DULLES, VA, июнь 04, 2021 — SiC МОП-транзисторы GeneSiC нового поколения 750 В G3R ™ обеспечат беспрецедентный уровень производительности., надежность и качество, превосходящие аналоги. Преимущества системы включают низкие перепады в открытом состоянии при рабочих температурах., более высокая скорость переключения, повышенная удельная мощность, минимальный звон (низкий EMI) и компактный размер системы. GeneSiC’s G3R ™, предлагается в оптимизированных дискретных корпусах с низкой индуктивностью (SMD и сквозное отверстие), оптимизированы для работы с минимальными потерями мощности во всех рабочих условиях и сверхбыстрыми скоростями переключения. Эти устройства обладают значительно лучшими характеристиками по сравнению с современными SiC MOSFET..
«Высокоэффективное использование энергии стало критически важным достижением в преобразователях энергии следующего поколения, а силовые устройства на основе SiC продолжают оставаться ключевыми компонентами, способствующими этой революции.. После многих лет разработок работа над достижением самого низкого сопротивления в открытом состоянии и надежных характеристик при коротких замыканиях и лавинах, мы рады выпустить лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC на 750 В. Наш G3R ™ позволяет разработчикам силовой электроники решать сложные задачи по эффективности., цели по плотности мощности и качеству в таких приложениях, как солнечные инверторы, Бортовые зарядные устройства для электромобилей и серверные / телекоммуникационные источники питания. Гарантированное качество, поддержанный быстрым оборотом и крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, еще больше увеличивает их ценностное предложение. ” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
Характеристики –
- Самая низкая плата за ворота в отрасли (Qграмм) и внутреннее сопротивление затвора (RG(INT))
- Самый низкий RDS(НА) меняться с температурой
- Низкая выходная емкость (Cнас) и емкость Миллера (CGD)
- 100% лавина (UIL) протестировано во время производства
- Лучшая в отрасли стойкость к короткому замыканию
- Быстрый и надежный корпусный диод с низким VF и низкий QRR
- Высокое и стабильное пороговое напряжение затвора (VTH) во всех температурных и дренажных условиях
- Усовершенствованная технология упаковки для снижения термического сопротивления и звона
- Равномерность изготовления RDS(НА), VTH и напряжение пробоя (BV)
- Обширный портфель продуктов и более безопасная цепочка поставок с крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности
Приложения –
- Солнечная (PV) Инверторы
- Электромобиль / Бортовые зарядные устройства HEV
- Сервер & Источники питания для телекоммуникаций
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- DC-DC преобразователи
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Хранение энергии и зарядка аккумуляторов
- Индукционный нагрев
Все SiC-МОП-транзисторы GeneSiC Semiconductor предназначены для автомобильных приложений. (AEC-q101) и с поддержкой PPAP.
G3R60MT07J - 750 В 60 мОм TO-263-7 G3R&торговля SiC MOSFET
G3R60MT07K - 750 В 60 мОм TO-247-4 G3R&торговля SiC MOSFET
G3R60MT07D - 750 В 60 мОм TO-247-3 G3R&торговля SiC MOSFET
Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ или свяжитесь с sales@genesicsemi.com
Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support
О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..
