Kategori: Nyheter

Sampackad SiC-transistor-diodkombination i en robust, isolerat, 4-Blyinfattad, minimodulförpackning minskar energiförluster vid start och möjliggör flexibla kretskonstruktioner för högfrekventa effektomvandlare

DULLES, VA, Maj 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) kraft halvledare meddelar idag omedelbar tillgänglighet av 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-dioder i en isolerad, 4-Blyad minimodulförpackning som möjliggör extremt låga energiförluster vid start och samtidigt flexibel, modulära konstruktioner i högfrekventa effektomvandlare. Användningen av hög frekvens, SiC-transistorer och -likriktare med hög spänning och låg motståndskraft minskar storleken / vikten / volymen på elektronikapplikationer som kräver högre effekthantering vid höga driftsfrekvenser. Dessa enheter är riktade för användning i en mängd olika applikationer inklusive induktionsvärmare, plasmageneratorer, snabbladdare, DC-DC-omvandlare, och strömförsörjning med växlat läge.

Samförpackade SiC Junction Transistorer (Inc)-SiC-likriktare som erbjuds av GeneSiC är unikt tillämpliga på induktiva växlingsapplikationer eftersom SJT är det enda bredbandsgap-omkopplaren som erbjuder >10 upprepad kortslutningsfunktion med mikrosek, även vid 80% av märkspänningarna (t.ex. 960 V för en 1200 V-enhet). Förutom sub-10 nsek stiga / falla tider och en kvadratisk omvänd förspänd säker arbetsyta (RBSOA), Gate Return-terminalen i den nya konfigurationen förbättrar avsevärt möjligheten att minska kopplingsenergierna. Denna nya produktklass erbjuder övergående energiförluster och omkopplingstider som är oberoende av kopplingstemperaturen. SiC Junction Transistors från GeneSiC är fri från gate-oxid, normalt avstängd, uppvisa positiv temperaturkoefficient för på-resistans, och kan drivas med låga grindspänningar, till skillnad från andra SiC-switchar.
SiC Schottky-likriktare som används i dessa minimoduler visar låga spänningsfall i läget, bra överspänningsströmvärden och industrins lägsta läckströmmar vid förhöjda temperaturer. Med temperaturoberoende, omkopplingsegenskaper för omvänd återhämtning nästan noll, SiC Schottky-likriktare är idealiska kandidater för användning i högeffektiva kretsar.
“GeneSiC: s SiC Transistor and Rectifier-produkter är konstruerade och tillverkade för att realisera låga on-state och kopplingsförluster. En kombination av dessa teknologier i ett innovativt paket lovar exemplarisk prestanda i kraftkretsar som kräver breda bandgap-baserade enheter. Mini-modulförpackningen erbjuder stor designflexibilitet för användning i en mängd olika strömkretsar som H-Bridge, Flyback och flernivåomformare” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
Produkten som släpptes idag inkluderar
20 mOhm / 1200 V SiC Junction Transistor / Rectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• Isolerat SOT-227 / mini-block / Isotop-paket
• Transistorströmförstärkning (hFE) >100
• Tjmax = 175 ° C (begränsas av förpackningar)
• Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <10 typiska nanosekunder.

Alla enheter är 100% testad till full spänning / ström. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC Auktoriserade distributörer.

För mer information, besök: https://192.168.88.14/kommersiell-sic / sic-moduler-copack /

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom kiseldiodmoduler. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, oljeborrning i borrhålet, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

Hög temperatur (>210^oC) Kopplingstransistorer och -likriktare i små formfaktor-metallburkpaket erbjuder revolutionerande prestandafördelar för en mängd applikationer inklusive förstärkning, kretsar med låg ljudnivå och manöverdonskontroller nere i borrhålet

