опубликовано

5SiC-диоды Шоттки MPS ™ поколения 650 В для лучшей в своем классе эффективности

Gen5 650V SiC Schottky MPS ™

DULLES, VA, май 28, 2021 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик карбида кремния (SiC) силовые полупроводниковые приборы, объявляет о доступности 5-го поколения (GE *** серия) Выпрямители SiC Schottky MPS ™, которые устанавливают новый стандарт благодаря своему превосходному показателю цены и качества., лучшая в отрасли устойчивость к импульсным токам и лавинам, и качественное изготовление.

«GeneSiC был одним из первых производителей SiC, который начал коммерческую поставку SiC-выпрямителей Шоттки в 2011. После более чем десятилетия поставок высокопроизводительных и качественных SiC выпрямителей в промышленность, мы рады выпустить наше 5-е поколение SiC Schottky MPS ™ (Объединенный-ПиН-Шоттки) диоды, обеспечивающие лучшую в отрасли производительность во всех аспектах для достижения целей высокой эффективности и удельной мощности в таких приложениях, как серверные / телекоммуникационные источники питания и зарядные устройства. Революционная особенность, которая делает наше 5-е поколение (GE *** серия) SiC диоды Шоттки MPS ™ выделяются среди аналогов низким встроенным напряжением. (также известный как напряжение колена);он обеспечивает самые низкие потери проводимости диодов при любых условиях нагрузки, что имеет решающее значение для приложений, требующих высокоэффективного использования энергии.. В отличие от диодов других конкурентов, SiC-диоды также обладают характеристиками с низким уровнем перегиба., дополнительная особенность наших диодов Gen5 заключается в том, что они по-прежнему выдерживают высокий уровень лавинной (UIL) надежность, которую наши клиенты ожидают от GeneSiC Gen3 (GC *** серия) и Gen4 (GD *** серия) SiC Schottky MPS ™” сказал доктор. Сиддхарт Сундаресан, Вице-президент по технологиям GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Низкое встроенное напряжение – Самые низкие потери проводимости для всех условий нагрузки
  • Высшая фигура заслуг – QC x VF
  • Оптимальная цена
  • Расширенные возможности импульсного тока
  • 100% Лавина (UIL) Проверено
  • Низкое тепловое сопротивление для работы в режиме охлаждения
  • Нулевое прямое и обратное восстановление
  • Температурно-независимое быстрое переключение
  • Положительный температурный коэффициент VF

Приложения –

  • Повышающий диод в коррекции коэффициента мощности (PFC)
  • Источники питания для серверов и телекоммуникаций
  • Солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • Свободный ход / Антипараллельный диод в инверторах

GE04MPS06E - 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06E - 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06E - 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06E - 650 В 10 А TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE04MPS06A - 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06A - 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06A - 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06A - 650 В 10 А TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE12MPS06A - 650 В 12 А TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE2X8MPS06D - 650 В 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

GE2X10MPS06D - 650 В 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

GeneSiC выигрывает престижную премию R&Награда D100 за монолитный транзисторно-выпрямительный переключатель на основе карбида кремния

DULLES, VA, Декабрь 5, 2019 — р&Журнал D выбрал GeneSiC Semiconductor Inc.. Даллеса, VA как лауреат престижной 2019 р&Д 100 Награда за разработку монолитного транзисторно-выпрямительного коммутатора на основе SiC..

GeneSiC Semiconductor Inc., ключевой новатор в силовых устройствах на основе карбида кремния был удостоен чести объявить о том, что он был удостоен престижной награды 2019 р&Д 100 Награда. Эта награда присуждается GeneSiC за внедрение одного из самых значительных, недавно представленные достижения в области исследований и разработок среди нескольких дисциплин во время 2018. р&Журнал D Magazine признал технологию GeneSiC SiC для устройств среднего напряжения за ее способность монолитно интегрировать полевой МОП-транзистор и выпрямитель Шоттки на одном кристалле.. Эти возможности, достигнутые устройством GeneSiC, позволяют исследователям силовой электроники разрабатывать силовые электронные системы нового поколения, такие как инверторы и преобразователи постоянного тока.. Это позволит разрабатывать продукты для электромобилей., зарядная инфраструктура, возобновляемые источники энергии и отрасли хранения энергии. GeneSiC получила заказы от нескольких клиентов на демонстрацию передового оборудования силовой электроники с использованием этих устройств и продолжает развивать свое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов.. Р&Ранняя версия D для приложений преобразования энергии была разработана Департаментом США.. энергетики и сотрудничество с Sandia National Laboratories.

