Категория: Новости

Комбинация SiC-транзистор-диод в одном корпусе в прочном, изолированные, 4-Свинцовый, упаковка мини-модуля снижает потери энергии при включении и позволяет создавать гибкие схемы для высокочастотных преобразователей энергии

DULLES, VA, май 13, 2015 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности 20 SiC переходные транзисторы-диоды мОм-1200 В в изолированном, 4-Корпус мини-модуля с выводами, обеспечивающий чрезвычайно низкие потери энергии при включении и одновременно обеспечивающий гибкость, модульные конструкции в высокочастотных преобразователях мощности. Использование высокой частоты, SiC-транзисторы и выпрямители с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии уменьшат размер / вес / объем электронных приложений, требующих более высокой мощности на высоких рабочих частотах. Эти устройства предназначены для использования в широком спектре приложений, включая индукционные нагреватели., генераторы плазмы, быстрые зарядные устройства, DC-DC преобразователи, и импульсные блоки питания.

Совместно упакованные SiC переходные транзисторы (СДТ)-Выпрямители SiC, предлагаемые GeneSiC, однозначно применимы для приложений с индуктивной коммутацией, потому что SJT - единственные широкополосные переключатели, предлагаемые >10 возможность повторного короткого замыкания в микросекундах, даже при 80% номинальных напряжений (например. 960 V для 1200 V устройство). В дополнение к временам нарастания / спада менее 10 нс и квадрату безопасной рабочей зоны с обратным смещением (РБСОА), клемма Gate Return в новой конфигурации значительно улучшает возможность снижения энергий переключения. Этот новый класс продуктов предлагает переходные потери энергии и время переключения, которые не зависят от температуры перехода.. SiC-переходные транзисторы от GeneSiC не содержат оксидов затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут работать при низких напряжениях затвора, в отличие от других переключателей SiC.
Выпрямители SiC Шоттки, используемые в этих мини-модулях, показывают низкие падения напряжения в открытом состоянии., хорошие характеристики импульсного тока и самые низкие в отрасли токи утечки при повышенных температурах. С независимым от температуры, характеристика переключения с обратным восстановлением, близкая к нулю, Выпрямители SiC Шоттки - идеальные кандидаты для использования в высокоэффективных схемах..
“SiC транзисторы и выпрямители компании GeneSiC спроектированы и изготовлены для обеспечения низких потерь в открытом состоянии и коммутации.. Комбинация этих технологий в инновационном корпусе обещает образцовые характеристики в силовых цепях, требующих устройств на основе широкой запрещенной зоны.. Упаковка мини-модуля предлагает большую гибкость конструкции для использования в различных цепях питания, таких как H-Bridge., Обратные и многоуровневые инверторы” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
Выпущенный сегодня продукт включает
20 Совместная упаковка SiC-транзистора / выпрямителя мОм / 1200 В (GA50SICP12-227):
• Изолированный корпус SOT-227 / мини-блок / Isotop
• Коэффициент усиления транзистора (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (ограничено упаковкой)
• Включить / выключить; Время подъема/спада <10 наносекунды типичные.

Все устройства 100% испытано на полное номинальное напряжение / ток. Устройства сразу же доступны в GeneSiC’s Официальные дистрибьюторы.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите: https://192.168.88.14/коммерческий-sic / sic-modules-copack /

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые диодные модули. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, скважинное бурение нефтяных скважин, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

Высокая температура (>210^оC) Переходные транзисторы и выпрямители в корпусе из металлических корпусов малого форм-фактора предлагают революционные преимущества производительности для различных приложений, включая усиление., схема с низким уровнем шума и управление скважинным приводом

DULLES, VA, Маршировать 9, 2015 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) сегодня компания power semiconductors объявляет о поступлении в продажу линейки компактных, высокотемпературные транзисторы SiC Junction, а также линейка выпрямителей в металлических корпусах ТО-46. Эти дискретные компоненты спроектированы и изготовлены для работы при температуре окружающей среды выше 215^оC. Применение высокой температуры, Транзисторы и выпрямители SiC с высоким напряжением и низким сопротивлением во включенном состоянии уменьшат размер/вес/объем электронных приложений, требующих более высокой мощности при повышенных температурах.. Эти устройства предназначены для использования в самых разных областях, включая широкий спектр скважинных контуров., геотермальные приборы, электромагнитное срабатывание, усиление общего назначения, и импульсные блоки питания.