DULLES, VA, Mars 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) kraft halvledare meddelar idag omedelbar tillgänglighet av en serie kompakta, hög temperatur SiC Junction Transistors samt en linje av likriktare i TO-46 metallburkpaket. Dessa diskreta komponenter är konstruerade och tillverkade för att fungera under omgivningstemperaturer över 215^oC. Användningen av hög temperatur, SiC-transistorer och -likriktare med hög spänning och låg motståndskraft minskar storleken / vikten / volymen på elektronikapplikationer som kräver högre effekthantering vid förhöjda temperaturer. Dessa enheter är riktade för användning i en mängd olika applikationer inklusive ett brett utbud av kretsar i borrhålet, geotermisk instrumentering, aktivering av solenoid, förstärkning för allmänt ändamål, och strömförsörjning med växlat läge.

Hög temperatur SiC Junction transistorer (Inc) erbjuds av GeneSiC uppvisar sub-10 nsec stiga / falla tider möjliggör >10 MHz-omkoppling samt ett fyrkantigt, förspänt säkert arbetsområde (RBSOA). De övergående energiförlusterna och omkopplingstiderna är oberoende av korsningstemperaturen. Dessa omkopplare är gate-oxidfria, normalt avstängd, uppvisa positiv temperaturkoefficient för på-resistans, och kan drivas av 0/+5 V TTL-drivrutiner, till skillnad från andra SiC-switchar. Unika fördelar med SJT i motsats till andra SiC-omkopplare är dess högre långsiktiga tillförlitlighet, >20 usec kortslutning kapacitet, och överlägsen lavinförmåga. Dessa enheter kan användas som effektiva förstärkare eftersom de lovar en mycket högre linjäritet än någon annan SiC-switch.

Högtemperatur SiC Schottky-likriktare som erbjuds av GeneSiC visar låga spänningsfall i tillståndet, och industrins lägsta läckströmmar vid förhöjda temperaturer. Med temperaturoberoende, omkopplingsegenskaper för omvänd återhämtning nästan noll, SiC Schottky-likriktare är idealiska kandidater för användning med hög effektivitet, högtemperaturkretsar. TO-46 metallburkförpackningar samt tillhörande förpackningsprocesser som används för att skapa dessa produkter möjliggör kritiskt långvarig användning där hög tillförlitlighet är kritisk.

“GeneSiC: s transistor- och likriktarprodukter är designade och tillverkade från grunden för att möjliggöra drift vid hög temperatur. Dessa kompakta TO-46-packade SJT-enheter erbjuder höga nuvarande vinster (>110), 0/+5 V TTL-kontroll, och robust prestanda. Dessa enheter erbjuder låga ledningsförluster och hög linjäritet. Vi designar vår "SHT" -likriktare, för att erbjuda låga läckströmmar vid höga temperaturer. Dessa metallburkförpackade produkter förstärker våra TO-257 och metall-SMD-produkter som släpptes förra året för att erbjuda liten formfaktor, vibrationsbeständiga lösningar” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

Produkter som släpptes idag inkluderar:

240 mOhm SiC Junction Transistors:

• 300 V-blockeringsspänning. Artikelnummer GA05JT03-46
• 100 V-blockeringsspänning. Artikelnummer GA05JT01-46
• Nuvarande vinst (h_FE) >110
• T_jmax = 210^oC
• Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <10 typiska nanosekunder.

Upp till 4 Ampere Schottky-dioder med hög temperatur:

• 600 V-blockeringsspänning. Artikelnummer GB02SHT06-46
• 300 V-blockeringsspänning. Artikelnummer GB02SHT03-46
• 100 V-blockeringsspänning. Artikelnummer GB02SHT01-46
• Total kapacitiv laddning 9 nC
• T_jmax = 210^oC.

