DULLES, VA, сентябрь 28, 2010 – Агентство перспективных исследовательских проектов – Энергетика (АРПА-Э) заключила соглашение о сотрудничестве с командой GeneSiC Semiconductor для разработки нового сверхвысоковольтного карбида кремния. (SiC) Устройства на тиристорах. Ожидается, что эти устройства станут ключевыми факторами интеграции крупномасштабных ветряных и солнечных электростанций в интеллектуальную сеть следующего поколения..
«Эта высококонкурентная награда для GeneSiC позволит нам расширить наше техническое лидерство в технологии карбида кремния с напряжением в несколько киловольт., а также наша приверженность решениям для альтернативной энергетики в масштабе сети с твердотельными решениями,— прокомментировал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC. «Разрабатываемые нами многокиловольтные SiC-тиристоры являются ключевой технологией, позволяющей реализовать гибкие системы передачи переменного тока. (ФАКТЫ) элементов и постоянного тока высокого напряжения (HVDC) архитектуры, предназначенные для интегрированного, эффективный, Умная сеть будущего. Тиристоры GeneSiC на основе карбида кремния обеспечивают в 10 раз более высокое напряжение, 100X более высокая частота переключения и работа при более высоких температурах в решениях для обработки электроэнергии FACTS и HVDC по сравнению с обычными тиристорами на основе кремния».
В апреле 2010, GeneSiC отреагировала на Agile Delivery of Electrical Power Technology (АДЕПТ) запрос от ARPA-E, который стремился инвестировать в материалы для фундаментальных достижений в высоковольтных переключателях, которые потенциально могут превзойти существующие характеристики преобразователя мощности, предлагая снижение стоимости.. Предложение компании под названием «Тиристор с переключаемым анодом на основе карбида кремния для преобразования энергии среднего напряжения» было выбрано для обеспечения легкого, твердое состояние, преобразование энергии среднего напряжения для приложений высокой мощности, таких как полупроводниковые электрические подстанции и генераторы ветряных турбин. Развертывание этих передовых силовых полупроводниковых технологий может обеспечить 25-30 процентное снижение потребления электроэнергии за счет повышения эффективности подачи электроэнергии. Выбранные инновации должны были поддерживать и продвигать США.. бизнес через технологическое лидерство, через высококонкурентный процесс.
Карбид кремния — это полупроводниковый материал нового поколения, свойства которого значительно превосходят свойства обычного кремния., например, способность выдерживать десятикратное превышение напряжения и стократное превышение силы тока при температурах до 300ºC.. Эти характеристики делают его идеально подходящим для мощных приложений, таких как гибридные и электрические транспортные средства., Возобновляемая энергия (ветер и солнце) инсталляции, и системы управления электрическими сетями.
В настоящее время хорошо известно, что сверхвысокое напряжение (>10кВ) Карбид кремния (SiC) Технология устройств сыграет революционную роль в инженерной сети нового поколения.. Устройства SiC на основе тиристоров обеспечивают высочайшую производительность в открытом состоянии для >5 кВ устройства, и широко применяются в схемах преобразования мощности среднего напряжения, таких как ограничители тока короткого замыкания., Преобразователи переменного тока в постоянный, Статические компенсаторы реактивной мощности и последовательные компенсаторы. Тиристоры на основе карбида кремния также имеют наилучшие шансы на раннее внедрение из-за их сходства с обычными элементами энергосистемы.. Другие перспективные области применения и преимущества этих устройств включают::
- Системы управления питанием и кондиционирования питания для преобразования постоянного тока среднего напряжения запрашиваются в рамках Future Naval Capability. (ФНК) ВМС США, Электромагнитные пусковые системы, системы высокоэнергетического оружия и медицинская визуализация. В 10-100 раз более высокая рабочая частота позволяет беспрецедентно увеличить размеры., масса, объем и в итоге, стоимость таких систем.
- Разнообразие накопителей энергии, приложения физики высоких температур и высоких энергий. Приложения для хранения энергии и электросетей получают все большее внимание, поскольку мир сосредотачивается на более эффективных и экономичных решениях по управлению энергопотреблением..
GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи.
“Мы стали лидером в области технологии карбида кремния сверхвысокого напряжения, используя нашу основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов с обширным набором производственных мощностей., характеристика, и испытательные установки,- заключает доктор. Сингх. «Позиция GeneSiC теперь была эффективно подтверждена Министерством энергетики США с этой значительной последующей наградой».
О компании GeneSiC Semiconductor
Стратегически расположен недалеко от Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., Транзисторы с суперпереходом (СДТ) и широкий спектр устройств на основе тиристоров. GeneSiC имеет или имела основные/субконтракты с крупными правительственными учреждениями США., в том числе министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетитеwww.genesicsemi.com.