Транзисторы с высокотемпературным соединением SiC (СДТ) предлагаемые GeneSiC, демонстрируют время нарастания/спада менее 10 нс, что позволяет >10 Переключение МГц, а также квадратная область безопасной работы с обратным смещением (РБСОА). Переходные потери энергии и время переключения не зависят от температуры перехода.. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и способны управляться 0/+5 Драйверы затвора V TTL, в отличие от других переключателей SiC. Уникальными преимуществами SJT по сравнению с другими коммутаторами SiC является более высокая надежность в долгосрочной перспективе., >20 возможность использования короткого замыкания, и превосходная лавинная способность. Эти устройства можно использовать в качестве эффективных усилителей, поскольку они обещают гораздо более высокую линейность, чем любой другой переключатель SiC..

Высокотемпературные выпрямители SiC Schottky, предлагаемые GeneSiC, демонстрируют низкое падение напряжения во включенном состоянии., и самые низкие в отрасли токи утечки при повышенных температурах. С независимым от температуры, характеристика переключения с обратным восстановлением, близкая к нулю, SiC-выпрямители Шоттки идеально подходят для использования в высокоэффективных системах., высокотемпературные контуры. Упаковка металлических банок TO-46, а также связанные с ней процессы упаковки, используемые для создания этих продуктов, позволяют использовать их в течение длительного времени, когда важна высокая надежность..

“Транзисторы и выпрямители GeneSiC разрабатываются и производятся с нуля для обеспечения работы при высоких температурах.. Эти компактные SJT в корпусе TO-46 обеспечивают высокий коэффициент усиления по току. (>110), 0/+5 V ТТЛ-управление, и надежная производительность. Эти устройства обеспечивают низкие потери проводимости и высокую линейность.. Мы разрабатываем нашу линейку выпрямителей «SHT», обеспечивать низкие токи утечки при высоких температурах. Эти продукты в металлической упаковке дополняют наши продукты TO-257 и металлические SMD, выпущенные в прошлом году, предлагая компактный форм-фактор., вибростойкие решения” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Продукты, выпущенные сегодня, включают:

240 мОм SiC переходные транзисторы:

• 300 В запирающее напряжение. Номер части ГА05ДЖТ03-46
• 100 В запирающее напряжение. Номер части ГА05ДЖТ01-46
• Текущее усиление (час_КЭ) >110
• Т_jmax знак равно 210^оC
• Включение / выключение; Время подъема/спада <10 наносекунды типичные.

Вплоть до 4 Ампер высокотемпературные диоды Шоттки:

• 600 В запирающее напряжение. Номер части ГБ02ШТ06-46
• 300 В запирающее напряжение. Номер части ГБ02ШТ03-46
• 100 В запирающее напряжение. Номер части ГБ02ШТ01-46
• Общий емкостной заряд 9 нКл
• Т_jmax знак равно 210^оC.

Все устройства 100% протестированы на полное напряжение/ток и размещены в металлических корпусах TO-46. Устройства сразу доступны у авторизованных дистрибьюторов GeneSiC..

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые диодные модули. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, скважинное бурение нефтяных скважин, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; и https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Плата драйвера затвора, оптимизированная для высоких скоростей переключения, и модели, основанные на поведении, позволяют инженерам-проектировщикам силовой электроники проверять и количественно оценивать преимущества SJT при оценке на уровне платы и моделировании схем

DULLES, В.А., ноябрь 19, 2014 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Компания Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности оценочной платы драйвера затвора и расширяет свою конструктивную поддержку переключателей с наименьшими потерями в отрасли - SiC Junction Transistor. (СДТ) - с полностью квалифицированной моделью LTSPICE IV. Использование новой платы драйвера затвора, Разработчики схем преобразования мощности могут проверить преимущества менее 15 наносекунд, температурно-независимые коммутационные характеристики SiC-переходных транзисторов, с низкими потерями мощности драйвера. Включение новых моделей SPICE, Разработчики схем могут легко оценить преимущества SJT GeneSiC для достижения более высокого уровня эффективности, чем это возможно с обычными кремниевыми устройствами переключения питания для устройств сопоставимого номинала..

