Категория: Пресс-релизы

Переключатели SiC, предлагающие самые низкие потери проводимости и превосходную способность к короткому замыканию, выпущенные для высокочастотных цепей питания

Даллес, Вирджиния., Октябрь 28, 2014 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Компания Power Semiconductors объявляет о немедленном выпуске семейства устройств 1700 В и низкого сопротивления в открытом состоянии. 1200 SiC-переходные транзисторы в корпусе TO-247. Использование высокого напряжения, высокая частота, SiC-транзисторы с высокой температурой и низким сопротивлением в открытом состоянии повысят эффективность преобразования и уменьшат размер / вес / объем приложений силовой электроники, требующих более высоких напряжений на шине. Эти устройства предназначены для использования в широком спектре приложений, включая микросети постоянного тока., Автомобильные зарядные устройства, сервер, телекоммуникационные и сетевые источники питания, источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, Системы ветроэнергетики, и промышленные системы управления двигателями.

SiC переходные транзисторы (СДТ) предлагаемые GeneSiC демонстрируют сверхбыструю коммутационную способность (аналогично SiC MOSFET), квадратная зона безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), а также не зависящие от температуры переходные потери энергии и время переключения. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут управляться коммерческими драйверами ворот, в отличие от других переключателей SiC. Уникальными преимуществами SJT по сравнению с другими коммутаторами SiC является более высокая надежность в долгосрочной перспективе., >10 возможность использования короткого замыкания, и превосходная лавинная способность

“Эти улучшенные SJT предлагают гораздо более высокий коэффициент усиления по току. (>100), высокая стабильность и надежность по сравнению с другими переключателями SiC. SJT GeneSiC предлагают чрезвычайно низкие потери проводимости при номинальных токах, поскольку превосходные потери при отключении в силовых цепях. Использование уникального устройства и инноваций в производстве, Продукты GeneSiC Transistor помогают разработчикам найти более надежное решение,” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

1700 Выпуск V SiC-переходного транзистора

• 25 мОм (GA50JT17-247), 65 мОм (GA16JT17-247), 220 мОм (GA04JT17-247)
• Текущее усиление (час_КЭ) >90
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Включение / выключение; Время подъема/спада <30 наносекунды типичные.

1200 Выпуск V SiC-переходного транзистора

• 25 мОм (GA50JT12-247), 120 мОм (GA10JT12-247), 210 мОм (GA05JT12-247)
• Текущее усиление (час_КЭ) >90
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Включение / выключение; Время подъема/спада <30 наносекунды типичные.

Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Пакеты TO-247, соответствующие RoHS. Устройства сразу же доступны у официальных дистрибьюторов GeneSiC..

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/коммерчески-sic / sic-junction-транзисторы /

SiC транзисторы и выпрямители GeneSiC предлагают значительные преимущества для достижения целей Little Box Challenge

Уровень развития. Силовые транзисторы из карбида кремния & Выпрямители. Имеется в наличии. Сейчас!

GeneSiC предлагает широкий ассортимент продукции, доступной прямо сейчас по всему миру от ведущих дистрибьюторов.

Чип голой матрицы форма SiC-устройств доступна прямо с завода (заполните форму ниже)

Дискретный SJTs и Выпрямители в коммерческих температурных рейтингах (175° C)

Дискретный HiT SJTпесок Выпрямители HiT при высоких температурах (до 250 ° C)

GeneSiC предлагает самый широкий спектр продуктов SiC - в упакованных продуктах, а также в формате с голыми кристаллами, что обеспечивает большую гибкость дизайна и инновации.. GeneSiC постоянно стремится оставаться впереди, вводя новые, инновационные продукты. Если сегодня вы не видите именно тот продукт, который ищете, вы можете увидеть это в ближайшем будущем.

Обещание высоких температур в SiC-транзисторах, реализованное с помощью совместимых стандартных корпусов, существенно улучшит скважинные и аэрокосмические приводы и источники питания.

Даллес, Вирджиния., Декабрь 10, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors сегодня объявляет о немедленной доступности через своих дистрибьюторов и напрямую через семейство высокотемпературных упаковок. 600 Переходные транзисторы V SiC (СДТ) в 3-50 Номинальные значения силы тока в амперах в корпусах для сквозного и поверхностного монтажа, соответствующих отраслевому стандарту JEDEC. Включая эти высокие температуры, низкое сопротивление при включении, высокочастотные SiC транзисторы в герметичных корпусах, высокотемпературные припои и инкапсуляция повысят эффективность преобразования и уменьшат размер / вес / объем приложений высокотемпературного преобразования энергии.

