Новая физика позволяет тиристорам достичь более высокого уровня
DULLES, VA, август 30, 2011 - Новая физика позволяет тиристорам достичь более высокого уровня. Электрическая сеть обеспечивает надежное питание с помощью электронных устройств, которые обеспечивают бесперебойную работу., надежный…
GeneSiC выигрывает престижную премию R&Награда D100 за устройства SiC в приложениях солнечной и ветровой энергии, подключенных к сети
DULLES, VA, июль 14, 2011 — р&Журнал D выбрал GeneSiC Semiconductor Inc.. Даллеса, VA как лауреат престижной 2011 р&Д 100 Премия за коммерциализацию…
Компания GeneSiC Semiconductor выбрана для демонстрации технологий на 2011 Саммит энергетических инноваций ARPA-E
DULLES, VA, февраль 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor рада объявить о своем отборе для участия в престижной выставке технологий на саммите ARPA-E Energy Innovation Summit., совместно с Департаментом…
GeneSiC выигрывает проект по управлению питанием от НАСА в поддержку будущих миссий по исследованию Венеры
DULLES, VA, Декабрь 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., ключевой новатор нового карбида кремния (SiC) устройства для высоких температур, высокое напряжение, и сверхвысокие напряжения, объявляет о выборе…
Мульти-кГц, Образцы карбидокремниевых тиристоров сверхвысокого напряжения переданы американским исследователям
DULLES, VA, Ноябрь 1, 2010 –В первом в своем роде предложении, GeneSiC Semiconductor объявляет о выпуске семейства тиристоров из карбида кремния с режимом SCR 6,5 кВ для использования в энергетике…