SiC-переходные транзисторы имеют значительно отличающиеся характеристики от других технологий SiC-транзисторов., а также кремниевые транзисторы. Платы драйверов затвора, которые могут обеспечивать низкие потери мощности при сохранении высоких скоростей переключения, были необходимы для обеспечения приводных решений для использования преимуществ SiC Junction Transistors.. GeneSiC полностью изолирован Торговые журналы Плата драйвера затвора принимает сигнал 0/12 В и TTL для оптимального согласования форм сигналов напряжения / тока, необходимых для обеспечения небольшого времени нарастания / спада, при этом минимизируя потребность в постоянном токе для поддержания нормального выключенного SJT в проводящем состоянии во включенном состоянии.. Конфигурация выводов и форм-факторы аналогичны другим транзисторам SiC.. GeneSiC также выпустила файлы Gerber и спецификации для конечных пользователей, чтобы они могли использовать преимущества реализованных инноваций в дизайне драйверов..

SJT предлагают хорошие характеристики включения и переключения, упрощение создания моделей SPICE на основе поведения, которые также хорошо согласуются с базовыми моделями на основе физики. Использование хорошо зарекомендовавших себя и понятных моделей, основанных на физике, Параметры SPICE были выпущены после всестороннего тестирования поведения устройства.. Модели GeneSiC SPICE сравниваются с экспериментально измеренными данными во всех технических описаниях устройств и применимы ко всем 1200 V и 1700 Выпущены переходные транзисторы V SiC.
SJT GeneSiC способны обеспечивать частоты переключения, превышающие 15 раз выше, чем решения на базе IGBT. Их более высокие частоты переключения позволяют использовать магнитные и емкостные элементы меньшего размера., тем самым уменьшая общий размер, вес и стоимость систем силовой электроники.

Эта SPICE-модель SiC Junction Transistor дополняет полный набор средств поддержки проектирования GeneSiC., техническая документация, и информация о надежности, чтобы предоставить инженерам силовой электроники ресурсы для проектирования, необходимые для внедрения обширного семейства SiC-транзисторов и выпрямителей GeneSiC в системы питания следующего поколения..

Таблицы данных платы драйверов затворов GeneSiC и модели SJT SPICE можно загрузить с https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

Переключатели SiC, предлагающие самые низкие потери проводимости и превосходную способность к короткому замыканию, выпущенные для высокочастотных цепей питания

Даллес, Вирджиния., Октябрь 28, 2014 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Компания Power Semiconductors объявляет о немедленном выпуске семейства устройств 1700 В и низкого сопротивления в открытом состоянии. 1200 SiC-переходные транзисторы в корпусе TO-247. Использование высокого напряжения, высокая частота, SiC-транзисторы с высокой температурой и низким сопротивлением в открытом состоянии повысят эффективность преобразования и уменьшат размер / вес / объем приложений силовой электроники, требующих более высоких напряжений на шине. Эти устройства предназначены для использования в широком спектре приложений, включая микросети постоянного тока., Автомобильные зарядные устройства, сервер, телекоммуникационные и сетевые источники питания, источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, Системы ветроэнергетики, и промышленные системы управления двигателями.

