GeneSiC является пионером и мировым лидером в области технологии карбида кремния, а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции..
GeneSiC технологии играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности.. Наша технология позволяет эффективно использовать возобновляемые источники энергии..
GeneSiC электронные компоненты работают холоднее, Быстрее, и более экономично. У нас есть ведущие патенты на технологии широкополосных устройств питания.; рынок, который, по прогнозам, достигнет $1 миллиард по 2022.
Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..
Если вы заинтересованы в контакте с GeneSiC по вопросам отношений с инвесторами, пожалуйста, отправьте электронное письмо на инвесторы@genesicsemi.com
президент
 | доктор. Ранбир Сингх основал GeneSiC Semiconductor Inc.. в 2004. До этого он проводил исследования силовых устройств SiC сначала в Cree Inc., а затем в NIST, Gaithersburg, MD. Он разработал критическое понимание и опубликовал информацию о широком спектре устройств питания на основе SiC, включая PiN., Диоды JBS и Шоттки, МОП-транзисторы, БТИЗ, Тиристоры и тиристоры с полевым управлением. Он получил докторскую степень.. и степень магистра в области электротехники и вычислительной техники, из Университета штата Северная Каролина, Роли, NC, и B. Технология от Индийского технологического института, Дели. В 2012, EE Times по имени доктор. Сингх как среди "Сорок новаторов закладывают основы электронной промышленности следующего поколения." В 2011, он выиграл R&Награда D100 за его усилия по коммерциализации SiC тиристоров 6,5 кВ. Он опубликовал более 200 журналы и доклады конференций, является автором более 30 выдал патенты США, и написал книгу. |
Вице-президент по технологиям
 | доктор. Сиддарт Сундаресан - вице-президент GeneSiC по технологиям. Он получил свой M.S.. и доктор философии. степени в области электротехники Университета Джорджа Мейсона в 2004 и 2007, соответственно. доктор. Сундаресан опубликовал более 65 технические статьи и материалы конференций по устройству, материалы и технологические аспекты силовых устройств, изготовленных на SiC и GaN.. Он работал в техническом программном комитете Международной конференции по SiC и родственным материалам. (ICSCRM) и в настоящее время является членом технического комитета Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС. (ISPSD). |
