опубликовано

SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ 750 В обеспечивают непревзойденную производительность и надежность

750V G3R SiC МОП-транзистор

DULLES, VA, июнь 04, 2021 — SiC МОП-транзисторы GeneSiC нового поколения 750 В G3R ™ обеспечат беспрецедентный уровень производительности., надежность и качество, превосходящие аналоги. Преимущества системы включают низкие перепады в открытом состоянии при рабочих температурах., более высокая скорость переключения, повышенная удельная мощность, минимальный звон (низкий EMI) и компактный размер системы. GeneSiC’s G3R ™, предлагается в оптимизированных дискретных корпусах с низкой индуктивностью (SMD и сквозное отверстие), оптимизированы для работы с минимальными потерями мощности во всех рабочих условиях и сверхбыстрыми скоростями переключения. Эти устройства обладают значительно лучшими характеристиками по сравнению с современными SiC MOSFET..

750V G3R SiC МОП-транзистор

«Высокоэффективное использование энергии стало критически важным достижением в преобразователях энергии следующего поколения, а силовые устройства на основе SiC продолжают оставаться ключевыми компонентами, способствующими этой революции.. После многих лет разработок работа над достижением самого низкого сопротивления в открытом состоянии и надежных характеристик при коротких замыканиях и лавинах, мы рады выпустить лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC на 750 В. Наш G3R ™ позволяет разработчикам силовой электроники решать сложные задачи по эффективности., цели по плотности мощности и качеству в таких приложениях, как солнечные инверторы, Бортовые зарядные устройства для электромобилей и серверные / телекоммуникационные источники питания. Гарантированное качество, поддержанный быстрым оборотом и крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, еще больше увеличивает их ценностное предложение. ” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Самая низкая плата за ворота в отрасли (Qграмм) и внутреннее сопротивление затвора (RG(INT))
  • Самый низкий RDS(НА) меняться с температурой
  • Низкая выходная емкость (Cнас) и емкость Миллера (CGD)
  • 100% лавина (UIL) протестировано во время производства
  • Лучшая в отрасли стойкость к короткому замыканию
  • Быстрый и надежный корпусный диод с низким VF и низкий QRR
  • Высокое и стабильное пороговое напряжение затвора (VTH) во всех температурных и дренажных условиях
  • Усовершенствованная технология упаковки для снижения термического сопротивления и звона
  • Равномерность изготовления RDS(НА), VTH и напряжение пробоя (BV)
  • Обширный портфель продуктов и более безопасная цепочка поставок с крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности

Приложения –

  • Солнечная (PV) Инверторы
  • Электромобиль / Бортовые зарядные устройства HEV
  • Сервер & Источники питания для телекоммуникаций
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • DC-DC преобразователи
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Хранение энергии и зарядка аккумуляторов
  • Индукционный нагрев

Все SiC-МОП-транзисторы GeneSiC Semiconductor предназначены для автомобильных приложений. (AEC-q101) и с поддержкой PPAP.

G3R60MT07J - 750 В 60 мОм TO-263-7 G3R&торговля SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750 В 60 мОм TO-247-4 G3R&торговля SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750 В 60 мОм TO-247-3 G3R&торговля SiC MOSFET

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Электроника

Элемент Newark Farnell14

Mouser Electronics

Стрелка Электроника

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

GeneSiC выигрывает престижную премию R&Награда D100 за монолитный транзисторно-выпрямительный переключатель на основе карбида кремния

DULLES, VA, Декабрь 5, 2019 — р&Журнал D выбрал GeneSiC Semiconductor Inc.. Даллеса, VA как лауреат престижной 2019 р&Д 100 Награда за разработку монолитного транзисторно-выпрямительного коммутатора на основе SiC..

GeneSiC Semiconductor Inc., ключевой новатор в силовых устройствах на основе карбида кремния был удостоен чести объявить о том, что он был удостоен престижной награды 2019 р&Д 100 Награда. Эта награда присуждается GeneSiC за внедрение одного из самых значительных, недавно представленные достижения в области исследований и разработок среди нескольких дисциплин во время 2018. р&Журнал D Magazine признал технологию GeneSiC SiC для устройств среднего напряжения за ее способность монолитно интегрировать полевой МОП-транзистор и выпрямитель Шоттки на одном кристалле.. Эти возможности, достигнутые устройством GeneSiC, позволяют исследователям силовой электроники разрабатывать силовые электронные системы нового поколения, такие как инверторы и преобразователи постоянного тока.. Это позволит разрабатывать продукты для электромобилей., зарядная инфраструктура, возобновляемые источники энергии и отрасли хранения энергии. GeneSiC получила заказы от нескольких клиентов на демонстрацию передового оборудования силовой электроники с использованием этих устройств и продолжает развивать свое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов.. Р&Ранняя версия D для приложений преобразования энергии была разработана Департаментом США.. энергетики и сотрудничество с Sandia National Laboratories.

Ежегодный технологический конкурс, проводимый R&Журнал D оценил работы различных компаний и игроков отрасли., исследовательские организации и университеты по всему миру. В качестве судей выступили редакторы журнала и группа внешних экспертов., оценка каждой записи с точки зрения ее важности для мира науки и исследований.

Согласно Р&Журнал Д, выиграть R&Д 100 Награда представляет собой знак качества, известный в отрасли, правительство, и научное сообщество как доказательство того, что продукт является одной из самых инновационных идей года.. Эта награда признает GeneSiC мировым лидером в создании продуктов на основе технологий, которые меняют то, как мы работаем и живем..

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.

опубликовано

GeneSiC выиграла 2,53 миллиона долларов от ARPA-E на разработку устройств на основе тиристоров из карбида кремния

DULLES, VA, сентябрь 28, 2010 – Агентство перспективных исследовательских проектов – Энергетика (АРПА-Э) заключила соглашение о сотрудничестве с командой GeneSiC Semiconductor для разработки нового сверхвысоковольтного карбида кремния. (SiC) Устройства на тиристорах. Ожидается, что эти устройства станут ключевыми факторами интеграции крупномасштабных ветряных и солнечных электростанций в интеллектуальную сеть следующего поколения..

«Эта высококонкурентная награда для GeneSiC позволит нам расширить наше техническое лидерство в технологии карбида кремния с напряжением в несколько киловольт., а также наша приверженность решениям для альтернативной энергетики в масштабе сети с твердотельными решениями,— прокомментировал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC. «Разрабатываемые нами многокиловольтные SiC-тиристоры являются ключевой технологией, позволяющей реализовать гибкие системы передачи переменного тока. (ФАКТЫ) элементов и постоянного тока высокого напряжения (HVDC) архитектуры, предназначенные для интегрированного, эффективный, Умная сеть будущего. Тиристоры GeneSiC на основе карбида кремния обеспечивают в 10 раз более высокое напряжение, 100X более высокая частота переключения и работа при более высоких температурах в решениях для обработки электроэнергии FACTS и HVDC по сравнению с обычными тиристорами на основе кремния».

В апреле 2010, GeneSiC отреагировала на Agile Delivery of Electrical Power Technology (АДЕПТ) запрос от ARPA-E, который стремился инвестировать в материалы для фундаментальных достижений в высоковольтных переключателях, которые потенциально могут превзойти существующие характеристики преобразователя мощности, предлагая снижение стоимости.. Предложение компании под названием «Тиристор с переключаемым анодом на основе карбида кремния для преобразования энергии среднего напряжения» было выбрано для обеспечения легкого, твердое состояние, преобразование энергии среднего напряжения для приложений высокой мощности, таких как полупроводниковые электрические подстанции и генераторы ветряных турбин. Развертывание этих передовых силовых полупроводниковых технологий может обеспечить 25-30 процентное снижение потребления электроэнергии за счет повышения эффективности подачи электроэнергии. Выбранные инновации должны были поддерживать и продвигать США.. бизнес через технологическое лидерство, через высококонкурентный процесс.

Карбид кремния — это полупроводниковый материал нового поколения, свойства которого значительно превосходят свойства обычного кремния., например, способность выдерживать десятикратное превышение напряжения и стократное превышение силы тока при температурах до 300ºC.. Эти характеристики делают его идеально подходящим для мощных приложений, таких как гибридные и электрические транспортные средства., Возобновляемая энергия (ветер и солнце) инсталляции, и системы управления электрическими сетями.

В настоящее время хорошо известно, что сверхвысокое напряжение (>10кВ) Карбид кремния (SiC) Технология устройств сыграет революционную роль в инженерной сети нового поколения.. Устройства SiC на основе тиристоров обеспечивают высочайшую производительность в открытом состоянии для >5 кВ устройства, и широко применяются в схемах преобразования мощности среднего напряжения, таких как ограничители тока короткого замыкания., Преобразователи переменного тока в постоянный, Статические компенсаторы реактивной мощности и последовательные компенсаторы. Тиристоры на основе карбида кремния также имеют наилучшие шансы на раннее внедрение из-за их сходства с обычными элементами энергосистемы.. Другие перспективные области применения и преимущества этих устройств включают::

  • Системы управления питанием и кондиционирования питания для преобразования постоянного тока среднего напряжения запрашиваются в рамках Future Naval Capability. (ФНК) ВМС США, Электромагнитные пусковые системы, системы высокоэнергетического оружия и медицинская визуализация. В 10-100 раз более высокая рабочая частота позволяет беспрецедентно увеличить размеры., масса, объем и в итоге, стоимость таких систем.
  • Разнообразие накопителей энергии, приложения физики высоких температур и высоких энергий. Приложения для хранения энергии и электросетей получают все большее внимание, поскольку мир сосредотачивается на более эффективных и экономичных решениях по управлению энергопотреблением..

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи.

“Мы стали лидером в области технологии карбида кремния сверхвысокого напряжения, используя нашу основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов с обширным набором производственных мощностей., характеристика, и испытательные установки,- заключает доктор. Сингх. «Позиция GeneSiC теперь была эффективно подтверждена Министерством энергетики США с этой значительной последующей наградой».

О компании GeneSiC Semiconductor

Стратегически расположен недалеко от Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., Транзисторы с суперпереходом (СДТ) и широкий спектр устройств на основе тиристоров. GeneSiC имеет или имела основные/субконтракты с крупными правительственными учреждениями США., в том числе министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетитеwww.genesicsemi.com.