Транзисторы SiC с быстрым созреванием и усилением по току (б) > 130, Блокирующие напряжения до 2700 V и стабильная долгосрочная работа
Стабильность электрических характеристик SiC транзисторов с «супер» переходом при длительной работе на постоянном токе и в импульсном режиме при различных температурах.
Статические и коммутационные характеристики 1200 Транзисторы V SiC со встроенными выпрямителями Шоттки на кристалле
200 V SiC «супер» переходные транзисторы, работающие при 250 ° C с чрезвычайно низкими потерями энергии для приложений преобразования энергии
Мульти-кГц, Образцы карбидокремниевых тиристоров сверхвысокого напряжения переданы американским исследователям