SiC переходные транзисторы (СДТ) предлагаемые GeneSiC демонстрируют сверхбыструю коммутационную способность (аналогично SiC MOSFET), квадратная зона безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), а также не зависящие от температуры переходные потери энергии и время переключения. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут управляться коммерческими драйверами ворот, в отличие от других переключателей SiC. Уникальными преимуществами SJT по сравнению с другими коммутаторами SiC является более высокая надежность в долгосрочной перспективе., >10 возможность использования короткого замыкания, и превосходная лавинная способность

“Эти улучшенные SJT предлагают гораздо более высокий коэффициент усиления по току. (>100), высокая стабильность и надежность по сравнению с другими переключателями SiC. SJT GeneSiC предлагают чрезвычайно низкие потери проводимости при номинальных токах, поскольку превосходные потери при отключении в силовых цепях. Использование уникального устройства и инноваций в производстве, Продукты GeneSiC Transistor помогают разработчикам найти более надежное решение,” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

1700 Выпуск V SiC-переходного транзистора

• 25 мОм (GA50JT17-247), 65 мОм (GA16JT17-247), 220 мОм (GA04JT17-247)
• Текущее усиление (час_КЭ) >90
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Включение / выключение; Время подъема/спада <30 наносекунды типичные.

1200 Выпуск V SiC-переходного транзистора

• 25 мОм (GA50JT12-247), 120 мОм (GA10JT12-247), 210 мОм (GA05JT12-247)
• Текущее усиление (час_КЭ) >90
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Включение / выключение; Время подъема/спада <30 наносекунды типичные.

Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Пакеты TO-247, соответствующие RoHS. Устройства сразу же доступны у официальных дистрибьюторов GeneSiC..

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/коммерчески-sic / sic-junction-транзисторы /

SiC транзисторы и выпрямители GeneSiC предлагают значительные преимущества для достижения целей Little Box Challenge

Уровень развития. Силовые транзисторы из карбида кремния & Выпрямители. Имеется в наличии. Сейчас!

GeneSiC предлагает широкий ассортимент продукции, доступной прямо сейчас по всему миру от ведущих дистрибьюторов.

Чип голой матрицы форма SiC-устройств доступна прямо с завода (заполните форму ниже)

Дискретный SJTs и Выпрямители в коммерческих температурных рейтингах (175° C)

Дискретный HiT SJTпесок Выпрямители HiT при высоких температурах (до 250 ° C)

GeneSiC предлагает самый широкий спектр продуктов SiC - в упакованных продуктах, а также в формате с голыми кристаллами, что обеспечивает большую гибкость дизайна и инновации.. GeneSiC постоянно стремится оставаться впереди, вводя новые, инновационные продукты. Если сегодня вы не видите именно тот продукт, который ищете, вы можете увидеть это в ближайшем будущем.

Обещание высоких температур в SiC-транзисторах, реализованное с помощью совместимых стандартных корпусов, существенно улучшит скважинные и аэрокосмические приводы и источники питания.

Даллес, Вирджиния., Декабрь 10, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors сегодня объявляет о немедленной доступности через своих дистрибьюторов и напрямую через семейство высокотемпературных упаковок. 600 Переходные транзисторы V SiC (СДТ) в 3-50 Номинальные значения силы тока в амперах в корпусах для сквозного и поверхностного монтажа, соответствующих отраслевому стандарту JEDEC. Включая эти высокие температуры, низкое сопротивление при включении, высокочастотные SiC транзисторы в герметичных корпусах, высокотемпературные припои и инкапсуляция повысят эффективность преобразования и уменьшат размер / вес / объем приложений высокотемпературного преобразования энергии.

Современный высокотемпературный источник питания, Цепи управления двигателями и исполнительные механизмы, используемые в нефтегазовой / скважинной и аэрокосмической отраслях, страдают от отсутствия жизнеспособного высокотемпературного решения из карбида кремния. Кремниевые транзисторы страдают низким КПД схемы и большими размерами, потому что они страдают от высоких токов утечки и низких плохих характеристик переключения.. Оба эти параметра ухудшаются при более высоких температурах перехода.. С термически ограниченными средами, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольшого тока. Герметично упакованные SiC-транзисторы обладают уникальными характеристиками, которые обещают революционизировать возможности скважинных и аэрокосмических приложений.. GeneSiC’s 650 SiC-транзисторы V / 3-50 A имеют практически нулевое время переключения, которое не меняется с температурой.. В 210^оУстройства с температурным режимом C-перехода предлагают относительно большой температурный запас для приложений, которые работают в экстремальных условиях..