Современный высокотемпературный источник питания, Цепи управления двигателями и исполнительные механизмы, используемые в нефтегазовой / скважинной и аэрокосмической отраслях, страдают от отсутствия жизнеспособного высокотемпературного решения из карбида кремния. Кремниевые транзисторы страдают низким КПД схемы и большими размерами, потому что они страдают от высоких токов утечки и низких плохих характеристик переключения.. Оба эти параметра ухудшаются при более высоких температурах перехода.. С термически ограниченными средами, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольшого тока. Герметично упакованные SiC-транзисторы обладают уникальными характеристиками, которые обещают революционизировать возможности скважинных и аэрокосмических приложений.. GeneSiC’s 650 SiC-транзисторы V / 3-50 A имеют практически нулевое время переключения, которое не меняется с температурой.. В 210^оУстройства с температурным режимом C-перехода предлагают относительно большой температурный запас для приложений, которые работают в экстремальных условиях..

Соединительные транзисторы, предлагаемые GeneSiC, обладают сверхбыстрой коммутационной способностью., квадратная зона безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), а также не зависящие от температуры переходные потери энергии и время переключения. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут руководствоваться коммерческими, общедоступный 15 Драйверы затворов V IGBT, в отличие от других переключателей SiC. Предлагая совместимость с драйверами SiC JFET, SiC-переходные транзисторы можно легко подключать параллельно из-за их согласованных переходных характеристик..

“Поскольку разработчики скважинных и аэрокосмических приложений продолжают раздвигать пределы рабочей частоты, при этом все еще требуя высокой эффективности схемы, им нужны переключатели SiC, которые могут предложить стандарт производительности, надежность и единообразие производства. Использование уникального устройства и инноваций в производстве, Продукты GeneSiC SJT помогают дизайнерам достичь всего этого в более надежном решении.. Эти продукты дополняют герметичный выпрямитель SiC, выпущенный в прошлом году компанией GeneSiC., и продукты с голыми кристаллами, выпущенные ранее в этом году, прокладывая путь для нас, чтобы предложить высокую температуру, малоиндуктивность, силовые модули в ближайшем будущем ” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Изолированный ТО-257 с 600 В SJTs:

• 65 мОм / 20 ампер (2N7639-GA); 170 мОм / 8 ампер (2N7637-GA); и 425 мОм / 4 ампер (2N7635-GA)
• Т_jmax знак равно 210^оC
• Включение / выключение; Время подъема/спада <50 наносекунды типичные.
• Соответствующая голая матрица GA20JT06-CAL (в 2Н7639-ГА); GA10JT06-CAL (в 2Н7637-ГА); и GA05JT06-CAL (в 2Н7635-ГА)

Неизолированный пакет прототипа TO-258 с 600 SJTs

• 25 мОм / 50 ампер (GA50JT06-258 прототип корпуса)
• Т_jmax знак равно 210^оC
• Включение / выключение; Время подъема/спада <50 наносекунды типичные.
• Соответствующая голая матрица GA50JT06-CAL (в GA50JT06-258)

Крепление на поверхность ТО-276 (SMD0.5) с участием 600 SJTs

• 65 мОм / 20 ампер (2N7640-GA); 170 мОм / 8 ампер (2N7638-GA); и 425 мОм / 4 ампер (2N7636-GA)
• Т_jmax знак равно 210^оC
• Включение / выключение; Время подъема/спада <50 наносекунды типичные.

Все устройства 100% испытаны на полное напряжение / ток и размещены в герметичных корпусах. Предлагается техническая поддержка и схемы SPICE.. Устройства сразу же доступны в GeneSiC напрямую и / или через официальных дистрибьюторов..

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Высокое напряжение, SiC диоды Шоттки без обратного восстановления для критически важных возможностей солнечных инверторов и высоковольтных сборок, предлагая возможности для поверхностного монтажа с наименьшим форм-фактором

Даллес, Вирджиния., ноябрь 19, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о поступлении в продажу семейства стандартных для малого и среднего бизнеса (JEDEC DO-214AA) комплектные SiC выпрямители в 650 - 3300 V диапазон. Включая эти высоковольтные, без обратного восстановления, SiC-диоды, способные работать с высокими частотами и высокими температурами, повысят эффективность преобразования и уменьшат размер / вес / объем сборок на несколько кВ. Эти продукты предназначены для микро-солнечных инверторов, а также для схем умножителей напряжения, используемых в широком диапазоне рентгеновских лучей., Источники питания для лазеров и генераторов частиц.