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i metallburk TO-46-paket. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC: s auktoriserade distributörer.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom kiseldiodmoduler. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, oljeborrning i borrhålet, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, besök https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; och https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Gate Driver Board optimerat för höga omkopplingshastigheter och beteendebaserade modeller gör det möjligt för kraftelektroniska designingenjörer att verifiera och kvantifiera fördelarna med SJT vid utvärdering på kortnivå och kretssimulering

DULLES, V.A., nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager idag den omedelbara tillgängligheten av Gate Driver-utvärderingskort och har utökat sitt designstöd för branschens switchar med lägsta förlust – SiC Junction Transistor (Inc) – med en fullt kvalificerad LTSPICE IV-modell. Använder det nya Gate Driver Board, strömkonverteringskretsdesigners kan verifiera fördelarna med under 15 nanosekunder, temperaturoberoende kopplingsegenskaper hos SiC Junction Transistorer, med låga effektförluster för föraren. Inkluderar de nya SPICE-modellerna, kretsdesigners kan enkelt utvärdera fördelarna med GeneSiC:s SJT:er för att uppnå en högre effektivitetsnivå än vad som är möjligt med konventionella kiselströmbrytare för enheter med jämförbart betyg.

SiC Junction Transistorer har väsentligt andra egenskaper än andra SiC Transistor-teknologier, samt kiseltransistorer. Gate Driver-kort som kan ge låga effektförluster samtidigt som de fortfarande erbjuder höga växlingshastigheter behövdes för att tillhandahålla drivlösningar för att utnyttja fördelarna med SiC Junction Transistors. GeneSiC är helt isolerad GA03IDDJT30-FR4 Gate-drivkort tar in 0/12V och en TTL-signal för att optimalt konditionera de spännings-/strömvågformer som krävs för att ge små stig-/falltider, samtidigt som det kontinuerliga strömkravet för att hålla den normalt avstängda SJT ledande under påslaget. Stiftkonfigurationen och formfaktorerna hålls liknande andra SiC-transistorer. GeneSiC har också släppt Gerber-filer och stycklistor till slutanvändare för att göra det möjligt för dem att införliva fördelarna med de förverkligade drivrutindesigninnovationerna.

SJT erbjuder väluppfostrade on-state- och switchegenskaper, gör det enkelt att skapa beteendebaserade SPICE-modeller som stämmer anmärkningsvärt väl överens med de underliggande fysikbaserade modellerna också. Använda väletablerade och förstådda fysikbaserade modeller, SPICE-parametrar släpptes efter omfattande tester med enhetens beteende. GeneSiC:s SPICE-modeller jämförs med experimentellt uppmätta data på alla enhetsdatablad och är tillämpliga på alla 1200 V och 1700 V SiC Junction Transistors släpptes.
GeneSiC:s SJT:er kan leverera switchfrekvenser som är fler än 15 gånger högre än IGBT-baserade lösningar. Deras högre omkopplingsfrekvenser kan möjliggöra mindre magnetiska och kapacitiva element, därigenom krymper den totala storleken, vikt och kostnad för kraftelektroniksystem.

Denna SiC Junction Transistor SPICE-modell lägger till GeneSiC:s omfattande svit av designstödverktyg, teknisk dokumentation, och tillförlitlighetsinformation för att ge kraftelektronikingenjörer de designresurser som krävs för att implementera GeneSiCs omfattande familj av SiC Junction Transistorer och Likriktare i nästa generations kraftsystem.

GeneSiCs Gate Driver Board-datablad och SJT SPICE-modeller kan laddas ner från https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

SiC-omkopplare som erbjuder lägsta ledningsförluster och överlägsen kortslutningsförmåga som släpps för högfrekventa effektkretsar

Dulles, Virginia., Okt 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) kraft halvledare meddelar idag omedelbar tillgänglighet av en familj med lågt motstånd 1700V och 1200 V SiC Junction Transistors i TO-247-paket. Användningen av högspänning, hög frekvens, SiC Junction Transistors med hög temperatur och låg motståndskraft kan öka omvandlingseffektiviteten och minska storleken / vikten / volymen på kraftelektronikapplikationer som kräver högre busspänningar. Dessa enheter är riktade för användning i en mängd olika applikationer inklusive DC-mikronät, Fordon Snabbladdare, server, nätaggregat för telekom och nätverk, avbrottsfri strömförsörjning, solomvandlare, Vindkraftsystem, och industriella motorstyrsystem.

SiC Junction Transistors (Inc) som erbjuds av GeneSiC uppvisar ultra-snabb växlingskapacitet (liknar SiC MOSFETs), ett kvadratiskt, förspänt säkerhetsområde (RBSOA), samt temperaturoberoende övergående energiförluster och omkopplingstider. Dessa omkopplare är gate-oxidfria, normalt avstängd, uppvisa positiv temperaturkoefficient för på-resistans, och kan drivas av kommersiellt grindförare, till skillnad från andra SiC-switchar. Unika fördelar med SJT i motsats till andra SiC-omkopplare är dess högre långsiktiga tillförlitlighet, >10 usec kortslutning kapacitet, och överlägsen lavinförmåga

“Dessa förbättrade SJT erbjuder mycket högre nuvarande vinster (>100), mycket stabil och robust prestanda jämfört med andra SiC-switchar. GeneSiCs SJT erbjuder extremt låga ledningsförluster vid märkströmmar som överlägsna avstängningsförluster i kraftkretsar. Utnyttja de unika innovationerna för apparater och tillverkning, GeneSiC: s Transistor-produkter hjälper designers att uppnå en mer robust lösning,” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

1700 V SiC Junction Transistor släppt

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• Nuvarande vinst (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <30 typiska nanosekunder.

1200 V SiC Junction Transistor släppt

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• Nuvarande vinst (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <30 typiska nanosekunder.

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i Halogen-Free, RoHS-kompatibla TO-247-paket. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC: s auktoriserade distributörer.

För mer information, vänligen besök https://192.168.88.14/kommersiell-sic / sic-korsning-transistorer /

GeneSiC: s SiC-transistor och likriktare erbjuder betydande fördelar för att uppnå målen för Little Box Challenge

Toppmodern. Kiselkarbidkrafttransistorer & Likriktare. Tillgängliga. Nu!

GeneSiC har en bred produktportfölj tillgänglig just nu över hela världen från toppdistributörer

Bare Die Chip form av SiC-enheter tillgängliga direkt från fabrik (fyll i formuläret nedan)

Diskret SJT och Likriktare i kommersiella temperaturvärden (175° C)

Diskret Hej SJTs och HiT-likriktare vid hög temperatur (upp till 250 ° C)

GeneSiC erbjuder det största utbudet av SiC-produkter - i förpackade produkter såväl som blankformat för att möjliggöra större designflexibilitet och innovation. GeneSiC strävar ständigt efter att vara före genom att introducera nytt, innovativa produkter. Om du inte ser den exakta produkten du letar efter idag, du kanske ser det inom en snar framtid.

Löftet om hög temperatur i SiC-transistorer som realiseras genom kompatibla branschstandardpaket kommer att förbättra kritiska ställdon och strömförsörjning i borrhål och rymd

Dulles, Virginia., Dec 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) kraft halvledare meddelar idag omedelbar tillgänglighet via sina distributörer och direkt en familj hög temperatur förpackad 600 V SiC Junction Transistors (Inc) i 3-50 Förbättrar nuvarande betyg i JEDEC industristandard genomgående hål- och ytmonteringspaket. Innehåller dessa höga temperaturer, låg motståndskraft, högfrekventa SiC-transistorer i hermetiska förpackningar, högtryckssäljare och inkapsling ökar omvandlingseffektiviteten och minskar storleken / vikten / volymen för applikationer för kraftomvandling vid hög temperatur.