Соединительные транзисторы, предлагаемые GeneSiC, обладают сверхбыстрой коммутационной способностью., квадратная зона безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), а также не зависящие от температуры переходные потери энергии и время переключения. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут руководствоваться коммерческими, общедоступный 15 Драйверы затворов V IGBT, в отличие от других переключателей SiC. Предлагая совместимость с драйверами SiC JFET, SiC-переходные транзисторы можно легко подключать параллельно из-за их согласованных переходных характеристик..

“Поскольку разработчики скважинных и аэрокосмических приложений продолжают раздвигать пределы рабочей частоты, при этом все еще требуя высокой эффективности схемы, им нужны переключатели SiC, которые могут предложить стандарт производительности, надежность и единообразие производства. Использование уникального устройства и инноваций в производстве, Продукты GeneSiC SJT помогают дизайнерам достичь всего этого в более надежном решении.. Эти продукты дополняют герметичный выпрямитель SiC, выпущенный в прошлом году компанией GeneSiC., и продукты с голыми кристаллами, выпущенные ранее в этом году, прокладывая путь для нас, чтобы предложить высокую температуру, малоиндуктивность, силовые модули в ближайшем будущем ” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Изолированный ТО-257 с 600 В SJTs:

• 65 мОм / 20 ампер (2N7639-GA); 170 мОм / 8 ампер (2N7637-GA); и 425 мОм / 4 ампер (2N7635-GA)
• Т_jmax знак равно 210^оC
• Включение / выключение; Время подъема/спада <50 наносекунды типичные.
• Соответствующая голая матрица GA20JT06-CAL (в 2Н7639-ГА); GA10JT06-CAL (в 2Н7637-ГА); и GA05JT06-CAL (в 2Н7635-ГА)

Неизолированный пакет прототипа TO-258 с 600 SJTs

• 25 мОм / 50 ампер (GA50JT06-258 прототип корпуса)
• Т_jmax знак равно 210^оC
• Включение / выключение; Время подъема/спада <50 наносекунды типичные.
• Соответствующая голая матрица GA50JT06-CAL (в GA50JT06-258)

Крепление на поверхность ТО-276 (SMD0.5) с участием 600 SJTs

• 65 мОм / 20 ампер (2N7640-GA); 170 мОм / 8 ампер (2N7638-GA); и 425 мОм / 4 ампер (2N7636-GA)
• Т_jmax знак равно 210^оC
• Включение / выключение; Время подъема/спада <50 наносекунды типичные.

Все устройства 100% испытаны на полное напряжение / ток и размещены в герметичных корпусах. Предлагается техническая поддержка и схемы SPICE.. Устройства сразу же доступны в GeneSiC напрямую и / или через официальных дистрибьюторов..

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Высокое напряжение, SiC диоды Шоттки без обратного восстановления для критически важных возможностей солнечных инверторов и высоковольтных сборок, предлагая возможности для поверхностного монтажа с наименьшим форм-фактором

Даллес, Вирджиния., ноябрь 19, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о поступлении в продажу семейства стандартных для малого и среднего бизнеса (JEDEC DO-214AA) комплектные SiC выпрямители в 650 - 3300 V диапазон. Включая эти высоковольтные, без обратного восстановления, SiC-диоды, способные работать с высокими частотами и высокими температурами, повысят эффективность преобразования и уменьшат размер / вес / объем сборок на несколько кВ. Эти продукты предназначены для микро-солнечных инверторов, а также для схем умножителей напряжения, используемых в широком диапазоне рентгеновских лучей., Источники питания для лазеров и генераторов частиц.

