Корреляция между временем жизни рекомбинации носителей и прямым падением напряжения в 4H-SiC PiN диодах
12.9 SiC-PiN-диоды кВ с низким падением напряжения в открытом состоянии и большим временем жизни носителей заряда
Ан-2 1200 V SiC JBS-диоды со сверхнизким емкостным зарядом обратного восстановления для приложений с быстрым переключением