GeneSiC стремится предоставлять наилучшие возможные конструкции, ориентированные на заказчика, путем предоставления устройствам питания на основе SiC с превосходным индексом стоимости и производительности., высокая прочность и высокое качество.
Приложения включают:
- Повышающий диод в коррекции коэффициента мощности (PFC)
- Импульсный источник питания (SMPS)
- Электрические транспортные средства – Силовая передача, Преобразователь постоянного тока в постоянный и встроенная зарядка
- Инфраструктура сверхбыстрой зарядки
- Солнечные инверторы и накопители энергии
- Тяга
- Источники питания для центров обработки данных
- Индукционный нагрев и сварка
- Преобразователи постоянного тока в постоянный высокого напряжения
- Свободный ход / Антипараллельный диод
- Светодиодное и скрытое освещение
- Системы медицинской визуализации
- Преобразователи мощности для скважинного бурения скважин
- Измерение высокого напряжения
- Импульсная мощность
Посещение www.genesicsemi.com/applications Узнать больше!
Для приложений измерения высокого напряжения, таких как защита DE-SAT и схемы начальной загрузки затвора с переключателем на стороне высокого напряжения, Пакеты ДО-214 и ТО-252-2 - идеальные решения.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
Пакет TO-247-3 предлагает большую гибкость для более высокой плотности мощности и сокращения спецификации в таких приложениях, как коррекция коэффициента мощности. (PFC) интер, которые имеют общий катод между двумя диодами.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Примечания по применению:
Ан-1 1200 V Диоды Шоттки с температурно-инвариантной высотой барьера и факторами идеальности
Октябрь 2010 Ан-1 1200 V Диоды Шоттки с температурно-инвариантной высотой барьера и факторами идеальности
Ан-2 1200 V SiC JBS-диоды со сверхнизким емкостным зарядом обратного восстановления для приложений с быстрым переключением
Октябрь 2010 Ан-2 1200 V SiC JBS-диоды со сверхнизким емкостным зарядом обратного восстановления для приложений с быстрым переключением
Надежность силового диода SiC AN1001
сентябрь, 2018Надежность силового диода SiC AN1001
AN1002 Описание силового диода Шоттки SiC
сентябрь, 2018AN1002 Описание силового диода Шоттки SiC
Инструкция по использованию модели AN1003 SPICE
Декабрь, 2018Инструкция по использованию модели AN1003 SPICE
Технические статьи:
Выпрямители SiC PiN высокой мощности
Декабрь, 2005 Выпрямители SiC PiN высокой мощности
Выпрямители SiC PiN высокой мощности
Июн, 2007 Выпрямители SiC PiN высокой мощности
Обнаружение быстрых нейтронов с помощью полуизолирующих детекторов из карбида кремния
Июн, 2008 Обнаружение быстрых нейтронов с помощью полуизолирующих детекторов из карбида кремния
Разработка детекторов излучения на основе полуизолирующего карбида кремния
Октябрь, 2008 Разработка детекторов излучения на основе полуизолирующего карбида кремния
Корреляция между временем жизни рекомбинации носителей и прямым падением напряжения в 4H-SiC PiN диодах
Сентябрь, 2010 Корреляция между временем жизни рекомбинации носителей и прямым падением напряжения в 4H-SiC PiN диодах
