Publicerat den förbi Redaktör 0

Allmän användning SiC-transistorer och -likriktare för hög temperatur som erbjuds till låg kostnad

Hög temperatur (>210oC) Kopplingstransistorer och -likriktare i små formfaktor-metallburkpaket erbjuder revolutionerande prestandafördelar för en mängd applikationer inklusive förstärkning, kretsar med låg ljudnivå och manöverdonskontroller nere i borrhålet

DULLES, VA, Mars 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) kraft halvledare meddelar idag omedelbar tillgänglighet av en serie kompakta, hög temperatur SiC Junction Transistors samt en linje av likriktare i TO-46 metallburkpaket. Dessa diskreta komponenter är konstruerade och tillverkade för att fungera under omgivningstemperaturer över 215oC. Användningen av hög temperatur, SiC-transistorer och -likriktare med hög spänning och låg motståndskraft minskar storleken / vikten / volymen på elektronikapplikationer som kräver högre effekthantering vid förhöjda temperaturer. Dessa enheter är riktade för användning i en mängd olika applikationer inklusive ett brett utbud av kretsar i borrhålet, geotermisk instrumentering, aktivering av solenoid, förstärkning för allmänt ändamål, och strömförsörjning med växlat läge.

Hög temperatur SiC Junction transistorer (Inc) erbjuds av GeneSiC uppvisar sub-10 nsec stiga / falla tider möjliggör >10 MHz-omkoppling samt ett fyrkantigt, förspänt säkert arbetsområde (RBSOA). De övergående energiförlusterna och omkopplingstiderna är oberoende av korsningstemperaturen. Dessa omkopplare är gate-oxidfria, normalt avstängd, uppvisa positiv temperaturkoefficient för på-resistans, och kan drivas av 0/+5 V TTL-drivrutiner, till skillnad från andra SiC-switchar. Unika fördelar med SJT i motsats till andra SiC-omkopplare är dess högre långsiktiga tillförlitlighet, >20 usec kortslutning kapacitet, och överlägsen lavinförmåga. Dessa enheter kan användas som effektiva förstärkare eftersom de lovar en mycket högre linjäritet än någon annan SiC-switch.

Högtemperatur SiC Schottky-likriktare som erbjuds av GeneSiC visar låga spänningsfall i tillståndet, och industrins lägsta läckströmmar vid förhöjda temperaturer. Med temperaturoberoende, omkopplingsegenskaper för omvänd återhämtning nästan noll, SiC Schottky-likriktare är idealiska kandidater för användning med hög effektivitet, högtemperaturkretsar. TO-46 metallburkförpackningar samt tillhörande förpackningsprocesser som används för att skapa dessa produkter möjliggör kritiskt långvarig användning där hög tillförlitlighet är kritisk.

“GeneSiC: s transistor- och likriktarprodukter är designade och tillverkade från grunden för att möjliggöra drift vid hög temperatur. Dessa kompakta TO-46-packade SJT-enheter erbjuder höga nuvarande vinster (>110), 0/+5 V TTL-kontroll, och robust prestanda. Dessa enheter erbjuder låga ledningsförluster och hög linjäritet. Vi designar vår "SHT" -likriktare, för att erbjuda låga läckströmmar vid höga temperaturer. Dessa metallburkförpackade produkter förstärker våra TO-257 och metall-SMD-produkter som släpptes förra året för att erbjuda liten formfaktor, vibrationsbeständiga lösningar” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

Produkter som släpptes idag inkluderar:TO-46 SiC-transistordioder

240 mOhm SiC Junction Transistors:

  • 300 V-blockeringsspänning. Artikelnummer GA05JT03-46
  • 100 V-blockeringsspänning. Artikelnummer GA05JT01-46
  • Nuvarande vinst (hFE) >110
  • Tjmax = 210oC
  • Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <10 typiska nanosekunder.

Upp till 4 Ampere Schottky-dioder med hög temperatur:

  • 600 V-blockeringsspänning. Artikelnummer GB02SHT06-46
  • 300 V-blockeringsspänning. Artikelnummer GB02SHT03-46
  • 100 V-blockeringsspänning. Artikelnummer GB02SHT01-46
  • Total kapacitiv laddning 9 nC
  • Tjmax = 210oC.

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i metallburk TO-46-paket. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC: s auktoriserade distributörer.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom kiseldiodmoduler. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, oljeborrning i borrhålet, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, besök https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; och https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.