Современные микро-солнечные инверторы и схемы умножителей напряжения могут страдать от низкого КПД схемы и больших размеров из-за обратных токов восстановления от кремниевых выпрямителей.. При более высоких температурах перехода выпрямителя, ситуация усугубляется тем, что ток обратного восстановления в кремниевых выпрямителях увеличивается с ростом температуры.. С термическими ограничениями высоковольтные сборки, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольшого тока. Высоковольтные SiC выпрямители обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в солнечных инверторах и высоковольтных узлах.. GeneSiC’s 650 В / 1 А; 1200 В / 2 А и 3300 Выпрямители Шоттки V / 0,3 A имеют нулевой ток обратного восстановления, который не меняется с температурой.. В 3300 Устройства с рейтингом V обеспечивают относительно высокое напряжение в одном устройстве, что позволяет сократить количество ступеней умножения напряжения, необходимых в типичных схемах генератора высокого напряжения., за счет использования более высоких входных напряжений переменного тока. Практически идеальные коммутационные характеристики позволяют исключить / резко сократить количество сетей выравнивания напряжения и демпфирующих цепей.. SMB (DO-214AA) литой корпус имеет форм-фактор отраслевого стандарта для сборок на поверхность.

«Эти предложения продуктов являются результатом многолетних усилий GeneSiC по разработке привлекательных устройств и пакетов.. Мы считаем, что форм-фактор SMB является ключевым отличительным признаком рынка микро-солнечных инверторов и умножителей напряжения., и принесет значительную выгоду нашим клиентам. Низкая VF у GeneSiC, SiC выпрямители Шоттки с малой емкостью и улучшенные корпуса SMB делают этот революционный продукт” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

1200 V / 2 A SMB SiC диод Шоттки (GB02SLT12-214) Технические характеристики

• Типичный VF = 1.5 V
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Обратный возвратный заряд = 14 нКл.

3300 SiC диод Шоттки для поверхностного монтажа, V / 0,3 A (GAP3SLT33-214) Технические характеристики

• Типичный VF = 1.7 V
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Обратный возвратный заряд = 52 нКл.

650 V / 1 A SMB SiC диод Шоттки (GB01SLT06-214) Технические характеристики

• Типичный VF = 1.5 V
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Обратный возвратный заряд = 7 нКл.

Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Соответствует RoHS SMB (DO-214AA) пакеты. Предлагается техническая поддержка и схемы SPICE.. Устройства сразу же доступны у официальных дистрибьюторов GeneSiC..

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/index.php / sic-products / schottky

Высоковольтные сборки, в которых используются эти выпрямители с низкой емкостью, обеспечивающие независимые от температуры нулевые токи обратного восстановления в изолированных корпусах

Водопад Виф-Ривер / Даллес, Вирджиния., май 28, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности 3300 SiC выпрямители Шоттки, V / 0,3 Ампера – GAP3SLT33-220FP. Этот уникальный продукт представляет собой SiC выпрямитель наивысшего напряжения на рынке., и специально нацелен на схемы умножителей напряжения и высоковольтные сборки, используемые в широком диапазоне рентгеновских лучей., Источники питания для лазеров и генераторов частиц.

Современные схемы умножителей напряжения страдают от низкого КПД и больших размеров, поскольку обратные токи восстановления от кремниевых выпрямителей разряжают параллельно соединенные конденсаторы.. При более высоких температурах перехода выпрямителя, ситуация усугубляется тем, что ток обратного восстановления в кремниевых выпрямителях увеличивается с ростом температуры.. С термическими ограничениями высоковольтные сборки, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольшого тока. Высоковольтные SiC выпрямители обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в высоковольтных сборках.. GeneSiC’s 3300 Выпрямители Шоттки V / 0,3 A имеют нулевой ток обратного восстановления, который не меняется с температурой.. Это относительно высокое напряжение в одном устройстве позволяет сократить количество ступеней умножения напряжения, необходимых в типичных схемах высоковольтных генераторов., за счет использования более высоких входных напряжений переменного тока. Практически идеальные коммутационные характеристики позволяют исключить / резко сократить количество сетей выравнивания напряжения и демпфирующих цепей.. Литой изолирующий корпус TO-220 Full Pack имеет форм-фактор отраслевого стандарта с увеличенным расстоянием между выводами в узлах со сквозными отверстиями..

