Publicerat den

Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift

DULLES, VA, Mars 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift 1200 Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift. Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift, Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift. Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift, solomvandlare, Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift.

Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift (Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT-moduler från GeneSiC möjliggör 175°C drift) som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, allmänt tillgängliga 15 V IGBT-drivrutiner. som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd. som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, 12som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd (som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd), som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd.

“som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd 2 som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd. som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd 1200 som erbjuds av GeneSiC är gjorda med Si IGBTs som uppvisar positiv temperaturkoefficient för fall i tillstånd, högtemperaturapplikationer. högtemperaturapplikationer. högtemperaturapplikationer, högtemperaturapplikationer” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

1200 högtemperaturapplikationer

  • högtemperaturapplikationer 1.9 högtemperaturapplikationer 100 EN
  • högtemperaturapplikationer
  • Tjmax = 175 ° C
  • högtemperaturapplikationer 23 högtemperaturapplikationer (högtemperaturapplikationer).

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i Halogen-Free, högtemperaturapplikationer. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC: s auktoriserade distributörer.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, liksom produkter av kisellikriktare. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ner oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har fått många forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som större regeringsentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

Publicerat den

GeneSiC introducerar Silicon Carbide Junction Transistors

DULLES, VA, februari 25, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors meddelar idag omedelbar tillgänglighet för en familj på 1700V och 1200 V SiC Junction Transistors. Innehåller högspänning, högfrekventa och högtemperaturförmåga SiC Junction Transistors kommer att öka konverteringseffektiviteten och minska storleken/vikten/volymen på kraftelektronik. Dessa enheter är riktade för användning i en mängd olika applikationer, inklusive server, nätaggregat för telekom och nätverk, avbrottsfri strömförsörjning, solomvandlare, industriella motorstyrsystem, och nere i hålet.

Junction Transistors som erbjuds av GeneSiC uppvisar extremt snabb omkopplingsfunktion, ett kvadratiskt, förspänt säkerhetsområde (RBSOA), samt temperaturoberoende övergående energiförluster och omkopplingstider. Dessa omkopplare är gate-oxidfria, normalt avstängd, uppvisa positiv temperaturkoefficient för på-resistans, och kan drivas av kommersiella, allmänt tillgängliga 15 V IGBT-drivrutiner, till skillnad från andra SiC-switchar. Samtidigt som de erbjuder kompatibilitet med SiC JFET-drivrutiner, Kopplingstransistorer kan lätt parallelliseras på grund av deras matchande övergående egenskaper.

“Som kraftsystemkonstruktörer fortsätter att skjuta gränserna för driftsfrekvens, samtidigt som det kräver hög kretseffektivitet, behovet av SiC -switchar som kan erbjuda en standard för prestanda och enhetlig produktion. Utnyttja de unika innovationerna för apparater och tillverkning, GeneSiCs Transistor -produkter hjälper designers att uppnå allt detta i en mer robust lösning,” sa Dr. Ranbir Singh , President för GeneSiC Semiconductor.

1700 V Junction Transistor Tekniska höjdpunkter

  • Tre erbjudanden - 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); och 500 mOhms (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175 ° C
  • Slå på/av stiga/falla tider <50 typiska nanosekunder.

1200 V Junction Transistor Tekniska höjdpunkter

  • Två erbjudanden - 220 mOhms (GA06JT12-247); och 460 mOhms (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175 ° C
  • Slå på/av stiga/falla tider <50 typiska nanosekunder

Alla enheter är 100% testad till full spänning / strömvärden och inrymt i Halogen-Free, RoHS-kompatibla TO-247-paket. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiC: s auktoriserade distributörer.

Publicerat den

Ny fysik låter tyristor nå högre nivå

DULLES, VA, augusti 30, 2011 – Ny fysik låter tyristorer nå högre nivå

Ett elnät levererar tillförlitlig ström med hjälp av elektroniska enheter som säkerställer smidigt, pålitligt kraftflöde. Tills nu, kiselbaserade sammansättningar har förlitats på, men de har inte kunnat hantera kraven från det smarta nätet. Bredbandiga material som kiselkarbid (Sic) erbjuder ett bättre alternativ eftersom de kan ha högre växlingshastigheter, en högre genombrottsspänning, lägre kopplingsförluster, och en högre kopplingstemperatur än traditionella kiselbaserade switchar. Den första sådan SiC-baserade enheten som nådde marknaden är ultrahögspänningen Silicon Carbide Thyristor (SiC tyristor), utvecklad av GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., med stöd från Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., USA. Institutionen för energi/elleverans, och U.S.A. Armé-/vapenforskning, Utvecklings- och teknikcentrum, Picatinny Arsenal, N.J..

Utvecklarna antog en annan operativ fysik för den här enheten, som arbetar med minoritetstransporter och en integrerad tredje terminallikriktare, vilket är en mer än andra kommersiella SiC-enheter. Utvecklare antog en ny tillverkningsteknik som stöder betyg ovan 6,500 V, samt en ny gate-anoddesign för högströmsenheter. Kan prestera vid temperaturer upp till 300 C och ström kl 80 EN, SiC Thyristor erbjuder upp till 10 gånger högre spänning, fyra gånger högre spärrspänningar, och 100 gånger snabbare omkopplingsfrekvens än kiselbaserade tyristorer.

Publicerat den

GeneSiC vinner prestigefyllda R&D100 Award för SiC-enheter i nätanslutna sol- och vindenergiapplikationer

DULLES, VA, juli 14, 2011 — R&D Magazine har valt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottagare av det prestigefyllda 2011 R&D 100 Pris för kommersialisering av kiselkarbidenheter med hög spänning.

GeneSiC Semiconductor Inc., en nyckelinnovatör inom de kiselkarbidbaserade kraftenheterna hedrades förra veckan med tillkännagivandet att den har tilldelats den prestigefyllda 2011 R&D 100 Tilldela. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC för att introducera en av de mest betydelsefulla, nyligen introducerade forsknings - och utvecklingsframsteg bland flera discipliner under 2010. R&D Magazine erkände GeneSiC:s Ultra-High Voltage SiC-tyristor för dess förmåga att uppnå blockerande spänningar och frekvenser som aldrig tidigare använts för kraftelektronikdemonstrationer. Spänningsvärdena för >6.5kV, på-tillstånd nuvarande betyg på 80 A och driftfrekvenser för >5 kHz är mycket högre än de som tidigare introducerats på marknaden. Dessa förmågor som uppnås av GeneSiCs tyristorer gör det på ett avgörande sätt möjligt för kraftelektronikforskare att utveckla nätanslutna växelriktare, Flexibel

AC transmissionssystem (FAKTA) och högspänningssystem (HVDC). Detta kommer att möjliggöra nya uppfinningar och produktutvecklingar inom förnybar energi, solomvandlare, vindkraftsväxelriktare, och energilagringsindustrier. Gå till Kontakt. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor kommenterade "Det förväntas att storskaliga marknader för solid-state elektriska transformatorstationer och vindkraftsgeneratorer kommer att öppna upp efter att forskare inom energiomvandlingsarenan kommer att fullt ut inse fördelarna med SiC-tyristorer. Dessa första generationens SiC-tyristorer använder det lägsta påvisade spänningsfallet i tillstånd och differentiella på-motstånd som någonsin uppnåtts i SiC-tyristorer. Vi har för avsikt att släppa framtida generationer av SiC-tyristorer optimerade för gate-kontrollerad avstängningskapacitet och pulserande effektkapacitet och >10kV-värden. När vi fortsätter att utveckla förpackningslösningar för hög temperatur och ultrahög spänning, nuvarande 6,5 kV tyristorer är förpackade i moduler med helt lödda kontakter, begränsad till 150oC korsningstemperaturer." Sedan denna produkt lanserades i oktober 2010, GeneSiC har bokat beställningar från flera kunder för demonstration av avancerad kraftelektronikhårdvara med dessa kiselkarbidtyristorer. GeneSiC fortsätter att utveckla sin familj av Silicon Carbide Thyristor-produkter. R&D på tidig version för kraftomvandlingsapplikationer utvecklades genom SBIR-finansieringsstöd från US Dept. av energi. Mer avancerad, Pulsed Power-optimerade SiC-tyristorer utvecklas under ett annat SBIR-kontrakt med ARDEC, Amerikanska armén. Med hjälp av denna tekniska utveckling, intern investering från GeneSiC och kommersiella beställningar från flera kunder, GeneSiC kunde erbjuda dessa UHV-tyristorer som kommersiella produkter.

Den 49:e årliga tekniktävlingen som drivs av R&D Magazine utvärderade bidrag från olika företag och branschaktörer, forskningsorganisationer och universitet runt om i världen. Tidningens redaktörer och en panel av externa experter fungerade som domare, utvärdera varje post i termer av dess betydelse för vetenskap och forskning.

Enligt R&D Magazine, vinner en R&D 100 Priset ger ett kvalitetsmärke som industrin känner till, regering, och akademin som bevis på att produkten är en av årets mest innovativa idéer. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC som en global ledare inom skapandet av teknologibaserade produkter som gör skillnad i hur vi arbetar och lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.

Publicerat den

GeneSiC Semiconductor Selected to Showcase Technology at 2011 ARPA-E Energy Innovation Summit

DULLES, VA, februari 28, 2011 – GeneSiC Semiconductor is excited to announce its selection for the prestigious Technology Showcase at the ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of Energy’s Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) and the Clean Technology and Sustainable Industries Organization (CTSI). Hundreds of top technologists and cutting-edge clean tech organizations competed to participate in the Showcase, a hallway of America’s most promising prospects for winning the future in energy.

As one of ARPA-E’s selected organizations, GeneSiC Semiconductor will exhibit its Silicon Carbide to nearly 2,000 national leaders gathering to drive long-term American competitiveness in the energy sector, including top researchers, investors, entrepreneurs, corporate executives and government officials. More than 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, Gå till Kontakt, Gå till Kontakt. Ranbir Singh. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, U.S.. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – Mars 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Om GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc.. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, Armé, NASA, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. Department of Energy – and the first to focus exclusively on breakthrough energy technologies that could radically change the way we use energy. Rather than performing research directly, ARPA-E invests in high-risk, high-reward energy technologies being developed by universities, startups, small businesses, and corporations. Our staff combines industry-leading scientists, ingenjörer, and investment executives to identify promising solutions to the nation’s most critical energy problems and to fast-track top technologies towards the marketplace – which is critical to securing the nation’s global technology leadership and creating new American industries and jobs. Besök www.arpa-e.energy.govfor more information.

About CTSI

The Clean Technology & Sustainable Industries Organization (CTSI), a 501c6 non-profit industry association, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. Besök www.ct-si.org for more information.

Publicerat den

GeneSiC vinner energihanteringsprojekt från NASA till stöd för framtida Venus-utforskningsuppdrag

DULLES, VA, december 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., en viktig innovatör av romanen kiselkarbid (Sic) enheter för hög temperatur, hög kraft, och ultrahögspänningstillämpningar, tillkännager val av sitt projekt med titeln "Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high power motor control modules working at 500 oC” av US National Aeronautics and Space Administration (NASA) för en Fas I SBIR-utmärkelse. Detta SBIR-projekt är fokuserat på utvecklingen av monolitisk integrerad SiC JBS diod-Super Junction Transistor (MIDSJT) enheter för drift under Venus-liknande omgivningar (500 °C yttemperaturer). SiC MIDSJT-enheterna som utvecklats i detta program kommer att användas för att konstruera motorstyrningskraftmoduler för direkt integration med Venus exploration rovers.

“Vi är nöjda med det förtroende som NASA uttrycker för våra lösningar för högtemperatur-SiC-enheter. Detta projekt kommer att göra det möjligt för GeneSiC att utveckla branschledande SiC-baserad energihanteringsteknik genom sina innovativa enhets- och förpackningslösningar” sa Dr. Siddarth Sundaresan, GeneSiCs teknikchef. “SiC MIDSJT-enheterna som är inriktade på detta program kommer att tillåta effekt på kilowattnivå att hanteras med digital precision vid temperaturer så höga som 500 ° C. Förutom applikationer i yttre rymden, denna nya teknologi har potential att revolutionera kritiska rymd- och geotermiska oljeborrningsmaskiner som kräver omgivningstemperaturer överstigande 200 ° C. Dessa applikationsområden är för närvarande begränsade av den dåliga högtemperaturprestandan hos moderna kisel- och till och med SiC-baserade enhetsteknologier som JFET och MOSFET.” han lade till.

GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besöka www.genesicsemi.com.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret.

Publicerat den

Multi-kHz, Ultra-högspänning kiselkarbid tyristorer provades till amerikanska forskare

DULLES, VA, november 1, 2010 –I ett första erbjudande i sitt slag, GeneSiC Semiconductor tillkännager tillgången på en familj av 6,5 kV SCR-mode kiselkarbidtyristorer för användning i kraftelektronik för Smart Grid-applikationer. Revolutionerande prestandafördelar med dessa kraftenheter förväntas stimulera nyckelinnovationer inom kraftelektronikhårdvara i nyttoskala för att öka tillgängligheten och utnyttjandet av distribuerade energiresurser (DE). "Tills nu, multi-kV kiselkarbid (Sic) kraftenheter var inte öppet tillgängliga för amerikanska forskare för att fullt ut kunna utnyttja de välkända fördelarna – nämligen 2-10 kHz driftfrekvenser vid 5–15 kV klassificering – med SiC-baserade kraftenheter.” kommenterade Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC. ”GeneSiC har nyligen levererat många 6,5 ​​kV/40A, 6.5kV/60A och 6,5kV/80A tyristorer till flera kunder som bedriver forskning inom förnybar energi, Armé- och sjökraftssystemapplikationer. SiC-enheter med dessa klassificeringar erbjuds nu mer allmänt."

Kiselkarbidbaserade tyristorer erbjuder 10X högre spänning, 100X snabbare omkopplingsfrekvenser och högre temperaturdrift jämfört med konventionella kiselbaserade tyristorer. Möjligheterna till målinriktade applikationsforskning för dessa enheter inkluderar allmänna medelspänningsomvandling (MVDC), Grid-bundna solinverterare, vindkraftsväxelriktare, pulserande kraft, vapensystem, tändningskontroll, och triggkontroll. Det är nu väl etablerat att ultrahög spänning (>10kV) Kiselkarbid (Sic) enhetsteknologi kommer att spela en revolutionerande roll i nästa generations elnät. Tyristorbaserade SiC-enheter erbjuder högsta prestanda i tillståndet >5 kV-enheter, och är allmänt tillämpliga på medelspänningseffektomvandlingskretsar som felströmsbegränsare, AC-DC omvandlare, Statiska VAR-kompensatorer och seriekompensatorer. SiC-baserade tyristorer erbjuder också den bästa chansen till tidig adoption på grund av deras likheter med konventionella elnätselement. Att implementera dessa avancerade krafthalvledarteknologier kan ge så mycket som en 25-30 procentuell minskning av elförbrukningen genom ökad effektivitet vid leverans av elkraft.

Gå till Kontakt. Singh fortsätter "Det förväntas att storskaliga marknader för solid-state elektriska transformatorstationer och vindkraftsgeneratorer kommer att öppnas efter att forskare inom energiomvandlingsarenan kommer att fullt ut inse fördelarna med SiC-tyristorer. Dessa första generationens SiC-tyristorer använder det lägsta påvisade spänningsfallet i tillstånd och differentiella på-motstånd som någonsin uppnåtts i SiC-tyristorer. Vi har för avsikt att släppa framtida generationer av SiC-tyristorer optimerade för portstyrd avstängningsförmåga och >10kV-värden. När vi fortsätter att utveckla förpackningslösningar för hög temperatur och ultrahög spänning, nuvarande 6,5 kV tyristorer är förpackade i moduler med helt lödda kontakter, begränsad till 150oC korsningstemperaturer." GeneSiC är en snabbt växande innovatör inom området SiC kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning.

Beläget nära Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter. Pågående utvecklingsprojekt inkluderar högtemperaturlikriktare, SuperJunction-transistorer (Inc) och ett brett utbud av Thyristor-baserade enheter. GeneSiC har eller har haft huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive energidepartementet, Marin, Armé, DARPA, och Department of Homeland Security. Företaget upplever för närvarande en betydande tillväxt, och anställa kvalificerad personal inom design av kraftenheter och detektorer, tillverkning, och testning. För att få reda på mer, besök www.genesicsemi.com.

Publicerat den

GeneSiC vinner 2,53 miljoner USD från ARPA-E för utveckling av kiselkarbidtyristorbaserade enheter

DULLES, VA, september 28, 2010 – Byrån för avancerade forskningsprojekt – Energi (ARPA-E) har ingått ett samarbetsavtal med det GeneSiC Semiconductor-ledda teamet för utvecklingen av den nya ultrahögspänningen kiselkarbid (Sic) Tyristorbaserade enheter. Dessa enheter förväntas vara viktiga möjliggörare för att integrera storskaliga vind- och solkraftverk i nästa generations Smart Grid.

"Denna mycket konkurrenskraftiga utmärkelse till GeneSiC kommer att tillåta oss att utöka vår tekniska ledande position inom multi-kV Silicon Carbide-teknologin, samt vårt engagemang för alternativa energilösningar i nätskala med solid state-lösningar," kommenterade Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC. "Multi-kV SiC-tyristorer som vi utvecklar är nyckeln som möjliggör förverkligandet av flexibla AC-transmissionssystem (FAKTA) element och högspänningslikström (HVDC) planerade arkitekturer mot en integrerad, effektiv, Framtidens Smart Grid. GeneSiCs SiC-baserade tyristorer erbjuder 10 gånger högre spänning, 100X snabbare omkopplingsfrekvenser och högre temperaturdrift i FACTS och HVDC-kraftbehandlingslösningar jämfört med konventionella kiselbaserade tyristorer."

I april 2010, GeneSiC svarade på Agile Delivery of Electrical Power Technology (SKICKLIG) uppmaning från ARPA-E som försökte investera i material för grundläggande framsteg inom högspänningsomkopplare som har potential att hoppa över existerande effektomvandlars prestanda samtidigt som det ger sänkta kostnader. Företagets förslag med titeln "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power conversion" valdes ut för att ge en lättvikts, fast tillstånd, mellanspänningsenergiomvandling för applikationer med hög effekt som solid-state elektriska transformatorstationer och vindkraftsgeneratorer. Att implementera dessa avancerade krafthalvledarteknologier kan ge så mycket som en 25-30 procentuell minskning av elförbrukningen genom ökad effektivitet vid leverans av elkraft. Innovationer som valdes var att stödja och marknadsföra U.S. företag genom tekniskt ledarskap, genom en mycket konkurrensutsatt process.

Kiselkarbid är ett nästa generations halvledarmaterial med mycket överlägsna egenskaper jämfört med konventionellt kisel, såsom förmågan att hantera tio gånger spänningen – och hundra gånger strömmen – vid temperaturer så höga som 300ºC. Dessa egenskaper gör den idealisk för högeffektapplikationer som hybrid- och elfordon, förnybar energi (vind och sol) installationer, och styrsystem för elnät.

Det är nu väl etablerat att ultrahög spänning (>10kV) Kiselkarbid (Sic) enhetsteknologi kommer att spela en revolutionerande roll i nästa generations elnät. Tyristorbaserade SiC-enheter erbjuder högsta prestanda i tillståndet >5 kV-enheter, och är allmänt tillämpliga på medelspänningseffektomvandlingskretsar som felströmsbegränsare, AC-DC omvandlare, Statiska VAR-kompensatorer och seriekompensatorer. SiC-baserade tyristorer erbjuder också den bästa chansen till tidig adoption på grund av deras likheter med konventionella elnätselement. Andra lovande tillämpningar och fördelar för dessa enheter inkluderar:

  • Effektstyrning och energikonditioneringssystem för mellanspänningslikströmsomvandling sökt under Future Naval Capability (FNC) av US Navy, Elektromagnetiska uppskjutningssystem, högenergivapensystem och medicinsk bildbehandling. Den 10-100X högre driftsfrekvensen möjliggör oöverträffade förbättringar i storlek, vikt, volym och slutligen, kostnaden för sådana system.
  • En mängd olika energilagring, högtemperatur- och högenergifysikapplikationer. Energilagring och kraftnätsapplikationer får allt större uppmärksamhet när världen fokuserar på mer effektiva och kostnadseffektiva energihanteringslösningar.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning.

“Vi har vuxit fram som ledande inom ultrahögspännings-SiC-teknik genom att utnyttja vår kärnkompetens inom enhets- och processdesign med en omfattande serie tillverkning, karakterisering, och testanläggningar,” avslutar Dr. Singh. "GeneSiC:s position har nu effektivt validerats av US DOE med denna betydande uppföljningspris."

Om GeneSiC Semiconductor

Strategiskt beläget nära Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter. Pågående utvecklingsprojekt inkluderar högtemperaturlikriktare, SuperJunction-transistorer (Inc) och ett brett utbud av Thyristor-baserade enheter. GeneSiC har eller har haft huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive energidepartementet, Marin, Armé, DARPA, och Department of Homeland Security. Företaget upplever för närvarande en betydande tillväxt, och anställa kvalificerad personal inom design av kraftenheter och detektorer, tillverkning, och testning. För att få reda på mer, besökwww.genesicsemi.com.

Publicerat den

Förnybar energi Thrust Nets GeneSiC Semiconductor $1,5 miljoner från US Department of Energy

DULLES, VA, november 12, 2008 – Det amerikanska energidepartementet har tilldelat GeneSiC Semiconductor två separata anslag på totalt 1,5 miljoner USD för utveckling av högspännings kiselkarbid (Sic) enheter som kommer att fungera som viktiga möjliggörare för vind- och solenergiintegration med landets elnät.

"Dessa utmärkelser visar DOE:s förtroende för GeneSiC:s kapacitet, samt dess engagemang för alternativa energilösningar,” noterar Dr. Ranbir Singh, president för GeneSiC. ”En integrerad, Effektivt elnät är avgörande för landets energiframtid - och SiC-enheterna vi utvecklar är avgörande för att övervinna ineffektiviteten hos konventionell kiselteknologi."

Den första utmärkelsen är ett fas II SBIR-bidrag på $750 000 för utveckling av snabba, ultrahögspänning SiC bipolära enheter. Den andra är ett fas II STTR-anslag på $750 000 för utveckling av optiskt grindade SiC-switchar med hög effekt.

Kiselkarbid är ett nästa generations halvledarmaterial med förmågan att hantera 10x spänningen och 100x strömmen av kisel, vilket gör den idealisk för applikationer med hög effekt som förnybar energi (vind och sol) installationer och styrsystem för elnät.

Specifikt, de två utmärkelserna är för:

  • Utveckling av högfrekventa, multikilovolt SiC gate-avstängning (GTO) kraftenheter. Offentliga och kommersiella tillämpningar inkluderar krafthanterings- och konditioneringssystem för fartyg, bruksindustrin, och medicinsk bildbehandling.
  • Design och tillverkning av optiskt grindad högspänning, högeffekt SiC-växlingsenheter. Att använda fiberoptik för att byta ström är en idealisk lösning för miljöer som plågas av elektromagnetiska störningar (EMI), och applikationer som kräver ultrahöga spänningar.

SiC-enheterna som GeneSiC utvecklar tjänar en mängd olika energilagringar, Kraftnät, och militära tillämpningar, som får allt större uppmärksamhet när världen fokuserar på mer effektiva och kostnadseffektiva energihanteringslösningar.

Baserad utanför Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter. Pågående utvecklingsprojekt inkluderar högtemperaturlikriktare, fälteffekttransistorer (FET) och bipolära enheter, såväl som partikel & fotoniska detektorer. GeneSiC har huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive energidepartementet, Marin, DARPA, och Department of Homeland Security. Företaget upplever för närvarande en betydande tillväxt, och anställa kvalificerad personal inom design av kraftenheter och detektorer, tillverkning, och testning. För att få reda på mer, besök www.genesicsemi.com.