опубликовано от Editor0

Высокотемпературные SiC-транзисторы и выпрямители общего назначения по низкой цене

Высокая температура (>210оC) Переходные транзисторы и выпрямители в корпусе из металлических корпусов малого форм-фактора предлагают революционные преимущества производительности для различных приложений, включая усиление., схема с низким уровнем шума и управление скважинным приводом

DULLES, VA, Маршировать 9, 2015 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) сегодня компания power semiconductors объявляет о поступлении в продажу линейки компактных, высокотемпературные транзисторы SiC Junction, а также линейка выпрямителей в металлических корпусах ТО-46. Эти дискретные компоненты спроектированы и изготовлены для работы при температуре окружающей среды выше 215оC. Применение высокой температуры, Транзисторы и выпрямители SiC с высоким напряжением и низким сопротивлением во включенном состоянии уменьшат размер/вес/объем электронных приложений, требующих более высокой мощности при повышенных температурах.. Эти устройства предназначены для использования в самых разных областях, включая широкий спектр скважинных контуров., геотермальные приборы, электромагнитное срабатывание, усиление общего назначения, и импульсные блоки питания.

Транзисторы с высокотемпературным соединением SiC (СДТ) предлагаемые GeneSiC, демонстрируют время нарастания/спада менее 10 нс, что позволяет >10 Переключение МГц, а также квадратная область безопасной работы с обратным смещением (РБСОА). Переходные потери энергии и время переключения не зависят от температуры перехода.. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и способны управляться 0/+5 Драйверы затвора V TTL, в отличие от других переключателей SiC. Уникальными преимуществами SJT по сравнению с другими коммутаторами SiC является более высокая надежность в долгосрочной перспективе., >20 возможность использования короткого замыкания, и превосходная лавинная способность. Эти устройства можно использовать в качестве эффективных усилителей, поскольку они обещают гораздо более высокую линейность, чем любой другой переключатель SiC..

Высокотемпературные выпрямители SiC Schottky, предлагаемые GeneSiC, демонстрируют низкое падение напряжения во включенном состоянии., и самые низкие в отрасли токи утечки при повышенных температурах. С независимым от температуры, характеристика переключения с обратным восстановлением, близкая к нулю, SiC-выпрямители Шоттки идеально подходят для использования в высокоэффективных системах., высокотемпературные контуры. Упаковка металлических банок TO-46, а также связанные с ней процессы упаковки, используемые для создания этих продуктов, позволяют использовать их в течение длительного времени, когда важна высокая надежность..

“Транзисторы и выпрямители GeneSiC разрабатываются и производятся с нуля для обеспечения работы при высоких температурах.. Эти компактные SJT в корпусе TO-46 обеспечивают высокий коэффициент усиления по току. (>110), 0/+5 V ТТЛ-управление, и надежная производительность. Эти устройства обеспечивают низкие потери проводимости и высокую линейность.. Мы разрабатываем нашу линейку выпрямителей «SHT», обеспечивать низкие токи утечки при высоких температурах. Эти продукты в металлической упаковке дополняют наши продукты TO-257 и металлические SMD, выпущенные в прошлом году, предлагая компактный форм-фактор., вибростойкие решения” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Продукты, выпущенные сегодня, включают:Транзисторные диоды TO-46 SiC

240 мОм SiC переходные транзисторы:

  • 300 В запирающее напряжение. Номер части ГА05ДЖТ03-46
  • 100 В запирающее напряжение. Номер части ГА05ДЖТ01-46
  • Текущее усиление (часКЭ) >110
  • Тjmax знак равно 210оC
  • Включение / выключение; Время подъема/спада <10 наносекунды типичные.

Вплоть до 4 Ампер высокотемпературные диоды Шоттки:

  • 600 В запирающее напряжение. Номер части ГБ02ШТ06-46
  • 300 В запирающее напряжение. Номер части ГБ02ШТ03-46
  • 100 В запирающее напряжение. Номер части ГБ02ШТ01-46
  • Общий емкостной заряд 9 нКл
  • Тjmax знак равно 210оC.

Все устройства 100% протестированы на полное напряжение/ток и размещены в металлических корпусах TO-46. Устройства сразу доступны у авторизованных дистрибьюторов GeneSiC..

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые диодные модули. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, скважинное бурение нефтяных скважин, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; и https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.