Ведущие в отрасли SiC-МОП-транзисторы на 6,5 кВ от GeneSiC – Авангард новой волны приложений
DULLES, VA, Октябрь 20, 2020 — GeneSiC выпускает полевые МОП-транзисторы из карбида кремния 6,5 кВ, чтобы стать лидером в обеспечении беспрецедентного уровня производительности., эффективность и надежность в приложениях преобразования энергии среднего напряжения…
GeneSiC выигрывает престижную премию R&Награда D100 за монолитный транзисторно-выпрямительный переключатель на основе карбида кремния
DULLES, VA, Декабрь 5, 2019 — р&Журнал D выбрал GeneSiC Semiconductor Inc.. Даллеса, VA как лауреат престижной 2019 р&Д 100 Награда за разработку SiC на основе…
Сильноточная 650 В, 1200SiC диоды Шоттки MPS ™ V и 1700 В в корпусе мини-модуля SOT-227
DULLES, VA, май 11, 2019 — GeneSiC становится лидером на рынке сильноточных (100 А и 200 А) SiC диоды Шоттки в мини-модуле SOT-227 Компания GeneSiC представила GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC выпускает лучшие в отрасли 1700 В SiC Schottky MPS™ диоды
DULLES, VA, Январь 7, 2019 — GeneSiC выпускает полный ассортимент своих SiC-диодов Шоттки MPS ™ 1700 В третьего поколения в корпусе TO-247-2. Компания GeneSiC представила GB05MPS17-247, ГБ10MPS17-247, GB25MPS17-247 и…
Гибридные модули SiC выпрямителя Шоттки / Si IGBT от GeneSiC обеспечивают работу при температуре 175 ° C
DULLES, VA, Маршировать 5, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности своего…
