Цепи и узлы высокого напряжения, в которых используются чипы SiC, обеспечивающие беспрецедентные номинальные напряжения и сверхвысокую скорость переключения
Даллес, Вирджиния., ноябрь 7, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности 8000 Выпрямители V SiC PiN; 8000 V SiC Выпрямители Шоттки, 3300 V SiC выпрямители Шоттки и 6500 V SiC Тиристоры в формате голого кристалла. Эти уникальные продукты представляют собой SiC-устройства с самым высоким напряжением на рынке., и специально предназначен для нефтегазовых приборов., схемы умножителей напряжения и высоковольтные сборки.
Современные схемы сверхвысокого напряжения страдают от низкого КПД и больших размеров, поскольку токи обратного восстановления от кремниевых выпрямителей разряжают параллельно соединенные конденсаторы.. При более высоких температурах перехода выпрямителя, Эта ситуация еще больше ухудшается, поскольку ток обратного восстановления в кремниевых выпрямителях увеличивается с температурой.. С термическими ограничениями высоковольтные сборки, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольшого тока. Высоковольтные SiC выпрямители обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в высоковольтных сборках.. GeneSiC’s 8000 V и 3300 Выпрямители Шоттки V имеют нулевой ток обратного восстановления, который не меняется с температурой.. Это относительно высокое напряжение в одном устройстве позволяет сократить количество ступеней умножения напряжения, необходимых в типичных схемах высоковольтных генераторов., за счет использования более высоких входных напряжений переменного тока. Практически идеальные коммутационные характеристики позволяют исключить / резко сократить количество сетей выравнивания напряжения и демпфирующих цепей.. 8000 Выпрямители V PiN предлагают более высокие уровни тока и более высокие рабочие температуры.. 6500 V SiC Thyristor также доступны для ускорения R&D новых систем.
«Эти продукты демонстрируют сильное лидерство компании GeneSiC в разработке чипов SiC в диапазоне нескольких киловольт.. Мы верим 8000 Рейтинг V выходит за рамки того, что кремниевые устройства могут предложить при номинальных температурах., и принесет значительную выгоду нашим клиентам. Низкая VF у GeneSiC, SiC выпрямители и тиристоры с малой емкостью обеспечат преимущества на системном уровне, недоступные ранее” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
8000 Основные технические характеристики выпрямителя V / 2 A SiC Bare Die PiN
- Тjmax знак равно 210оC
- Обратные токи утечки < 50 uA в 175оC
- Заряд обратного восстановления 558 нКл (типичный).
8000 Основные технические характеристики выпрямителя Шоттки SiC с голым кристаллом, напряжение / 50 мА
- Общая емкость 25 ПФ (типичный, в -1 V, 25оC).
- Положительный температурный коэффициент на VF
- Тjmax знак равно 175оC
6500 Основные технические характеристики V SiC Thyristor Bare Die
- Три предложения - 80 Амперы (GA080TH65-CAU); 60 Амперы (GA060TH65-CAU); и 40 Амперы (GA040TH65-CAU)
- Тjmax знак равно 200оC
3300 Основные технические характеристики выпрямителя с неизолированным кристаллом SiC V / 0,3 A
- On-State Drop of 1.7 V в 0.3 А
- Положительный температурный коэффициент на VF
- Тjmax знак равно 175оC
- Емкостный заряд 52 нКл (типичный).
О компании GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.
За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie
