опубликовано от Editor0

Высокая температура (210 C) SiC переходные транзисторы в герметичных корпусах

Обещание высоких температур в SiC-транзисторах, реализованное с помощью совместимых стандартных корпусов, существенно улучшит скважинные и аэрокосмические приводы и источники питания.

Даллес, Вирджиния., Декабрь 10, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors сегодня объявляет о немедленной доступности через своих дистрибьюторов и напрямую через семейство высокотемпературных упаковок. 600 Переходные транзисторы V SiC (СДТ) в 3-50 Номинальные значения силы тока в амперах в корпусах для сквозного и поверхностного монтажа, соответствующих отраслевому стандарту JEDEC. Включая эти высокие температуры, низкое сопротивление при включении, высокочастотные SiC транзисторы в герметичных корпусах, высокотемпературные припои и инкапсуляция повысят эффективность преобразования и уменьшат размер / вес / объем приложений высокотемпературного преобразования энергии.HiT_Schottky

Современный высокотемпературный источник питания, Цепи управления двигателями и исполнительные механизмы, используемые в нефтегазовой / скважинной и аэрокосмической отраслях, страдают от отсутствия жизнеспособного высокотемпературного решения из карбида кремния. Кремниевые транзисторы страдают низким КПД схемы и большими размерами, потому что они страдают от высоких токов утечки и низких плохих характеристик переключения.. Оба эти параметра ухудшаются при более высоких температурах перехода.. С термически ограниченными средами, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольшого тока. Герметично упакованные SiC-транзисторы обладают уникальными характеристиками, которые обещают революционизировать возможности скважинных и аэрокосмических приложений.. GeneSiC’s 650 SiC-транзисторы V / 3-50 A имеют практически нулевое время переключения, которое не меняется с температурой.. В 210оУстройства с температурным режимом C-перехода предлагают относительно большой температурный запас для приложений, которые работают в экстремальных условиях..

Соединительные транзисторы, предлагаемые GeneSiC, обладают сверхбыстрой коммутационной способностью., квадратная зона безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), а также не зависящие от температуры переходные потери энергии и время переключения. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут руководствоваться коммерческими, общедоступный 15 Драйверы затворов V IGBT, в отличие от других переключателей SiC. Предлагая совместимость с драйверами SiC JFET, SiC-переходные транзисторы можно легко подключать параллельно из-за их согласованных переходных характеристик..

“Поскольку разработчики скважинных и аэрокосмических приложений продолжают раздвигать пределы рабочей частоты, при этом все еще требуя высокой эффективности схемы, им нужны переключатели SiC, которые могут предложить стандарт производительности, надежность и единообразие производства. Использование уникального устройства и инноваций в производстве, Продукты GeneSiC SJT помогают дизайнерам достичь всего этого в более надежном решении.. Эти продукты дополняют герметичный выпрямитель SiC, выпущенный в прошлом году компанией GeneSiC., и продукты с голыми кристаллами, выпущенные ранее в этом году, прокладывая путь для нас, чтобы предложить высокую температуру, малоиндуктивность, силовые модули в ближайшем будущем ” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Изолированный ТО-257 с 600 В SJTs:

  • 65 мОм / 20 ампер (2N7639-GA); 170 мОм / 8 ампер (2N7637-GA); и 425 мОм / 4 ампер (2N7635-GA)
  • Тjmax знак равно 210оC
  • Включение / выключение; Время подъема/спада <50 наносекунды типичные.
  • Соответствующая голая матрица GA20JT06-CAL (в 2Н7639-ГА); GA10JT06-CAL (в 2Н7637-ГА); и GA05JT06-CAL (в 2Н7635-ГА)

Неизолированный пакет прототипа TO-258 с 600 SJTs

  • 25 мОм / 50 ампер (GA50JT06-258 прототип корпуса)
  • Тjmax знак равно 210оC
  • Включение / выключение; Время подъема/спада <50 наносекунды типичные.
  • Соответствующая голая матрица GA50JT06-CAL (в GA50JT06-258)

Крепление на поверхность ТО-276 (SMD0.5) с участием 600 SJTs

  • 65 мОм / 20 ампер (2N7640-GA); 170 мОм / 8 ампер (2N7638-GA); и 425 мОм / 4 ампер (2N7636-GA)
  • Тjmax знак равно 210оC
  • Включение / выключение; Время подъема/спада <50 наносекунды типичные.

Все устройства 100% испытаны на полное напряжение / ток и размещены в герметичных корпусах. Предлагается техническая поддержка и схемы SPICE.. Устройства сразу же доступны в GeneSiC напрямую и / или через официальных дистрибьюторов..

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt