänglighet av en familj med lågt motstånd 1700V och 1200 V SiC Junction Transistors i TO-247-paket. Användningen av högspänning, hög frekvens, SiC Junction Transistors med hög temperatur och låg motståndskraft kan öka omvandlingseffektiviteten och minska storleken / vikten / volymen på kraftelektronikapplikationer som kräver högre busspänningar. Dessa enheter är riktade för användning i en mängd olika applikationer inklusive DC-mikronät, Fordon Snabbladdare, server, nätaggregat för telekom och nätverk, avbrottsfri strömförsörjning, solomvandlare, Vindkraftsystem, och industriella motorstyrsystem.1410 28 GA50JT17-247

SiC Junction Transistors (Inc) som erbjuds av GeneSiC uppvisar ultra-snabb växlingskapacitet (liknar SiC MOSFETs), ett kvadratiskt, förspänt säkerhetsområde (RBSOA), samt temperaturoberoende övergående energiförluster och omkopplingstider. Dessa omkopplare är gate-oxidfria, normalt avstängd, uppvisa positiv temperaturkoefficient för på-resistans, och kan drivas av kommersiellt grindförare, till skillnad från andra SiC-switchar. Unika fördelar med SJT i motsats till andra SiC-omkopplare är dess högre långsiktiga tillförlitlighet, >10 usec kortslutning kapacitet, och överlägsen lavinförmåga

“Dessa förbättrade SJT erbjuder mycket högre nuvarande vinster (>100), mycket stabil och robust prestanda jämfört med andra SiC-switchar. GeneSiCs SJT erbjuder extremt låga ledningsförluster vid märkströmmar som överlägsna avstängningsförluster i kraftkretsar. Utnyttja de unika innovationerna för apparater och tillverkning, GeneSiC: s Transistor-produkter hjälper designers att uppnå en mer robust lösning,” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

1700 V SiC Junction Transistor släppt

1200 V SiC Junction Transistor släppt

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i Halogen-Free, RoHS-kompatibla TO-247-paket. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC: s auktoriserade distributörer.

För mer information, vänligen besök https://192.168.88.14/kommersiell-sic / sic-korsning-transistorer /