DULLES, VA, Ноябрь 1, 2010 –В первом в своем роде предложении, GeneSiC Semiconductor объявляет о выпуске семейства карбидокремниевых тиристоров с режимом SCR 6,5 кВ для использования в силовой электронике для приложений Smart Grid.. Ожидается, что революционные преимущества производительности этих силовых устройств будут стимулировать ключевые инновации в аппаратном обеспечении силовой электроники коммунального масштаба, чтобы повысить доступность и использование распределенных энергетических ресурсов. (НАШИ). "До настоящего времени, мульти-кВ карбид кремния (SiC) Силовые устройства не были доступны американским исследователям, чтобы в полной мере использовать хорошо известные преимущества силовых устройств на основе карбида кремния, а именно рабочие частоты 2-10 кГц при номинальном напряжении 5-15 кВ». прокомментировал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC. «GeneSiC недавно завершила поставку многих 6,5 кВ/40 А, 6.5кВ/60А и 6,5кВ/80А тиристоры нескольким клиентам, проводящим исследования в области возобновляемых источников энергии, Применение в армейских и военно-морских силовых системах. Устройства SiC с такими рейтингами теперь предлагаются более широко».
Тиристоры на основе карбида кремния обеспечивают в 10 раз более высокое напряжение, 100X более высокая частота переключения и работа при более высоких температурах по сравнению с обычными тиристорами на основе кремния. Возможности исследования целевых приложений для этих устройств включают преобразование энергии среднего напряжения общего назначения. (МВДЦ), Сетевые солнечные инверторы, инверторы энергии ветра, импульсная мощность, системы вооружения, контроль зажигания, и управление триггером. В настоящее время хорошо известно, что сверхвысокое напряжение (>10кВ) Карбид кремния (SiC) Технология устройств сыграет революционную роль в инженерной сети нового поколения.. Устройства SiC на основе тиристоров обеспечивают высочайшую производительность в открытом состоянии для >5 кВ устройства, и широко применяются в схемах преобразования мощности среднего напряжения, таких как ограничители тока короткого замыкания., Преобразователи переменного тока в постоянный, Статические компенсаторы реактивной мощности и последовательные компенсаторы. Тиристоры на основе карбида кремния также имеют наилучшие шансы на раннее внедрение из-за их сходства с обычными элементами энергосистемы.. Развертывание этих передовых силовых полупроводниковых технологий может обеспечить 25-30 процентное снижение потребления электроэнергии за счет повышения эффективности подачи электроэнергии.
доктор. Сингх продолжает: «Ожидается, что крупные рынки полупроводниковых электрических подстанций и генераторов ветряных турбин откроются после того, как исследователи в области преобразования энергии полностью осознают преимущества SiC-тиристоров.. Эти SiC-тиристоры первого поколения используют самое низкое продемонстрированное падение напряжения в открытом состоянии и дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, когда-либо достигнутые в SiC-тиристорах.. Мы намерены выпустить будущие поколения тиристоров SiC, оптимизированных для возможности выключения с управлением затвором и >10кВ номиналы. Поскольку мы продолжаем разрабатывать высокотемпературные упаковочные решения для сверхвысокого напряжения, настоящие тиристоры 6,5 кВ упакованы в модули с полностью припаянными контактами, ограничивается температурой перехода 150°C». GeneSiC является быстро развивающимся новатором в области силовых устройств SiC и твердо привержена разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи.
Расположен недалеко от Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., Транзисторы с суперпереходом (СДТ) и широкий спектр устройств на основе тиристоров. GeneSiC имеет или имела основные/субконтракты с крупными правительственными учреждениями США., в том числе министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетите www.genesicsemi.com.
