опубликовано

GeneSiC выпускает лучшие в отрасли 1700 В SiC Schottky MPS™ диоды

DULLES, VA, Январь 7, 2019 — GeneSiC выпускает полный портфель своих 1700 В SiC диодов Шоттки MPS ™ третьего поколения в корпусе TO-247-2.

GeneSiC представила GB05MPS17-247, ГБ10MPS17-247, GB25MPS17-247 и GB50MPS17-247; Лучшие в отрасли диоды на 1700 В SiC, доступные в популярном сквозном корпусе TO-247-2. Эти SiC-диоды на 1700 В заменяют кремниевые диоды сверхбыстрого восстановления и другие SiC-диоды на 1700 В старого поколения JBS., позволяет инженерам создавать схемы переключения с большей эффективностью и большей удельной мощностью. Ожидается, что приложения будут включать устройства быстрой зарядки электромобилей., моторные приводы, источники питания для транспорта и возобновляемые источники энергии.

GB50MPS17-247 - SiC-диод с объединенным PiN-шоттки, 1700 В, 50 А., дискретный силовой диод SiC с самым высоким в отрасли номинальным током. Эти недавно выпущенные диоды имеют низкое прямое падение напряжения., нулевое прямое восстановление, нулевое обратное восстановление, низкая емкость перехода и рассчитаны на максимальную рабочую температуру 175 ° C. Технология SiC диодов Шоттки третьего поколения от GeneSiC обеспечивает лучшую в отрасли устойчивость к лавинам и импульсным токам (Ifsm) надежность, в сочетании с высококачественным 6-дюймовым литейным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, и передовой высоконадежной технологией дискретной сборки.

Эти SiC-диоды являются прямой заменой других диодов, доступных в корпусе TO-247-2.. Выгода от более низких потерь мощности (работа кулера) и возможность высокочастотного переключения, теперь дизайнеры могут достичь большей эффективности преобразования и большей удельной мощности в проектах.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.

опубликовано

Мульти-кГц, Образцы карбидокремниевых тиристоров сверхвысокого напряжения переданы американским исследователям

DULLES, VA, Ноябрь 1, 2010 –В первом в своем роде предложении, GeneSiC Semiconductor объявляет о выпуске семейства карбидокремниевых тиристоров с режимом SCR 6,5 кВ для использования в силовой электронике для приложений Smart Grid.. Ожидается, что революционные преимущества производительности этих силовых устройств будут стимулировать ключевые инновации в аппаратном обеспечении силовой электроники коммунального масштаба, чтобы повысить доступность и использование распределенных энергетических ресурсов. (НАШИ). "До настоящего времени, мульти-кВ карбид кремния (SiC) Силовые устройства не были доступны американским исследователям, чтобы в полной мере использовать хорошо известные преимущества силовых устройств на основе карбида кремния, а именно рабочие частоты 2-10 кГц при номинальном напряжении 5-15 кВ». прокомментировал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC. «GeneSiC недавно завершила поставку многих 6,5 кВ/40 А, 6.5кВ/60А и 6,5кВ/80А тиристоры нескольким клиентам, проводящим исследования в области возобновляемых источников энергии, Применение в армейских и военно-морских силовых системах. Устройства SiC с такими рейтингами теперь предлагаются более широко».

Тиристоры на основе карбида кремния обеспечивают в 10 раз более высокое напряжение, 100X более высокая частота переключения и работа при более высоких температурах по сравнению с обычными тиристорами на основе кремния. Возможности исследования целевых приложений для этих устройств включают преобразование энергии среднего напряжения общего назначения. (МВДЦ), Сетевые солнечные инверторы, инверторы энергии ветра, импульсная мощность, системы вооружения, контроль зажигания, и управление триггером. В настоящее время хорошо известно, что сверхвысокое напряжение (>10кВ) Карбид кремния (SiC) Технология устройств сыграет революционную роль в инженерной сети нового поколения.. Устройства SiC на основе тиристоров обеспечивают высочайшую производительность в открытом состоянии для >5 кВ устройства, и широко применяются в схемах преобразования мощности среднего напряжения, таких как ограничители тока короткого замыкания., Преобразователи переменного тока в постоянный, Статические компенсаторы реактивной мощности и последовательные компенсаторы. Тиристоры на основе карбида кремния также имеют наилучшие шансы на раннее внедрение из-за их сходства с обычными элементами энергосистемы.. Развертывание этих передовых силовых полупроводниковых технологий может обеспечить 25-30 процентное снижение потребления электроэнергии за счет повышения эффективности подачи электроэнергии.

доктор. Сингх продолжает: «Ожидается, что крупные рынки полупроводниковых электрических подстанций и генераторов ветряных турбин откроются после того, как исследователи в области преобразования энергии полностью осознают преимущества SiC-тиристоров.. Эти SiC-тиристоры первого поколения используют самое низкое продемонстрированное падение напряжения в открытом состоянии и дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, когда-либо достигнутые в SiC-тиристорах.. Мы намерены выпустить будущие поколения тиристоров SiC, оптимизированных для возможности выключения с управлением затвором и >10кВ номиналы. Поскольку мы продолжаем разрабатывать высокотемпературные упаковочные решения для сверхвысокого напряжения, настоящие тиристоры 6,5 кВ упакованы в модули с полностью припаянными контактами, ограничивается температурой перехода 150°C». GeneSiC является быстро развивающимся новатором в области силовых устройств SiC и твердо привержена разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи.

Расположен недалеко от Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., Транзисторы с суперпереходом (СДТ) и широкий спектр устройств на основе тиристоров. GeneSiC имеет или имела основные/субконтракты с крупными правительственными учреждениями США., в том числе министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетите www.genesicsemi.com.

опубликовано

GeneSiC выиграла 2,53 миллиона долларов от ARPA-E на разработку устройств на основе тиристоров из карбида кремния

DULLES, VA, сентябрь 28, 2010 – Агентство перспективных исследовательских проектов – Энергетика (АРПА-Э) заключила соглашение о сотрудничестве с командой GeneSiC Semiconductor для разработки нового сверхвысоковольтного карбида кремния. (SiC) Устройства на тиристорах. Ожидается, что эти устройства станут ключевыми факторами интеграции крупномасштабных ветряных и солнечных электростанций в интеллектуальную сеть следующего поколения..

«Эта высококонкурентная награда для GeneSiC позволит нам расширить наше техническое лидерство в технологии карбида кремния с напряжением в несколько киловольт., а также наша приверженность решениям для альтернативной энергетики в масштабе сети с твердотельными решениями,— прокомментировал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC. «Разрабатываемые нами многокиловольтные SiC-тиристоры являются ключевой технологией, позволяющей реализовать гибкие системы передачи переменного тока. (ФАКТЫ) элементов и постоянного тока высокого напряжения (HVDC) архитектуры, предназначенные для интегрированного, эффективный, Умная сеть будущего. Тиристоры GeneSiC на основе карбида кремния обеспечивают в 10 раз более высокое напряжение, 100X более высокая частота переключения и работа при более высоких температурах в решениях для обработки электроэнергии FACTS и HVDC по сравнению с обычными тиристорами на основе кремния».

В апреле 2010, GeneSiC отреагировала на Agile Delivery of Electrical Power Technology (АДЕПТ) запрос от ARPA-E, который стремился инвестировать в материалы для фундаментальных достижений в высоковольтных переключателях, которые потенциально могут превзойти существующие характеристики преобразователя мощности, предлагая снижение стоимости.. Предложение компании под названием «Тиристор с переключаемым анодом на основе карбида кремния для преобразования энергии среднего напряжения» было выбрано для обеспечения легкого, твердое состояние, преобразование энергии среднего напряжения для приложений высокой мощности, таких как полупроводниковые электрические подстанции и генераторы ветряных турбин. Развертывание этих передовых силовых полупроводниковых технологий может обеспечить 25-30 процентное снижение потребления электроэнергии за счет повышения эффективности подачи электроэнергии. Выбранные инновации должны были поддерживать и продвигать США.. бизнес через технологическое лидерство, через высококонкурентный процесс.

