Полупроводник сегодня
Октябрь 28, 2014 – GeneSiC запускает улучшенный, SiC транзисторы с пониженным сопротивлением в открытом состоянии 1700 В и 1200 В
Новости Power Electronics Europe
Сен 5, 2013 – SJT GeneSiC упоминаются как предлагающие более низкие общие потери, чем другие переключатели SiC.
Управление переключателями SiC – из журнала Compound Semiconductor Magazine (Стр. 41)
июль 29, 2013 – SJT предлагают работу, совместимую с драйвером IGBT
Журнал Compound Semiconductor (Стр. 33)
Маршировать, 2012 – SiC Electronics: Использование обещаний высоких температур
Энергетические системы Бодо (Стр. 44)
февраль, 2012 – Тиристоры из карбида кремния возвещают революцию в умных сетях
