Загрузить руководство по выбору продуктов
SiC-МОП-транзисторы GeneSiC G3R ™ обладают лучшими в отрасли характеристиками при переключении высокого напряжения на использование невиданного ранее уровня эффективности., работа при высоких температурах и надежность системы.
Характеристики:
- Технология G3R ™ для +15 V Gate Drive
- Superior Qграмм х RDS(НА) Рисунок заслуг
- Низкий заряд затвора и емкость устройства
- Низкие потери проводимости при высокой температуре
- Превосходная устойчивость к лавинам и коротким замыканиям
- Стабильная работа в нормальном состоянии до 175 ° C
- Быстрый и надежный диод для тела
- Оптимизированная упаковка с подключением к источнику Кельвина
Выгоды:
- Превосходный индекс эффективности затрат
- Повышенная удельная мощность для компактной системы
- Низкий внутренний Rграмм для работы с высокой частотой переключения
- Снижение потерь для повышения эффективности системы
- Минимальный звон ворот
- Улучшенные тепловые возможности
- Простота вождения
- Простота параллельной работы без теплового разгона
Приложения:
- Электромобили - силовая передача и зарядка
- Солнечные инверторы и накопители энергии
- Умные сети и HVDC
- Моторные приводы
- Преобразователи постоянного и переменного тока высокого напряжения
- Индукционный нагрев и сварка
- Импульсные источники питания
- Импульсные приложения питания
750V SiC МОП-транзистор
| О сопротивлении, рDS(НА) | Голый чип | К-263-7 | К-247-3 | К-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 мΩ | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 мΩ | G4R12MT07-КАУ | |||
| 60 мΩ | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC МОП-транзистор
| О сопротивлении, рDS(НА) | Голый чип | К-263-7 | К-247-3 | К-247-4 | СОТ-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 мΩ | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 мΩ | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 мΩ | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 мΩ | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 мΩ | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 мΩ | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 мΩ | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 мΩ | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC МОП-транзистор
| О сопротивлении, рDS(НА) | Голый чип | К-263-7 | К-247-3 | К-247-4 | СОТ-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 мΩ | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 мΩ | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 мΩ | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 мΩ | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 мΩ | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC МОП-транзистор
| О сопротивлении, рDS(НА) | Голый чип | К-263-7 | К-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 мΩ | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 мΩ | G2R120MT33J | ||
| 1000 мΩ | G2R1000MT33J |
6500V SiC МОП-транзистор
| О сопротивлении, рDS(НА) | Голый чип |
|---|---|
|
|
| 300 мΩ | G2R300MT65-CAL |
| 325 мΩ | G2R325MS65-CAL |