Карбид кремния — это полупроводниковый материал нового поколения, свойства которого значительно превосходят свойства обычного кремния., например, способность выдерживать десятикратное превышение напряжения и стократное превышение силы тока при температурах до 300ºC.. Эти характеристики делают его идеально подходящим для мощных приложений, таких как гибридные и электрические транспортные средства., Возобновляемая энергия (ветер и солнце) инсталляции, и системы управления электрическими сетями.

В настоящее время хорошо известно, что сверхвысокое напряжение (>10кВ) Карбид кремния (SiC) Технология устройств сыграет революционную роль в инженерной сети нового поколения.. Устройства SiC на основе тиристоров обеспечивают высочайшую производительность в открытом состоянии для >5 кВ устройства, и широко применяются в схемах преобразования мощности среднего напряжения, таких как ограничители тока короткого замыкания., Преобразователи переменного тока в постоянный, Статические компенсаторы реактивной мощности и последовательные компенсаторы. Тиристоры на основе карбида кремния также имеют наилучшие шансы на раннее внедрение из-за их сходства с обычными элементами энергосистемы.. Другие перспективные области применения и преимущества этих устройств включают::

  • Системы управления питанием и кондиционирования питания для преобразования постоянного тока среднего напряжения запрашиваются в рамках Future Naval Capability. (ФНК) ВМС США, Электромагнитные пусковые системы, системы высокоэнергетического оружия и медицинская визуализация. В 10-100 раз более высокая рабочая частота позволяет беспрецедентно увеличить размеры., масса, объем и в итоге, стоимость таких систем.
  • Разнообразие накопителей энергии, приложения физики высоких температур и высоких энергий. Приложения для хранения энергии и электросетей получают все большее внимание, поскольку мир сосредотачивается на более эффективных и экономичных решениях по управлению энергопотреблением..

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи.

“Мы стали лидером в области технологии карбида кремния сверхвысокого напряжения, используя нашу основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов с обширным набором производственных мощностей., характеристика, и испытательные установки,- заключает доктор. Сингх. «Позиция GeneSiC теперь была эффективно подтверждена Министерством энергетики США с этой значительной последующей наградой».

О компании GeneSiC Semiconductor

Стратегически расположен недалеко от Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., Транзисторы с суперпереходом (СДТ) и широкий спектр устройств на основе тиристоров. GeneSiC имеет или имела основные/субконтракты с крупными правительственными учреждениями США., в том числе министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетитеwww.genesicsemi.com.

опубликовано

Компания GeneSiC Semiconductor продвигает возобновляемые источники энергии на 1,5 миллиона долларов от Министерства энергетики США

DULLES, VA, Ноябрь 12, 2008 – Министерство энергетики США предоставило компании GeneSiC Semiconductor два отдельных гранта на общую сумму 1,5 миллиона долларов на разработку высоковольтного карбида кремния. (SiC) устройства, которые будут служить ключевыми инструментами для ветра- и интеграция солнечной энергии с электросетью страны.

«Эти награды демонстрируют уверенность Министерства энергетики в возможностях GeneSiC., а также приверженность альтернативным энергетическим решениям,»Отмечает доктор. Ранбир Сингх, президент GeneSiC. «Интегрированная, эффективная электросеть имеет решающее значение для энергетического будущего страны, а разрабатываемые нами SiC-устройства имеют решающее значение для преодоления неэффективности традиционных кремниевых технологий ».

Первая награда - это грант Phase II SBIR в размере 750 тыс. Долларов на разработку быстрых, SiC биполярные устройства сверхвысокого напряжения. Второй - грант Phase II STTR в размере 750 тыс. Долларов на разработку мощных SiC-переключателей с оптическим стробированием..

