опубликовано

SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ 750 В обеспечивают непревзойденную производительность и надежность

750V G3R SiC МОП-транзистор

DULLES, VA, июнь 04, 2021 — SiC МОП-транзисторы GeneSiC нового поколения 750 В G3R ™ обеспечат беспрецедентный уровень производительности., надежность и качество, превосходящие аналоги. Преимущества системы включают низкие перепады в открытом состоянии при рабочих температурах., более высокая скорость переключения, повышенная удельная мощность, минимальный звон (низкий EMI) и компактный размер системы. GeneSiC’s G3R ™, предлагается в оптимизированных дискретных корпусах с низкой индуктивностью (SMD и сквозное отверстие), оптимизированы для работы с минимальными потерями мощности во всех рабочих условиях и сверхбыстрыми скоростями переключения. Эти устройства обладают значительно лучшими характеристиками по сравнению с современными SiC MOSFET..

750V G3R SiC МОП-транзистор

«Высокоэффективное использование энергии стало критически важным достижением в преобразователях энергии следующего поколения, а силовые устройства на основе SiC продолжают оставаться ключевыми компонентами, способствующими этой революции.. После многих лет разработок работа над достижением самого низкого сопротивления в открытом состоянии и надежных характеристик при коротких замыканиях и лавинах, мы рады выпустить лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC на 750 В. Наш G3R ™ позволяет разработчикам силовой электроники решать сложные задачи по эффективности., цели по плотности мощности и качеству в таких приложениях, как солнечные инверторы, Бортовые зарядные устройства для электромобилей и серверные / телекоммуникационные источники питания. Гарантированное качество, поддержанный быстрым оборотом и крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, еще больше увеличивает их ценностное предложение. ” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Самая низкая плата за ворота в отрасли (Qграмм) и внутреннее сопротивление затвора (RG(INT))
  • Самый низкий RDS(НА) меняться с температурой
  • Низкая выходная емкость (Cнас) и емкость Миллера (CGD)
  • 100% лавина (UIL) протестировано во время производства
  • Лучшая в отрасли стойкость к короткому замыканию
  • Быстрый и надежный корпусный диод с низким VF и низкий QRR
  • Высокое и стабильное пороговое напряжение затвора (VTH) во всех температурных и дренажных условиях
  • Усовершенствованная технология упаковки для снижения термического сопротивления и звона
  • Равномерность изготовления RDS(НА), VTH и напряжение пробоя (BV)
  • Обширный портфель продуктов и более безопасная цепочка поставок с крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности

Приложения –

  • Солнечная (PV) Инверторы
  • Электромобиль / Бортовые зарядные устройства HEV
  • Сервер & Источники питания для телекоммуникаций
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • DC-DC преобразователи
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Хранение энергии и зарядка аккумуляторов
  • Индукционный нагрев

Все SiC-МОП-транзисторы GeneSiC Semiconductor предназначены для автомобильных приложений. (AEC-q101) и с поддержкой PPAP.

G3R60MT07J - 750 В 60 мОм TO-263-7 G3R&торговля SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750 В 60 мОм TO-247-4 G3R&торговля SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750 В 60 мОм TO-247-3 G3R&торговля SiC MOSFET

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Электроника

Элемент Newark Farnell14

Mouser Electronics

Стрелка Электроника

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

Новые SiC МОП-транзисторы GeneSiC 3-го поколения с лучшими в отрасли показателями качества

DULLES, VA, февраль 12, 2020 — Новое поколение SiC MOSFET 1200V G3R ™ от GeneSiC Semiconductor с RDS(НА) уровни от 20 мОм к 350 мОм обеспечивает беспрецедентный уровень производительности, надежность и качество, превосходящие аналоги. Преимущества системы включают более высокую эффективность, более высокая частота переключения, повышенная удельная мощность, уменьшение звонка (ЭМИ) и компактный размер системы.

GeneSiC объявляет о выпуске своих ведущих в отрасли полевых МОП-транзисторов из карбида кремния 3-го поколения с лучшими в отрасли характеристиками., надежность и качество для достижения невиданного ранее уровня эффективности и надежности системы в автомобильной и промышленной сфере.

Эти SiC МОП-транзисторы G3R ™, предлагается в оптимизированных дискретных корпусах с низкой индуктивностью (SMD и сквозное отверстие), оптимизированы для систем энергоснабжения, требующих повышенного уровня эффективности и сверхбыстрой скорости переключения. Эти устройства имеют значительно более высокие уровни производительности по сравнению с конкурирующими продуктами.. Гарантированное качество, поддержанный быстрым оборотом крупносерийного производства, еще больше увеличивает их ценностное предложение.

«После многих лет разработок работа над достижением самого низкого сопротивления в открытом состоянии и улучшенных характеристик короткого замыкания, мы рады выпустить лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC MOSFET на 1200 В и более 15+ продукты с дискретным и голым чипом. Если системы силовой электроники следующего поколения должны соответствовать требованиям эффективности, плотность мощности и цели качества в таких приложениях, как автомобилестроение, промышленный, Возобновляемая энергия, транспорт, IT и телеком, тогда они требуют значительно улучшенных характеристик и надежности устройства по сравнению с доступными в настоящее время SiC MOSFET.” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Superior Qграмм х RDS(НА) добродетель – SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ имеют самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии и очень низкий заряд затвора., в результате 20% лучший показатель качества, чем у любого другого аналогичного устройства конкурентов
  • Низкие потери проводимости при всех температурах – Полевые МОП-транзисторы GeneSiC обладают самой мягкой температурной зависимостью сопротивления в открытом состоянии, что обеспечивает очень низкие потери проводимости при всех температурах.; значительно лучше, чем любые другие траншейные и планарные SiC MOSFET на рынке
  • 100 % лавина испытана – Надежная способность UIL является критическим требованием для большинства полевых приложений.. Дискретные SiC-МОП-транзисторы GeneSiC на 1200 В 100 % лавина (UIL) протестировано во время производства
  • Низкий заряд затвора и низкое внутреннее сопротивление затвора – Эти параметры имеют решающее значение для реализации сверхбыстрого переключения и достижения максимальной эффективности. (низкий Eon -Eoff) в широком диапазоне частот переключения приложений
  • Нормально-стабильная работа до 175 ° C – Все SiC MOSFET-транзисторы GeneSiC спроектированы и изготовлены с использованием самых современных процессов для создания стабильной и надежной продукции в любых условиях эксплуатации без риска неисправности.. Превосходное качество оксида затвора этих устройств предотвращает возникновение порога (VTH) дрейф
  • Низкие емкости устройства – G3R ™ разработаны для более быстрого и эффективного управления с их низкими емкостями устройства - Ciss, Косс и Crss
  • Быстрый и надежный корпусный диод с низким внутренним зарядом – Полевые МОП-транзисторы GeneSiC демонстрируют низкий уровень заряда обратного восстановления (QRR) при всех температурах; 30% лучше, чем любое устройство конкурентов с аналогичным рейтингом. Это обеспечивает дальнейшее снижение потерь мощности и увеличивает рабочие частоты.
  • Легкость использования – SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ рассчитаны на питание от +15 В. / -5Привод ворот V. Это обеспечивает широчайшую совместимость с существующими коммерческими драйверами затворов IGBT и SiC MOSFET.

Приложения –

  • Электромобиль – Силовая передача и зарядка
  • Солнечный инвертор и накопитель энергии
  • Промышленный моторный привод
  • Бесперебойный источник питания (UPS)
  • Импульсный источник питания (SMPS)
  • Двунаправленные преобразователи постоянного тока в постоянный
  • Умные сети и HVDC
  • Индукционный нагрев и сварка
  • Применение импульсной мощности

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Электроника

Элемент Newark Farnell14

Mouser Electronics

Стрелка Электроника

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

Все SiC-МОП-транзисторы GeneSiC Semiconductor предназначены для автомобильных приложений. (AEC-q101) и с поддержкой PPAP. Все устройства предлагаются в промышленном стандарте D2PAK., Пакеты ТО-247 и СОТ-227.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

SiC МОП-транзисторы GeneSiC 3300 В и 1700 В 1000 мОм революционизируют миниатюризацию вспомогательных источников питания

DULLES, VA, Декабрь 4, 2020 — GeneSiC объявляет о доступности ведущих в отрасли дискретных SiC MOSFET на 3300 В и 1700 В, оптимизированных для достижения беспрецедентной миниатюризации., надежность и экономия энергии при производстве электроэнергии.

GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик комплексного портфеля карбида кремния (SiC) силовые полупроводники, объявляет о поступлении в продажу нового поколения SiC MOSFET на 3300 В и 1700 В 1000 мОм - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, и G2R1000MT33J. Эти SiC MOSFET обеспечивают превосходный уровень производительности., на основе флагманских деятелей заслуг (FoM) которые улучшают и упрощают системы энергоснабжения в накопителях энергии, Возобновляемая энергия, промышленные двигатели, инверторы общего назначения и промышленное освещение. Выпущенные продукты:

G2R1000MT33J - 3300 В, 1000 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700 В, 1000 мОм TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700 В, 1000 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700 В, 450 мОм TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700 В, 450 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

Новые SiC МОП-транзисторы GeneSiC на 3300 В и 1700 В, доступны в вариантах 1000 мОм и 450 мОм в виде дискретных корпусов SMD и сквозных отверстий, оптимизированы для систем энергоснабжения, требующих повышенного уровня эффективности и сверхбыстрой скорости переключения. Эти устройства имеют значительно более высокие уровни производительности по сравнению с конкурирующими продуктами.. Гарантированное качество, поддержанные быстрым оборотом крупносерийного производства, еще больше увеличивают их ценностное предложение.

«В таких приложениях, как солнечные инверторы на 1500 В, МОП-транзистор во вспомогательном источнике питания может выдерживать напряжения в диапазоне 2500 В., в зависимости от входного напряжения, коэффициент трансформации трансформатора и выходное напряжение. Полевые МОП-транзисторы с высоким пробивным напряжением устраняют необходимость в последовательно соединенных переключателях в Flyback, Повышающий и прямой преобразователи, что сокращает количество деталей и упрощает схему. Дискретные SiC-МОП-транзисторы GeneSiC на 3300 В и 1700 В позволяют разработчикам использовать более простую топологию на основе одного переключателя и в то же время предоставлять клиентам надежные, компактная и экономичная система” сказал Сумит Джадав, Старший менеджер по приложениям в GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Превосходный индекс цены и качества
  • Флагманский Qграмм х RDS(НА) добродетель
  • Низкая внутренняя емкость и низкий заряд затвора
  • Низкие потери при любых температурах
  • Высокая устойчивость к лавинам и коротким замыканиям
  • Контрольное пороговое напряжение для стабильной работы при нормальном выключении до 175 ° C

Приложения –

  • Возобновляемая энергия (солнечные инверторы) и хранение энергии
  • Промышленные двигатели (и связь)
  • Инверторы общего назначения
  • Промышленное освещение
  • Пьезо драйверы
  • Генераторы ионных пучков

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..