Ежегодный технологический конкурс, проводимый R&Журнал D оценил работы различных компаний и игроков отрасли., исследовательские организации и университеты по всему миру. В качестве судей выступили редакторы журнала и группа внешних экспертов., оценка каждой записи с точки зрения ее важности для мира науки и исследований.

Согласно Р&Журнал Д, выиграть R&Д 100 Награда представляет собой знак качества, известный в отрасли, правительство, и научное сообщество как доказательство того, что продукт является одной из самых инновационных идей года.. Эта награда признает GeneSiC мировым лидером в создании продуктов на основе технологий, которые меняют то, как мы работаем и живем..

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.

опубликовано

Сильноточная 650 В, 1200SiC диоды Шоттки MPS ™ V и 1700 В в корпусе мини-модуля SOT-227

DULLES, VA, май 11, 2019 — GeneSiC становится лидером на рынке сильноточных (100 А и 200 А) SiC диоды Шоттки в мини-модуле SOT-227

GeneSiC представила GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 и GC2X100MPS06-227; SiC диоды Шоттки с максимальным в отрасли номинальным током 650 В и 1700 В, добавление к существующему портфелю мини-модулей SiC диодов Шоттки на 1200 В - GB2X50MPS12-227 и GB2X100MPS12-227. Эти SiC-диоды заменяют кремниевые сверхбыстрые диоды восстановления., позволяет инженерам создавать схемы переключения с большей эффективностью и большей удельной мощностью. Ожидается, что приложения будут включать устройства быстрой зарядки электромобилей., моторные приводы, источники питания для транспорта, выпрямители высокой мощности и промышленные источники питания.

В дополнение к изолированной опорной плите пакета SOT-227 мини-модуля, эти недавно выпущенные диоды имеют низкое прямое падение напряжения, нулевое прямое восстановление, нулевое обратное восстановление, низкая емкость перехода и рассчитаны на максимальную рабочую температуру 175 ° C. Технология SiC диодов Шоттки третьего поколения от GeneSiC обеспечивает лучшую в отрасли устойчивость к лавинам и импульсным токам (Ifsm) надежность, в сочетании с высококачественным 6-дюймовым корпусом, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, и передовой технологией дискретной сборки с высокой надежностью.

Эти SiC-диоды являются прямой заменой других диодов, доступных в SOT-227. (мини-модуль) упаковка. Выгода от более низких потерь мощности (работа кулера) и возможность высокочастотного переключения, теперь дизайнеры могут достичь большей эффективности преобразования и большей удельной мощности в проектах.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.

опубликовано

GeneSiC выпускает лучшие в отрасли 1700 В SiC Schottky MPS™ диоды

DULLES, VA, Январь 7, 2019 — GeneSiC выпускает полный портфель своих 1700 В SiC диодов Шоттки MPS ™ третьего поколения в корпусе TO-247-2.

GeneSiC представила GB05MPS17-247, ГБ10MPS17-247, GB25MPS17-247 и GB50MPS17-247; Лучшие в отрасли диоды на 1700 В SiC, доступные в популярном сквозном корпусе TO-247-2. Эти SiC-диоды на 1700 В заменяют кремниевые диоды сверхбыстрого восстановления и другие SiC-диоды на 1700 В старого поколения JBS., позволяет инженерам создавать схемы переключения с большей эффективностью и большей удельной мощностью. Ожидается, что приложения будут включать устройства быстрой зарядки электромобилей., моторные приводы, источники питания для транспорта и возобновляемые источники энергии.

GB50MPS17-247 - SiC-диод с объединенным PiN-шоттки, 1700 В, 50 А., дискретный силовой диод SiC с самым высоким в отрасли номинальным током. Эти недавно выпущенные диоды имеют низкое прямое падение напряжения., нулевое прямое восстановление, нулевое обратное восстановление, низкая емкость перехода и рассчитаны на максимальную рабочую температуру 175 ° C. Технология SiC диодов Шоттки третьего поколения от GeneSiC обеспечивает лучшую в отрасли устойчивость к лавинам и импульсным токам (Ifsm) надежность, в сочетании с высококачественным 6-дюймовым литейным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, и передовой высоконадежной технологией дискретной сборки.

Эти SiC-диоды являются прямой заменой других диодов, доступных в корпусе TO-247-2.. Выгода от более низких потерь мощности (работа кулера) и возможность высокочастотного переключения, теперь дизайнеры могут достичь большей эффективности преобразования и большей удельной мощности в проектах.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.