Карбид кремния - это полупроводниковый материал нового поколения, способный выдерживать 10-кратное напряжение и 100-кратный ток кремния., что делает его идеально подходящим для мощных приложений, таких как возобновляемые источники энергии. (ветер и солнце) установки и системы управления электросетью.

Конкретно, две награды предназначены для:

  • Развитие высокочастотного, отключение затвора из SiC на несколько киловольт (GTO) силовые устройства. Государственные и коммерческие приложения включают системы управления питанием и кондиционирования для судов., коммунальная промышленность, и медицинская визуализация.
  • Проектирование и изготовление оптически закрытых высоковольтных, коммутационные устройства на основе SiC высокой мощности. Использование оптоволокна для переключения питания - идеальное решение для сред, подверженных электромагнитным помехам. (ЭМИ), и приложения, требующие сверхвысокого напряжения.

Устройства SiC, разрабатываемые GeneSiC, служат для хранения разнообразной энергии., Энергосистема, и военное применение, которые привлекают все большее внимание, поскольку мир фокусируется на более эффективных и рентабельных решениях по управлению энергопотреблением..

Находится за пределами Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., полевые транзисторы (Полевые транзисторы) и биполярные устройства, а также частица & фотонные детекторы. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США., в том числе министерство энергетики, Флот, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетите www.genesicsemi.com.

опубликовано

GeneSiC Semiconductor получил несколько грантов Министерства энергетики США SBIR и STTR

DULLES, VA, Октябрь 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., быстро развивающийся новатор в области высоких температур, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, объявила о присуждении трех отдельных грантов для малого бизнеса от Министерства энергетики США в 2007 финансовом году.. Гранты SBIR и STTR будут использоваться GeneSiC для демонстрации новых высоковольтных устройств SiC для различных накопителей энергии., Энергосистема, приложения физики высоких температур и высоких энергий. Приложениям для хранения энергии и электросетей уделяется все больше внимания, поскольку мир сосредотачивается на более эффективных и рентабельных решениях для управления энергопотреблением..

“Мы довольны уровнем доверия, выраженным различными офисами Министерства энергетики США в отношении наших решений для устройств большой мощности.. Вливание этого финансирования в наши передовые технологические программы SiC приведет к созданию лидирующих в отрасли устройств SiC.,” прокомментировал президент GeneSiC, доктор. Ранбир Сингх. “Устройства, разрабатываемые в этих проектах, обещают предоставить критически важные технологии для поддержки более эффективной энергосистемы., и откроет дверь для новой коммерческой и военной техники, которая осталась нереализованной из-за ограничений современных кремниевых технологий.”

Три проекта включают:

  • Новая награда SBIR Фазы I сосредоточена на сильноточных, Устройства на базе тиристоров на несколько кВ, предназначенные для хранения энергии.
  • Последующая награда SBIR за разработку силовых устройств на основе SiC на несколько киловольт для высоковольтных источников питания для мощных высокочастотных систем, присужденная Управлением науки Министерства энергетики США..
  • Награда Phase I STTR, посвященная высоковольтным устройствам с оптическим затвором., высокочастотные силовые устройства SiC для сред, богатых электромагнитными помехами, в том числе мощные высокочастотные энергетические системы, и систем оружия направленной энергии.

Наряду с наградами, Компания GeneSiC недавно переехала в расширенную лабораторию и офисное здание в Даллесе., Вирджиния, значительно модернизируя свое оборудование, инфраструктуры и находится в процессе добавления дополнительного ключевого персонала.

“GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов., поддерживая это с доступом к обширному набору изготовления, оборудование для характеризации и тестирования,” заключил д-р. Сингх. “Мы считаем, что эти возможности были эффективно подтверждены Министерством энергетики США этими новыми и последующими наградами.”

Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетив www.genesicsemi.com.