«Этот продукт является результатом многолетних усилий GeneSiC.. Мы верим 3300 Рейтинг V является ключевым фактором для рынка генераторов высокого напряжения., и принесет значительную выгоду нашим клиентам. Низкая VF у GeneSiC, SiC выпрямители Шоттки с малой емкостью делают возможным создание этого революционного продукта.” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

3300 Основные технические характеристики SiC-выпрямителя V / 0,3 A

• On-State Drop of 1.7 V в 0.3 А
• Положительный температурный коэффициент на VF
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Емкостный заряд 52 нКл (типичный).

Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Отраслевой стандарт TO-220FP, соответствующий требованиям RoHS (Полный пакет) пакеты. Устройства сразу же доступны у официального дистрибьютора GeneSiC., Digikey.

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, посетите www.genesicsemi.com

Цепи и узлы высокого напряжения, в которых используются чипы SiC, обеспечивающие беспрецедентные номинальные напряжения и сверхвысокую скорость переключения

Даллес, Вирджиния., ноябрь 7, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности 8000 Выпрямители V SiC PiN; 8000 V SiC Выпрямители Шоттки, 3300 V SiC выпрямители Шоттки и 6500 V SiC Тиристоры в формате голого кристалла. Эти уникальные продукты представляют собой SiC-устройства с самым высоким напряжением на рынке., и специально предназначен для нефтегазовых приборов., схемы умножителей напряжения и высоковольтные сборки.

Современные схемы сверхвысокого напряжения страдают от низкого КПД и больших размеров, поскольку токи обратного восстановления от кремниевых выпрямителей разряжают параллельно соединенные конденсаторы.. При более высоких температурах перехода выпрямителя, Эта ситуация еще больше ухудшается, поскольку ток обратного восстановления в кремниевых выпрямителях увеличивается с температурой.. С термическими ограничениями высоковольтные сборки, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольшого тока. Высоковольтные SiC выпрямители обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в высоковольтных сборках.. GeneSiC’s 8000 V и 3300 Выпрямители Шоттки V имеют нулевой ток обратного восстановления, который не меняется с температурой.. Это относительно высокое напряжение в одном устройстве позволяет сократить количество ступеней умножения напряжения, необходимых в типичных схемах высоковольтных генераторов., за счет использования более высоких входных напряжений переменного тока. Практически идеальные коммутационные характеристики позволяют исключить / резко сократить количество сетей выравнивания напряжения и демпфирующих цепей.. 8000 Выпрямители V PiN предлагают более высокие уровни тока и более высокие рабочие температуры.. 6500 V SiC Thyristor также доступны для ускорения R&D новых систем.

«Эти продукты демонстрируют сильное лидерство компании GeneSiC в разработке чипов SiC в диапазоне нескольких киловольт.. Мы верим 8000 Рейтинг V выходит за рамки того, что кремниевые устройства могут предложить при номинальных температурах., и принесет значительную выгоду нашим клиентам. Низкая VF у GeneSiC, SiC выпрямители и тиристоры с малой емкостью обеспечат преимущества на системном уровне, недоступные ранее” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

8000 Основные технические характеристики выпрямителя V / 2 A SiC Bare Die PiN

• Т_jmax знак равно 210^оC
• Обратные токи утечки < 50 uA в 175^оC
• Заряд обратного восстановления 558 нКл (типичный).

8000 Основные технические характеристики выпрямителя Шоттки SiC с голым кристаллом, напряжение / 50 мА

• Общая емкость 25 ПФ (типичный, в -1 V, 25^оC).
• Положительный температурный коэффициент на VF
• Т_jmax знак равно 175^оC

6500 Основные технические характеристики V SiC Thyristor Bare Die

• Три предложения - 80 Амперы (GA080TH65-CAU); 60 Амперы (GA060TH65-CAU); и 40 Амперы (GA040TH65-CAU)
• Т_jmax знак равно 200^оC

3300 Основные технические характеристики выпрямителя с неизолированным кристаллом SiC V / 0,3 A

• On-State Drop of 1.7 V в 0.3 А
• Положительный температурный коэффициент на VF
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Емкостный заряд 52 нКл (типичный).

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie