TTI Market Eye
Апр 22, 2015 – Презентации силовых устройств на основе GaN и SiC на APEC
Составной полу-онлайн
май 14, 2015 – GeneSiC начинает предлагать транзисторные диоды с SiC переходом
Электроника
ноябрь 25, 2014 – Поддержка проектирования электроники предлагается для переключателей с самыми низкими потерями в отрасли
How2Power
ноябрь 14, 2014 – 1200-SiC-переходные транзисторы V и 1700 В должны бросить вызов SiC MOSFET и кремниевым IGBT
Журнал IEEE PELS
Мар 1, 2015 – Выполнение обещания высокотемпературной работы с устройствами из карбида кремния