GeneSiC стремится предоставлять наилучшие возможные конструкции, ориентированные на заказчика, путем предоставления устройствам питания на основе SiC с превосходным индексом стоимости и производительности., высокая прочность и высокое качество.
Приложения включают:
- Повышающий диод в коррекции коэффициента мощности (PFC)
- Импульсный источник питания (SMPS)
- Электрические транспортные средства – Силовая передача, Преобразователь постоянного тока в постоянный и встроенная зарядка
- Инфраструктура сверхбыстрой зарядки
- Солнечные инверторы и накопители энергии
- Тяга
- Источники питания для центров обработки данных
- Индукционный нагрев и сварка
- Преобразователи постоянного тока в постоянный высокого напряжения
- Свободный ход / Антипараллельный диод
- Светодиодное и скрытое освещение
- Системы медицинской визуализации
- Преобразователи мощности для скважинного бурения скважин
- Измерение высокого напряжения
- Импульсная мощность
Посещение www.genesicsemi.com/applications Узнать больше!
Для приложений измерения высокого напряжения, таких как защита DE-SAT и схемы начальной загрузки затвора с переключателем на стороне высокого напряжения, Пакеты ДО-214 и ТО-252-2 - идеальные решения.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
Пакет TO-247-3 предлагает большую гибкость для более высокой плотности мощности и сокращения спецификации в таких приложениях, как коррекция коэффициента мощности. (PFC) интер, которые имеют общий катод между двумя диодами.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Примечания по применению:
Извините, сообщений не найдено.
Технические статьи:
Совместные блоки гибридных выпрямителей Si-IGBT / SiC и выпрямителей SiC JBS
Сентябрь, 2011 Совместные блоки гибридных выпрямителей Si-IGBT / SiC и выпрямителей SiC JBS
12.9 SiC-PiN-диоды кВ с низким падением напряжения в открытом состоянии и большим временем жизни носителей заряда
Сентябрь, 2011 12.9 SiC-PiN-диоды кВ с низким падением напряжения в открытом состоянии и большим временем жизни носителей заряда
1200 V SiC выпрямители Шоттки, оптимизированные для ≥ 250 ° C работа с самой низкой в своем классе емкостью перехода
июль, 2012 1200 V SiC выпрямители Шоттки, оптимизированные для ≥ 250 ° C работа с самой низкой в своем классе емкостью перехода
15 кВ SiC-диоды PiN достигают 95% лавинного предела и стабильной длительной эксплуатации
Мар, 2013 15 кВ SiC-диоды PiN достигают 95% лавинного предела и стабильной длительной эксплуатации