Samtida hög temperatur strömförsörjning, motorstyrning och ställdonskretsar som används i olja / gas / borrhåls- och rymdtillämpningar lider av brist på tillgänglighet av en lönsam kiselkarbidlösning med hög temperatur. Kiseltransistorer har låg kretseffektivitet och stora storlekar eftersom de lider av höga läckströmmar och låga dåliga kopplingsegenskaper. Båda dessa parametrar förvärras vid högre korsningstemperaturer. Med termiskt begränsade miljöer, korsningstemperaturer stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passeras. Hermetiskt förpackade SiC-transistorer erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera kapaciteten hos borrhåls- och rymdtillämpningar. GeneSiC 650 V / 3-50 A SiC-kopplingstransistorer har omkopplingstider nära noll som inte ändras med temperaturen. De 210^oC-korsningstemperaturvärderade enheter erbjuder relativt stora temperaturmarginaler för applikationer som arbetar under extrema miljöer.

Junction Transistors som erbjuds av GeneSiC uppvisar extremt snabb omkopplingsfunktion, ett kvadratiskt, förspänt säkerhetsområde (RBSOA), samt temperaturoberoende övergående energiförluster och omkopplingstider. Dessa omkopplare är gate-oxidfria, normalt avstängd, uppvisa positiv temperaturkoefficient för på-resistans, och kan drivas av kommersiella, allmänt tillgängliga 15 V IGBT-drivrutiner, till skillnad från andra SiC-switchar. Samtidigt som de erbjuder kompatibilitet med SiC JFET-drivrutiner, SiC Junction Transistors kan enkelt parallelliseras på grund av deras överensstämmande övergående egenskaper.

“I takt med att hål- och rymdapplikationsdesigners fortsätter att driva gränserna för frekvens, samtidigt som det kräver hög kretseffektivitet, de behöver SiC-omkopplare som kan erbjuda en standard för prestanda, tillförlitlighet och enhetlighet i produktionen. Utnyttja de unika innovationerna för apparater och tillverkning, GeneSiCs SJT-produkter hjälper designers att uppnå allt detta i en mer robust lösning. Dessa produkter kompletterar den hermetiska förpackade SiC-likriktaren som släpptes förra året av GeneSiC, och de nakna matriserna som släpptes tidigare i år, samtidigt som vi banar väg för oss att erbjuda hög temperatur, låg induktans, kraftmoduler inom en snar framtid ” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

Isolerad TO-257 med 600 I SJT:

• 65 mOhms / 20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7637-GA); och 425 mOhms / 4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^oC
• Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <50 typiska nanosekunder.
• Motsvarande Bare Die GA20JT06-CAL (i 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (i 2N7637-GA); och GA05JT06-CAL (i 2N7635-GA)

Icke-isolerad TO-258 prototyppaket med 600 SJT

• 25 mOhms / 50 Amp (GA50JT06-258 prototyppaket)
• T_jmax = 210^oC
• Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <50 typiska nanosekunder.
• Motsvarande berör matris GA50JT06-CAL (i GA50JT06-258)

Ytmontering TO-276 (SMD0.5) med 600 SJT

• 65 mOhms / 20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7638-GA); och 425 mOhms / 4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^oC
• Sätt på / av; Uppgångs-/falltider <50 typiska nanosekunder.

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i hermetiska förpackningar. Teknisk support och SPICE-kretsmodeller erbjuds. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC direkt och / eller via dess auktoriserade distributörer.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom produkter av kisellikriktare. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ner oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har fått många forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som större regeringsentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, besök https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Högspänning, Omvänd återställningsfria SiC Schottky-dioder för att på ett kritiskt sätt möjliggöra solväxelriktare och högspänningsaggregat genom att erbjuda ytmonteringsmöjligheter med minsta formfaktor

Dulles, Virginia., nov 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager idag den omedelbara tillgängligheten av en familj av industristandard SMB (JEDEC DO-214AA) förpackade SiC-likriktare i 650 – 3300 V-intervall. Inkorporerar dessa högspänningar, omvänd återhämtning-fri, högfrekvens- och högtemperaturkapabla SiC-dioder kommer att öka konverteringseffektiviteten och minska storleken/vikten/volymen av multi-kV-enheter. Dessa produkter är inriktade på mikrosolväxelriktare såväl som spänningsmultiplikatorkretsar som används i ett brett spektrum av röntgenstrålar, Strömförsörjning för laser och partikelgenerator.

Samtida mikrosolväxelriktare och spänningsmultiplikatorkretsar kan lida av låg kretseffektivitet och stora storlekar på grund av de omvända återvinningsströmmarna från silikonlikriktare. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation blir värre eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, korsningstemperaturer stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passeras. Högspännings-SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera mikrosolväxelriktare och högspänningsaggregat. GeneSiC 650 V / 1 A; 1200 V/2 A och 3300 V/0.3 A Schottky-likriktare har noll omvänd återvinningsström som inte ändras med temperaturen. De 3300 V-klassade enheter erbjuder relativt hög spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska switchegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanserande nätverk och snubberkretsar. SMB (DO-214AA) övergjuten förpackning har industristandard formfaktor för ytmontering.

"Dessa produkterbjudanden kommer från år av ihållande utvecklingsinsatser på GeneSiC för att erbjuda övertygande enheter och paket. Vi tror att SMB-formfaktorn är en viktig differentiator för marknaden för Micro Solar Inverter och Voltage Multiplier, och kommer att ge betydande fördelar för våra kunder. högtemperaturapplikationer, SiC Schottky-likriktare med låg kapacitans och förbättrade SMB-paket möjliggör denna banbrytande produkt” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

1200 V/2 A SMB SiC Schottky-diod (GB02SLT12-214) Tekniska höjdpunkter

• Typiskt VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^oC
• Reverse Recover Charge = 14 nC.

3300 V/0,3 A SMB SiC Schottky-diod (GAP3SLT33-214) Tekniska höjdpunkter

• Typiskt VF = 1.7 V
• T_jmax = 175^oC
• Reverse Recover Charge = 52 nC.

650 V/1 A SMB SiC Schottky-diod (GB01SLT06-214) Tekniska höjdpunkter

• Typiskt VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^oC
• Reverse Recover Charge = 7 nC.

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i Halogen-Free, RoHS-kompatibel SMB (DO-214AA) paket. Teknisk support och SPICE-kretsmodeller erbjuds. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC: s auktoriserade distributörer.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom produkter av kisellikriktare. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ner oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har fått många forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som större regeringsentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, vänligen besök https://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

Högspänningsaggregat för att dra nytta av dessa likriktare med låg kapacitans som erbjuder temperaturoberoende nollåtervinningsströmmar i isolerade paket

Thief River Falls/Dulles, Virginia., Maj 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager den omedelbara tillgängligheten av 3300 V/0,3 Ampere SiC Schottky Likriktare – GAP3SLT33-220FP. Denna unika produkt representerar den högsta spänningen SiC-likriktaren på marknaden, och är specifikt inriktat på spänningsmultiplikatorkretsar och högspänningsaggregat som används i ett brett spektrum av röntgenstrålar, Strömförsörjning för laser och partikelgenerator.

Samtida spänningsmultiplikatorkretsar lider av låg kretseffektivitet och stora storlekar eftersom de omvända återvinningsströmmarna från kisellikriktare laddar ur de parallellkopplade kondensatorerna. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation blir värre eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, korsningstemperaturer stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passeras. Högspännings-SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera högspänningsaggregaten. GeneSiC 3300 V/0.3 A Schottky-likriktare har noll omvänd återvinningsström som inte ändras med temperaturen. Denna relativt höga spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska switchegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanserande nätverk och snubberkretsar. TO-220 Full Pack övergjutna isolerade paket har industristandard formfaktor med ökat stiftavstånd i genomgående hålenheter.

"Detta produkterbjudande kommer från år av ihållande ansträngningar på GeneSiC. Vi tror att 3300 V-betyget är en viktig differentiator för marknaden för högspänningsgeneratorer, och kommer att ge betydande fördelar för våra kunder. högtemperaturapplikationer, SiC Schottky-likriktare med låg kapacitans möjliggör denna banbrytande produkt” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

3300 V/0.3 A SiC Likriktare Tekniska höjdpunkter

• högtemperaturapplikationer 1.7 högtemperaturapplikationer 0.3 EN
• högtemperaturapplikationer
• T_jmax = 175^oC
• Kapacitiv laddning 52 nC (högtemperaturapplikationer).

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i Halogen-Free, RoHS-kompatibel industristandard TO-220FP (Fullt paket) paket. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiCs auktoriserade distributör, Digikey.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom produkter av kisellikriktare. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ner oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har fått många forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som större regeringsentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, vänligen besök www.genesicsemi.com

Högspänningskretsar och sammansättningar för att dra nytta av SiC-chips som erbjuder oöverträffade spänningsklasser och ultrahöghastighetsomkoppling

Dulles, Virginia., nov 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager den omedelbara tillgängligheten av 8000 V SiC PiN-likriktare; 8000 V SiC Schottky-likriktare, 3300 V SiC Schottky Likriktare och 6500 V SiC tyristorer i blankt formformat. Dessa unika produkter representerar de SiC-enheter med högsta spänning på marknaden, och är specifikt inriktat på olje- och gasinstrumentering, spänningsmultiplikatorkretsar och högspänningsaggregat.

Samtida ultrahögspänningskretsar lider av låg kretseffektivitet och stora storlekar eftersom de omvända återvinningsströmmarna från silikonlikriktare laddar ur de parallellkopplade kondensatorerna. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation förvärras ytterligare eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, korsningstemperaturer stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passeras. Högspännings-SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera högspänningsaggregaten. GeneSiC 8000 V och 3300 V Schottky-likriktare har noll omvänd återvinningsström som inte ändras med temperaturen. Denna relativt höga spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska switchegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanserande nätverk och snubberkretsar. 8000 V PiN-likriktare erbjuder högre strömnivåer och högre driftstemperaturer. 6500 V SiC Thyristor-chips finns också tillgängliga för att accelerera R&D av nya system.

"Dessa produkter visar upp GeneSiC:s starka ledning i utvecklingen av SiC-chips i multi-kV-klassificeringarna. Vi tror att 8000 V-betyget går utöver vad Silicon-enheter kan erbjuda vid nominella temperaturer, och kommer att ge betydande fördelar för våra kunder. högtemperaturapplikationer, SiC-likriktare och tyristorer med låg kapacitans kommer att möjliggöra fördelar på systemnivå som inte tidigare varit möjliga” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Tekniska höjdpunkter

• T_jmax = 210^oC
• Omvända läckströmmar < 50 uA kl 175^oC
• Omvänd återställningsavgift 558 nC (högtemperaturapplikationer).

8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Tekniska höjdpunkter

• Total kapacitans 25 pF (högtemperaturapplikationer, på -1 V, 25^oC).
• högtemperaturapplikationer
• T_jmax = 175^oC

6500 V SiC Thyristor Bare Die Tekniska höjdpunkter

• Tre erbjudanden - 80 ampere (GA080TH65-CAU); 60 ampere (GA060TH65-STÄNGD); och 40 ampere (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^oC

3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Tekniska höjdpunkter

• högtemperaturapplikationer 1.7 högtemperaturapplikationer 0.3 EN
• högtemperaturapplikationer
• T_jmax = 175^oC
• Kapacitiv laddning 52 nC (högtemperaturapplikationer).

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom produkter av kisellikriktare. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ner oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har fått många forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som större regeringsentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, besök https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie