Publicerat den 2019-06-102020-05-11 förbi Redaktör 0En 10 kV storarea 4H-SiC Power DMOSFET med stabilt undertröskelbeteende oberoende av temperatur aug, 2008En 10 kV storarea 4H-SiC Power DMOSFET med stabilt undertröskelbeteende oberoende av temperatur