Современные микро-солнечные инверторы и схемы умножителей напряжения могут страдать от низкого КПД схемы и больших размеров из-за обратных токов восстановления от кремниевых выпрямителей.. При более высоких температурах перехода выпрямителя, ситуация усугубляется тем, что ток обратного восстановления в кремниевых выпрямителях увеличивается с ростом температуры.. С термическими ограничениями высоковольтные сборки, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольшого тока. Высоковольтные SiC выпрямители обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в солнечных инверторах и высоковольтных узлах.. GeneSiC’s 650 В / 1 А; 1200 В / 2 А и 3300 Выпрямители Шоттки V / 0,3 A имеют нулевой ток обратного восстановления, который не меняется с температурой.. В 3300 Устройства с рейтингом V обеспечивают относительно высокое напряжение в одном устройстве, что позволяет сократить количество ступеней умножения напряжения, необходимых в типичных схемах генератора высокого напряжения., за счет использования более высоких входных напряжений переменного тока. Практически идеальные коммутационные характеристики позволяют исключить / резко сократить количество сетей выравнивания напряжения и демпфирующих цепей.. SMB (DO-214AA) литой корпус имеет форм-фактор отраслевого стандарта для сборок на поверхность.

«Эти предложения продуктов являются результатом многолетних усилий GeneSiC по разработке привлекательных устройств и пакетов.. Мы считаем, что форм-фактор SMB является ключевым отличительным признаком рынка микро-солнечных инверторов и умножителей напряжения., и принесет значительную выгоду нашим клиентам. Низкая VF у GeneSiC, SiC выпрямители Шоттки с малой емкостью и улучшенные корпуса SMB делают этот революционный продукт” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

1200 V / 2 A SMB SiC диод Шоттки (GB02SLT12-214) Технические характеристики

• Типичный VF = 1.5 V
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Обратный возвратный заряд = 14 нКл.

3300 SiC диод Шоттки для поверхностного монтажа, V / 0,3 A (GAP3SLT33-214) Технические характеристики

• Типичный VF = 1.7 V
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Обратный возвратный заряд = 52 нКл.

650 V / 1 A SMB SiC диод Шоттки (GB01SLT06-214) Технические характеристики

• Типичный VF = 1.5 V
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Обратный возвратный заряд = 7 нКл.

Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Соответствует RoHS SMB (DO-214AA) пакеты. Предлагается техническая поддержка и схемы SPICE.. Устройства сразу же доступны у официальных дистрибьюторов GeneSiC..

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/index.php / sic-products / schottky

Высоковольтные сборки, в которых используются эти выпрямители с низкой емкостью, обеспечивающие независимые от температуры нулевые токи обратного восстановления в изолированных корпусах

Водопад Виф-Ривер / Даллес, Вирджиния., май 28, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности 3300 SiC выпрямители Шоттки, V / 0,3 Ампера – GAP3SLT33-220FP. Этот уникальный продукт представляет собой SiC выпрямитель наивысшего напряжения на рынке., и специально нацелен на схемы умножителей напряжения и высоковольтные сборки, используемые в широком диапазоне рентгеновских лучей., Источники питания для лазеров и генераторов частиц.

Современные схемы умножителей напряжения страдают от низкого КПД и больших размеров, поскольку обратные токи восстановления от кремниевых выпрямителей разряжают параллельно соединенные конденсаторы.. При более высоких температурах перехода выпрямителя, ситуация усугубляется тем, что ток обратного восстановления в кремниевых выпрямителях увеличивается с ростом температуры.. С термическими ограничениями высоковольтные сборки, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольшого тока. Высоковольтные SiC выпрямители обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в высоковольтных сборках.. GeneSiC’s 3300 Выпрямители Шоттки V / 0,3 A имеют нулевой ток обратного восстановления, который не меняется с температурой.. Это относительно высокое напряжение в одном устройстве позволяет сократить количество ступеней умножения напряжения, необходимых в типичных схемах высоковольтных генераторов., за счет использования более высоких входных напряжений переменного тока. Практически идеальные коммутационные характеристики позволяют исключить / резко сократить количество сетей выравнивания напряжения и демпфирующих цепей.. Литой изолирующий корпус TO-220 Full Pack имеет форм-фактор отраслевого стандарта с увеличенным расстоянием между выводами в узлах со сквозными отверстиями..

