DULLES, VA, Ноябрь 12, 2008 – Министерство энергетики США предоставило компании GeneSiC Semiconductor два отдельных гранта на общую сумму 1,5 миллиона долларов на разработку высоковольтного карбида кремния. (SiC) устройства, которые будут служить ключевыми инструментами для ветра- и интеграция солнечной энергии с электросетью страны.
«Эти награды демонстрируют уверенность Министерства энергетики в возможностях GeneSiC., а также приверженность альтернативным энергетическим решениям,»Отмечает доктор. Ранбир Сингх, президент GeneSiC. «Интегрированная, эффективная электросеть имеет решающее значение для энергетического будущего страны, а разрабатываемые нами SiC-устройства имеют решающее значение для преодоления неэффективности традиционных кремниевых технологий ».
Первая награда - это грант Phase II SBIR в размере 750 тыс. Долларов на разработку быстрых, SiC биполярные устройства сверхвысокого напряжения. Второй - грант Phase II STTR в размере 750 тыс. Долларов на разработку мощных SiC-переключателей с оптическим стробированием..
Карбид кремния - это полупроводниковый материал нового поколения, способный выдерживать 10-кратное напряжение и 100-кратный ток кремния., что делает его идеально подходящим для мощных приложений, таких как возобновляемые источники энергии. (ветер и солнце) установки и системы управления электросетью.
Конкретно, две награды предназначены для:
- Развитие высокочастотного, отключение затвора из SiC на несколько киловольт (GTO) силовые устройства. Государственные и коммерческие приложения включают системы управления питанием и кондиционирования для судов., коммунальная промышленность, и медицинская визуализация.
- Проектирование и изготовление оптически закрытых высоковольтных, коммутационные устройства на основе SiC высокой мощности. Использование оптоволокна для переключения питания - идеальное решение для сред, подверженных электромагнитным помехам. (ЭМИ), и приложения, требующие сверхвысокого напряжения.
Устройства SiC, разрабатываемые GeneSiC, служат для хранения разнообразной энергии., Энергосистема, и военное применение, которые привлекают все большее внимание, поскольку мир фокусируется на более эффективных и рентабельных решениях по управлению энергопотреблением..
Находится за пределами Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., полевые транзисторы (Полевые транзисторы) и биполярные устройства, а также частица & фотонные детекторы. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США., в том числе министерство энергетики, Флот, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетите www.genesicsemi.com.
