GeneSiC представила GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 и GC2X100MPS06-227; SiC диоды Шоттки с максимальным в отрасли номинальным током 650 В и 1700 В, добавление к существующему портфелю мини-модулей SiC диодов Шоттки на 1200 В - GB2X50MPS12-227 и GB2X100MPS12-227. Эти SiC-диоды заменяют кремниевые сверхбыстрые диоды восстановления., позволяет инженерам создавать схемы переключения с большей эффективностью и большей удельной мощностью. Ожидается, что приложения будут включать устройства быстрой зарядки электромобилей., моторные приводы, источники питания для транспорта, выпрямители высокой мощности и промышленные источники питания.
В дополнение к изолированной опорной плите пакета SOT-227 мини-модуля, эти недавно выпущенные диоды имеют низкое прямое падение напряжения, нулевое прямое восстановление, нулевое обратное восстановление, низкая емкость перехода и рассчитаны на максимальную рабочую температуру 175 ° C. Технология SiC диодов Шоттки третьего поколения от GeneSiC обеспечивает лучшую в отрасли устойчивость к лавинам и импульсным токам (Ifsm) надежность, в сочетании с высококачественным 6-дюймовым корпусом, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, и передовой технологией дискретной сборки с высокой надежностью.
Эти SiC-диоды являются прямой заменой других диодов, доступных в SOT-227. (мини-модуль) упаковка. Выгода от более низких потерь мощности (работа кулера) и возможность высокочастотного переключения, теперь дизайнеры могут достичь большей эффективности преобразования и большей удельной мощности в проектах.
О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.
