опубликовано

Ведущие в отрасли SiC-МОП-транзисторы на 6,5 кВ от GeneSiC – Авангард новой волны приложений

6.5SiC MOSFET кВ

DULLES, VA, Октябрь 20, 2020 — GeneSiC выпускает полевые МОП-транзисторы из карбида кремния 6,5 кВ, чтобы стать лидером в обеспечении беспрецедентного уровня производительности., эффективность и надежность в приложениях преобразования энергии среднего напряжения, таких как тяга, импульсная энергетика и инфраструктура интеллектуальных сетей.

GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) силовые полупроводники, объявляет о поступлении в продажу голых чипов SiC MOSFET на 6,5 кВ - G2R300MT65-CAL и G2R325MS65-CAL. Полные модули SiC, использующие эту технологию, скоро будут выпущены. Ожидается, что приложения будут включать тягу, импульсная мощность, инфраструктура интеллектуальных сетей и другие преобразователи среднего напряжения.

G2R300MT65-CAL - 6,5 кВ, 300 мОм, G2R ™ SiC MOSFET, чистый чип

G2R325MS65-CAL - SiC MOSFET 6,5 кВ 325 мОм G2R ™ (с интегрированным-Шоттки) Голый чип

G2R100MT65-CAL - Пустой чип SiC MOSFET 6,5 кВ 100 мОм G2R ™

Инновация GeneSiC включает двукратно имплантированный металлооксидный полупроводник SiC. (DMOSFET) Конструкция устройства с переходным барьером Шоттки (JBS) выпрямитель, встроенный в элементарную ячейку SiC DMOSFET. Это передовое силовое устройство может использоваться в различных схемах преобразования энергии в системах преобразования энергии следующего поколения.. Другие важные преимущества включают более эффективную двунаправленную работу., независимое от температуры переключение, низкие потери переключения и проводимости, снижение требований к охлаждению, превосходная долговременная надежность, простота параллельного подключения устройств и экономическая выгода. Технология GeneSiC предлагает превосходные характеристики, а также имеет потенциал для уменьшения чистого следа материала SiC в преобразователях мощности..

“SiC МОП-транзисторы GeneSiC на 6,5 кВ спроектированы и изготовлены на 6-дюймовых пластинах для обеспечения низкого сопротивления в открытом состоянии., высшее качество, и превосходный индекс цены и качества. Эта технология MOSFET нового поколения обещает образцовые характеристики., превосходная прочность и долговременная надежность в системах преобразования энергии среднего напряжения.” сказал доктор. Сиддхарт Сундаресан, Вице-президент по технологиям в GeneSiC Semiconductor.

Особенности технологии 6,5 кВ G2R ™ SiC MOSFET от GeneSiC –

  • Высокая лавина (СИЮ) и стойкость к короткому замыканию
  • Superior Qграмм х RDS(НА) добродетель
  • Температурно-независимые коммутационные потери
  • Низкие емкости и низкий заряд затвора
  • Низкие потери при любых температурах
  • Нормально-стабильная работа до 175 ° C
  • +20 V / -5 Привод ворот V

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

GeneSiC выиграла 2,53 миллиона долларов от ARPA-E на разработку устройств на основе тиристоров из карбида кремния

DULLES, VA, сентябрь 28, 2010 – Агентство перспективных исследовательских проектов – Энергетика (АРПА-Э) заключила соглашение о сотрудничестве с командой GeneSiC Semiconductor для разработки нового сверхвысоковольтного карбида кремния. (SiC) Устройства на тиристорах. Ожидается, что эти устройства станут ключевыми факторами интеграции крупномасштабных ветряных и солнечных электростанций в интеллектуальную сеть следующего поколения..

«Эта высококонкурентная награда для GeneSiC позволит нам расширить наше техническое лидерство в технологии карбида кремния с напряжением в несколько киловольт., а также наша приверженность решениям для альтернативной энергетики в масштабе сети с твердотельными решениями,— прокомментировал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC. «Разрабатываемые нами многокиловольтные SiC-тиристоры являются ключевой технологией, позволяющей реализовать гибкие системы передачи переменного тока. (ФАКТЫ) элементов и постоянного тока высокого напряжения (HVDC) архитектуры, предназначенные для интегрированного, эффективный, Умная сеть будущего. Тиристоры GeneSiC на основе карбида кремния обеспечивают в 10 раз более высокое напряжение, 100X более высокая частота переключения и работа при более высоких температурах в решениях для обработки электроэнергии FACTS и HVDC по сравнению с обычными тиристорами на основе кремния».

В апреле 2010, GeneSiC отреагировала на Agile Delivery of Electrical Power Technology (АДЕПТ) запрос от ARPA-E, который стремился инвестировать в материалы для фундаментальных достижений в высоковольтных переключателях, которые потенциально могут превзойти существующие характеристики преобразователя мощности, предлагая снижение стоимости.. Предложение компании под названием «Тиристор с переключаемым анодом на основе карбида кремния для преобразования энергии среднего напряжения» было выбрано для обеспечения легкого, твердое состояние, преобразование энергии среднего напряжения для приложений высокой мощности, таких как полупроводниковые электрические подстанции и генераторы ветряных турбин. Развертывание этих передовых силовых полупроводниковых технологий может обеспечить 25-30 процентное снижение потребления электроэнергии за счет повышения эффективности подачи электроэнергии. Выбранные инновации должны были поддерживать и продвигать США.. бизнес через технологическое лидерство, через высококонкурентный процесс.

Карбид кремния — это полупроводниковый материал нового поколения, свойства которого значительно превосходят свойства обычного кремния., например, способность выдерживать десятикратное превышение напряжения и стократное превышение силы тока при температурах до 300ºC.. Эти характеристики делают его идеально подходящим для мощных приложений, таких как гибридные и электрические транспортные средства., Возобновляемая энергия (ветер и солнце) инсталляции, и системы управления электрическими сетями.

В настоящее время хорошо известно, что сверхвысокое напряжение (>10кВ) Карбид кремния (SiC) Технология устройств сыграет революционную роль в инженерной сети нового поколения.. Устройства SiC на основе тиристоров обеспечивают высочайшую производительность в открытом состоянии для >5 кВ устройства, и широко применяются в схемах преобразования мощности среднего напряжения, таких как ограничители тока короткого замыкания., Преобразователи переменного тока в постоянный, Статические компенсаторы реактивной мощности и последовательные компенсаторы. Тиристоры на основе карбида кремния также имеют наилучшие шансы на раннее внедрение из-за их сходства с обычными элементами энергосистемы.. Другие перспективные области применения и преимущества этих устройств включают::

  • Системы управления питанием и кондиционирования питания для преобразования постоянного тока среднего напряжения запрашиваются в рамках Future Naval Capability. (ФНК) ВМС США, Электромагнитные пусковые системы, системы высокоэнергетического оружия и медицинская визуализация. В 10-100 раз более высокая рабочая частота позволяет беспрецедентно увеличить размеры., масса, объем и в итоге, стоимость таких систем.
  • Разнообразие накопителей энергии, приложения физики высоких температур и высоких энергий. Приложения для хранения энергии и электросетей получают все большее внимание, поскольку мир сосредотачивается на более эффективных и экономичных решениях по управлению энергопотреблением..

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи.

“Мы стали лидером в области технологии карбида кремния сверхвысокого напряжения, используя нашу основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов с обширным набором производственных мощностей., характеристика, и испытательные установки,- заключает доктор. Сингх. «Позиция GeneSiC теперь была эффективно подтверждена Министерством энергетики США с этой значительной последующей наградой».

О компании GeneSiC Semiconductor

Стратегически расположен недалеко от Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., Транзисторы с суперпереходом (СДТ) и широкий спектр устройств на основе тиристоров. GeneSiC имеет или имела основные/субконтракты с крупными правительственными учреждениями США., в том числе министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетитеwww.genesicsemi.com.