«Этот продукт является результатом многолетних усилий GeneSiC.. Мы верим 3300 Рейтинг V является ключевым фактором для рынка генераторов высокого напряжения., и принесет значительную выгоду нашим клиентам. Низкая VF у GeneSiC, SiC выпрямители Шоттки с малой емкостью делают возможным создание этого революционного продукта.” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

3300 Основные технические характеристики SiC-выпрямителя V / 0,3 A

• On-State Drop of 1.7 V в 0.3 А
• Положительный температурный коэффициент на VF
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Емкостный заряд 52 нКл (типичный).

Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Отраслевой стандарт TO-220FP, соответствующий требованиям RoHS (Полный пакет) пакеты. Устройства сразу же доступны у официального дистрибьютора GeneSiC., Digikey.

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, посетите www.genesicsemi.com

Цепи и узлы высокого напряжения, в которых используются чипы SiC, обеспечивающие беспрецедентные номинальные напряжения и сверхвысокую скорость переключения

Даллес, Вирджиния., ноябрь 7, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности 8000 Выпрямители V SiC PiN; 8000 V SiC Выпрямители Шоттки, 3300 V SiC выпрямители Шоттки и 6500 V SiC Тиристоры в формате голого кристалла. Эти уникальные продукты представляют собой SiC-устройства с самым высоким напряжением на рынке., и специально предназначен для нефтегазовых приборов., схемы умножителей напряжения и высоковольтные сборки.

Современные схемы сверхвысокого напряжения страдают от низкого КПД и больших размеров, поскольку токи обратного восстановления от кремниевых выпрямителей разряжают параллельно соединенные конденсаторы.. При более высоких температурах перехода выпрямителя, Эта ситуация еще больше ухудшается, поскольку ток обратного восстановления в кремниевых выпрямителях увеличивается с температурой.. С термическими ограничениями высоковольтные сборки, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольшого тока. Высоковольтные SiC выпрямители обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в высоковольтных сборках.. GeneSiC’s 8000 V и 3300 Выпрямители Шоттки V имеют нулевой ток обратного восстановления, который не меняется с температурой.. Это относительно высокое напряжение в одном устройстве позволяет сократить количество ступеней умножения напряжения, необходимых в типичных схемах высоковольтных генераторов., за счет использования более высоких входных напряжений переменного тока. Практически идеальные коммутационные характеристики позволяют исключить / резко сократить количество сетей выравнивания напряжения и демпфирующих цепей.. 8000 Выпрямители V PiN предлагают более высокие уровни тока и более высокие рабочие температуры.. 6500 V SiC Thyristor также доступны для ускорения R&D новых систем.

«Эти продукты демонстрируют сильное лидерство компании GeneSiC в разработке чипов SiC в диапазоне нескольких киловольт.. Мы верим 8000 Рейтинг V выходит за рамки того, что кремниевые устройства могут предложить при номинальных температурах., и принесет значительную выгоду нашим клиентам. Низкая VF у GeneSiC, SiC выпрямители и тиристоры с малой емкостью обеспечат преимущества на системном уровне, недоступные ранее” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

8000 Основные технические характеристики выпрямителя V / 2 A SiC Bare Die PiN

• Т_jmax знак равно 210^оC
• Обратные токи утечки < 50 uA в 175^оC
• Заряд обратного восстановления 558 нКл (типичный).

8000 Основные технические характеристики выпрямителя Шоттки SiC с голым кристаллом, напряжение / 50 мА

• Общая емкость 25 ПФ (типичный, в -1 V, 25^оC).
• Положительный температурный коэффициент на VF
• Т_jmax знак равно 175^оC

6500 Основные технические характеристики V SiC Thyristor Bare Die

• Три предложения - 80 Амперы (GA080TH65-CAU); 60 Амперы (GA060TH65-CAU); и 40 Амперы (GA040TH65-CAU)
• Т_jmax знак равно 200^оC

3300 Основные технические характеристики выпрямителя с неизолированным кристаллом SiC V / 0,3 A

• On-State Drop of 1.7 V в 0.3 А
• Положительный температурный коэффициент на VF
• Т_jmax знак равно 175^оC
• Емкостный заряд 52 нКл (типичный).

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie