опубликовано

SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ 750 В обеспечивают непревзойденную производительность и надежность

750V G3R SiC МОП-транзистор

DULLES, VA, июнь 04, 2021 — SiC МОП-транзисторы GeneSiC нового поколения 750 В G3R ™ обеспечат беспрецедентный уровень производительности., надежность и качество, превосходящие аналоги. Преимущества системы включают низкие перепады в открытом состоянии при рабочих температурах., более высокая скорость переключения, повышенная удельная мощность, минимальный звон (низкий EMI) и компактный размер системы. GeneSiC’s G3R ™, предлагается в оптимизированных дискретных корпусах с низкой индуктивностью (SMD и сквозное отверстие), оптимизированы для работы с минимальными потерями мощности во всех рабочих условиях и сверхбыстрыми скоростями переключения. Эти устройства обладают значительно лучшими характеристиками по сравнению с современными SiC MOSFET..

750V G3R SiC МОП-транзистор

«Высокоэффективное использование энергии стало критически важным достижением в преобразователях энергии следующего поколения, а силовые устройства на основе SiC продолжают оставаться ключевыми компонентами, способствующими этой революции.. После многих лет разработок работа над достижением самого низкого сопротивления в открытом состоянии и надежных характеристик при коротких замыканиях и лавинах, мы рады выпустить лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC на 750 В. Наш G3R ™ позволяет разработчикам силовой электроники решать сложные задачи по эффективности., цели по плотности мощности и качеству в таких приложениях, как солнечные инверторы, Бортовые зарядные устройства для электромобилей и серверные / телекоммуникационные источники питания. Гарантированное качество, поддержанный быстрым оборотом и крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, еще больше увеличивает их ценностное предложение. ” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Самая низкая плата за ворота в отрасли (Qграмм) и внутреннее сопротивление затвора (RG(INT))
  • Самый низкий RDS(НА) меняться с температурой
  • Низкая выходная емкость (Cнас) и емкость Миллера (CGD)
  • 100% лавина (UIL) протестировано во время производства
  • Лучшая в отрасли стойкость к короткому замыканию
  • Быстрый и надежный корпусный диод с низким VF и низкий QRR
  • Высокое и стабильное пороговое напряжение затвора (VTH) во всех температурных и дренажных условиях
  • Усовершенствованная технология упаковки для снижения термического сопротивления и звона
  • Равномерность изготовления RDS(НА), VTH и напряжение пробоя (BV)
  • Обширный портфель продуктов и более безопасная цепочка поставок с крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности

Приложения –

  • Солнечная (PV) Инверторы
  • Электромобиль / Бортовые зарядные устройства HEV
  • Сервер & Источники питания для телекоммуникаций
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • DC-DC преобразователи
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Хранение энергии и зарядка аккумуляторов
  • Индукционный нагрев

Все SiC-МОП-транзисторы GeneSiC Semiconductor предназначены для автомобильных приложений. (AEC-q101) и с поддержкой PPAP.

G3R60MT07J - 750 В 60 мОм TO-263-7 G3R&торговля SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750 В 60 мОм TO-247-4 G3R&торговля SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750 В 60 мОм TO-247-3 G3R&торговля SiC MOSFET

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Электроника

Элемент Newark Farnell14

Mouser Electronics

Стрелка Электроника

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

5SiC-диоды Шоттки MPS ™ поколения 650 В для лучшей в своем классе эффективности

Gen5 650V SiC Schottky MPS ™

DULLES, VA, май 28, 2021 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик карбида кремния (SiC) силовые полупроводниковые приборы, объявляет о доступности 5-го поколения (GE *** серия) Выпрямители SiC Schottky MPS ™, которые устанавливают новый стандарт благодаря своему превосходному показателю цены и качества., лучшая в отрасли устойчивость к импульсным токам и лавинам, и качественное изготовление.

«GeneSiC был одним из первых производителей SiC, который начал коммерческую поставку SiC-выпрямителей Шоттки в 2011. После более чем десятилетия поставок высокопроизводительных и качественных SiC выпрямителей в промышленность, мы рады выпустить наше 5-е поколение SiC Schottky MPS ™ (Объединенный-ПиН-Шоттки) диоды, обеспечивающие лучшую в отрасли производительность во всех аспектах для достижения целей высокой эффективности и удельной мощности в таких приложениях, как серверные / телекоммуникационные источники питания и зарядные устройства. Революционная особенность, которая делает наше 5-е поколение (GE *** серия) SiC диоды Шоттки MPS ™ выделяются среди аналогов низким встроенным напряжением. (также известный как напряжение колена);он обеспечивает самые низкие потери проводимости диодов при любых условиях нагрузки, что имеет решающее значение для приложений, требующих высокоэффективного использования энергии.. В отличие от диодов других конкурентов, SiC-диоды также обладают характеристиками с низким уровнем перегиба., дополнительная особенность наших диодов Gen5 заключается в том, что они по-прежнему выдерживают высокий уровень лавинной (UIL) надежность, которую наши клиенты ожидают от GeneSiC Gen3 (GC *** серия) и Gen4 (GD *** серия) SiC Schottky MPS ™” сказал доктор. Сиддхарт Сундаресан, Вице-президент по технологиям GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Низкое встроенное напряжение – Самые низкие потери проводимости для всех условий нагрузки
  • Высшая фигура заслуг – QC x VF
  • Оптимальная цена
  • Расширенные возможности импульсного тока
  • 100% Лавина (UIL) Проверено
  • Низкое тепловое сопротивление для работы в режиме охлаждения
  • Нулевое прямое и обратное восстановление
  • Температурно-независимое быстрое переключение
  • Положительный температурный коэффициент VF

Приложения –

  • Повышающий диод в коррекции коэффициента мощности (PFC)
  • Источники питания для серверов и телекоммуникаций
  • Солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • Свободный ход / Антипараллельный диод в инверторах

GE04MPS06E - 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06E - 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06E - 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06E - 650 В 10 А TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE04MPS06A - 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06A - 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06A - 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06A - 650 В 10 А TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE12MPS06A - 650 В 12 А TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE2X8MPS06D - 650 В 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

GE2X10MPS06D - 650 В 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

Новые SiC МОП-транзисторы GeneSiC 3-го поколения с лучшими в отрасли показателями качества

DULLES, VA, февраль 12, 2020 — Новое поколение SiC MOSFET 1200V G3R ™ от GeneSiC Semiconductor с RDS(НА) уровни от 20 мОм к 350 мОм обеспечивает беспрецедентный уровень производительности, надежность и качество, превосходящие аналоги. Преимущества системы включают более высокую эффективность, более высокая частота переключения, повышенная удельная мощность, уменьшение звонка (ЭМИ) и компактный размер системы.

GeneSiC объявляет о выпуске своих ведущих в отрасли полевых МОП-транзисторов из карбида кремния 3-го поколения с лучшими в отрасли характеристиками., надежность и качество для достижения невиданного ранее уровня эффективности и надежности системы в автомобильной и промышленной сфере.

Эти SiC МОП-транзисторы G3R ™, предлагается в оптимизированных дискретных корпусах с низкой индуктивностью (SMD и сквозное отверстие), оптимизированы для систем энергоснабжения, требующих повышенного уровня эффективности и сверхбыстрой скорости переключения. Эти устройства имеют значительно более высокие уровни производительности по сравнению с конкурирующими продуктами.. Гарантированное качество, поддержанный быстрым оборотом крупносерийного производства, еще больше увеличивает их ценностное предложение.

«После многих лет разработок работа над достижением самого низкого сопротивления в открытом состоянии и улучшенных характеристик короткого замыкания, мы рады выпустить лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC MOSFET на 1200 В и более 15+ продукты с дискретным и голым чипом. Если системы силовой электроники следующего поколения должны соответствовать требованиям эффективности, плотность мощности и цели качества в таких приложениях, как автомобилестроение, промышленный, Возобновляемая энергия, транспорт, IT и телеком, тогда они требуют значительно улучшенных характеристик и надежности устройства по сравнению с доступными в настоящее время SiC MOSFET.” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Superior Qграмм х RDS(НА) добродетель – SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ имеют самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии и очень низкий заряд затвора., в результате 20% лучший показатель качества, чем у любого другого аналогичного устройства конкурентов
  • Низкие потери проводимости при всех температурах – Полевые МОП-транзисторы GeneSiC обладают самой мягкой температурной зависимостью сопротивления в открытом состоянии, что обеспечивает очень низкие потери проводимости при всех температурах.; значительно лучше, чем любые другие траншейные и планарные SiC MOSFET на рынке
  • 100 % лавина испытана – Надежная способность UIL является критическим требованием для большинства полевых приложений.. Дискретные SiC-МОП-транзисторы GeneSiC на 1200 В 100 % лавина (UIL) протестировано во время производства
  • Низкий заряд затвора и низкое внутреннее сопротивление затвора – Эти параметры имеют решающее значение для реализации сверхбыстрого переключения и достижения максимальной эффективности. (низкий Eon -Eoff) в широком диапазоне частот переключения приложений
  • Нормально-стабильная работа до 175 ° C – Все SiC MOSFET-транзисторы GeneSiC спроектированы и изготовлены с использованием самых современных процессов для создания стабильной и надежной продукции в любых условиях эксплуатации без риска неисправности.. Превосходное качество оксида затвора этих устройств предотвращает возникновение порога (VTH) дрейф
  • Низкие емкости устройства – G3R ™ разработаны для более быстрого и эффективного управления с их низкими емкостями устройства - Ciss, Косс и Crss
  • Быстрый и надежный корпусный диод с низким внутренним зарядом – Полевые МОП-транзисторы GeneSiC демонстрируют низкий уровень заряда обратного восстановления (QRR) при всех температурах; 30% лучше, чем любое устройство конкурентов с аналогичным рейтингом. Это обеспечивает дальнейшее снижение потерь мощности и увеличивает рабочие частоты.
  • Легкость использования – SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ рассчитаны на питание от +15 В. / -5Привод ворот V. Это обеспечивает широчайшую совместимость с существующими коммерческими драйверами затворов IGBT и SiC MOSFET.

Приложения –

  • Электромобиль – Силовая передача и зарядка
  • Солнечный инвертор и накопитель энергии
  • Промышленный моторный привод
  • Бесперебойный источник питания (UPS)
  • Импульсный источник питания (SMPS)
  • Двунаправленные преобразователи постоянного тока в постоянный
  • Умные сети и HVDC
  • Индукционный нагрев и сварка
  • Применение импульсной мощности

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Электроника

Элемент Newark Farnell14

Mouser Electronics

Стрелка Электроника

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

Все SiC-МОП-транзисторы GeneSiC Semiconductor предназначены для автомобильных приложений. (AEC-q101) и с поддержкой PPAP. Все устройства предлагаются в промышленном стандарте D2PAK., Пакеты ТО-247 и СОТ-227.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

SiC МОП-транзисторы GeneSiC 3300 В и 1700 В 1000 мОм революционизируют миниатюризацию вспомогательных источников питания

DULLES, VA, Декабрь 4, 2020 — GeneSiC объявляет о доступности ведущих в отрасли дискретных SiC MOSFET на 3300 В и 1700 В, оптимизированных для достижения беспрецедентной миниатюризации., надежность и экономия энергии при производстве электроэнергии.

GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик комплексного портфеля карбида кремния (SiC) силовые полупроводники, объявляет о поступлении в продажу нового поколения SiC MOSFET на 3300 В и 1700 В 1000 мОм - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, и G2R1000MT33J. Эти SiC MOSFET обеспечивают превосходный уровень производительности., на основе флагманских деятелей заслуг (FoM) которые улучшают и упрощают системы энергоснабжения в накопителях энергии, Возобновляемая энергия, промышленные двигатели, инверторы общего назначения и промышленное освещение. Выпущенные продукты:

G2R1000MT33J - 3300 В, 1000 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700 В, 1000 мОм TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700 В, 1000 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700 В, 450 мОм TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700 В, 450 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

Новые SiC МОП-транзисторы GeneSiC на 3300 В и 1700 В, доступны в вариантах 1000 мОм и 450 мОм в виде дискретных корпусов SMD и сквозных отверстий, оптимизированы для систем энергоснабжения, требующих повышенного уровня эффективности и сверхбыстрой скорости переключения. Эти устройства имеют значительно более высокие уровни производительности по сравнению с конкурирующими продуктами.. Гарантированное качество, поддержанные быстрым оборотом крупносерийного производства, еще больше увеличивают их ценностное предложение.

«В таких приложениях, как солнечные инверторы на 1500 В, МОП-транзистор во вспомогательном источнике питания может выдерживать напряжения в диапазоне 2500 В., в зависимости от входного напряжения, коэффициент трансформации трансформатора и выходное напряжение. Полевые МОП-транзисторы с высоким пробивным напряжением устраняют необходимость в последовательно соединенных переключателях в Flyback, Повышающий и прямой преобразователи, что сокращает количество деталей и упрощает схему. Дискретные SiC-МОП-транзисторы GeneSiC на 3300 В и 1700 В позволяют разработчикам использовать более простую топологию на основе одного переключателя и в то же время предоставлять клиентам надежные, компактная и экономичная система” сказал Сумит Джадав, Старший менеджер по приложениям в GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Превосходный индекс цены и качества
  • Флагманский Qграмм х RDS(НА) добродетель
  • Низкая внутренняя емкость и низкий заряд затвора
  • Низкие потери при любых температурах
  • Высокая устойчивость к лавинам и коротким замыканиям
  • Контрольное пороговое напряжение для стабильной работы при нормальном выключении до 175 ° C

Приложения –

  • Возобновляемая энергия (солнечные инверторы) и хранение энергии
  • Промышленные двигатели (и связь)
  • Инверторы общего назначения
  • Промышленное освещение
  • Пьезо драйверы
  • Генераторы ионных пучков

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

Ведущие в отрасли SiC-МОП-транзисторы на 6,5 кВ от GeneSiC – Авангард новой волны приложений

6.5SiC MOSFET кВ

DULLES, VA, Октябрь 20, 2020 — GeneSiC выпускает полевые МОП-транзисторы из карбида кремния 6,5 кВ, чтобы стать лидером в обеспечении беспрецедентного уровня производительности., эффективность и надежность в приложениях преобразования энергии среднего напряжения, таких как тяга, импульсная энергетика и инфраструктура интеллектуальных сетей.

GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) силовые полупроводники, объявляет о поступлении в продажу голых чипов SiC MOSFET на 6,5 кВ - G2R300MT65-CAL и G2R325MS65-CAL. Полные модули SiC, использующие эту технологию, скоро будут выпущены. Ожидается, что приложения будут включать тягу, импульсная мощность, инфраструктура интеллектуальных сетей и другие преобразователи среднего напряжения.

G2R300MT65-CAL - 6,5 кВ, 300 мОм, G2R ™ SiC MOSFET, чистый чип

G2R325MS65-CAL - SiC MOSFET 6,5 кВ 325 мОм G2R ™ (с интегрированным-Шоттки) Голый чип

G2R100MT65-CAL - Пустой чип SiC MOSFET 6,5 кВ 100 мОм G2R ™

Инновация GeneSiC включает двукратно имплантированный металлооксидный полупроводник SiC. (DMOSFET) Конструкция устройства с переходным барьером Шоттки (JBS) выпрямитель, встроенный в элементарную ячейку SiC DMOSFET. Это передовое силовое устройство может использоваться в различных схемах преобразования энергии в системах преобразования энергии следующего поколения.. Другие важные преимущества включают более эффективную двунаправленную работу., независимое от температуры переключение, низкие потери переключения и проводимости, снижение требований к охлаждению, превосходная долговременная надежность, простота параллельного подключения устройств и экономическая выгода. Технология GeneSiC предлагает превосходные характеристики, а также имеет потенциал для уменьшения чистого следа материала SiC в преобразователях мощности..

“SiC МОП-транзисторы GeneSiC на 6,5 кВ спроектированы и изготовлены на 6-дюймовых пластинах для обеспечения низкого сопротивления в открытом состоянии., высшее качество, и превосходный индекс цены и качества. Эта технология MOSFET нового поколения обещает образцовые характеристики., превосходная прочность и долговременная надежность в системах преобразования энергии среднего напряжения.” сказал доктор. Сиддхарт Сундаресан, Вице-президент по технологиям в GeneSiC Semiconductor.

Особенности технологии 6,5 кВ G2R ™ SiC MOSFET от GeneSiC –

  • Высокая лавина (СИЮ) и стойкость к короткому замыканию
  • Superior Qграмм х RDS(НА) добродетель
  • Температурно-независимые коммутационные потери
  • Низкие емкости и низкий заряд затвора
  • Низкие потери при любых температурах
  • Нормально-стабильная работа до 175 ° C
  • +20 V / -5 Привод ворот V

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

GeneSiC выигрывает престижную премию R&Награда D100 за монолитный транзисторно-выпрямительный переключатель на основе карбида кремния

DULLES, VA, Декабрь 5, 2019 — р&Журнал D выбрал GeneSiC Semiconductor Inc.. Даллеса, VA как лауреат престижной 2019 р&Д 100 Награда за разработку монолитного транзисторно-выпрямительного коммутатора на основе SiC..

GeneSiC Semiconductor Inc., ключевой новатор в силовых устройствах на основе карбида кремния был удостоен чести объявить о том, что он был удостоен престижной награды 2019 р&Д 100 Награда. Эта награда присуждается GeneSiC за внедрение одного из самых значительных, недавно представленные достижения в области исследований и разработок среди нескольких дисциплин во время 2018. р&Журнал D Magazine признал технологию GeneSiC SiC для устройств среднего напряжения за ее способность монолитно интегрировать полевой МОП-транзистор и выпрямитель Шоттки на одном кристалле.. Эти возможности, достигнутые устройством GeneSiC, позволяют исследователям силовой электроники разрабатывать силовые электронные системы нового поколения, такие как инверторы и преобразователи постоянного тока.. Это позволит разрабатывать продукты для электромобилей., зарядная инфраструктура, возобновляемые источники энергии и отрасли хранения энергии. GeneSiC получила заказы от нескольких клиентов на демонстрацию передового оборудования силовой электроники с использованием этих устройств и продолжает развивать свое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов.. Р&Ранняя версия D для приложений преобразования энергии была разработана Департаментом США.. энергетики и сотрудничество с Sandia National Laboratories.

Ежегодный технологический конкурс, проводимый R&Журнал D оценил работы различных компаний и игроков отрасли., исследовательские организации и университеты по всему миру. В качестве судей выступили редакторы журнала и группа внешних экспертов., оценка каждой записи с точки зрения ее важности для мира науки и исследований.

Согласно Р&Журнал Д, выиграть R&Д 100 Награда представляет собой знак качества, известный в отрасли, правительство, и научное сообщество как доказательство того, что продукт является одной из самых инновационных идей года.. Эта награда признает GeneSiC мировым лидером в создании продуктов на основе технологий, которые меняют то, как мы работаем и живем..

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.

опубликовано

Сильноточная 650 В, 1200SiC диоды Шоттки MPS ™ V и 1700 В в корпусе мини-модуля SOT-227

DULLES, VA, май 11, 2019 — GeneSiC становится лидером на рынке сильноточных (100 А и 200 А) SiC диоды Шоттки в мини-модуле SOT-227

GeneSiC представила GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 и GC2X100MPS06-227; SiC диоды Шоттки с максимальным в отрасли номинальным током 650 В и 1700 В, добавление к существующему портфелю мини-модулей SiC диодов Шоттки на 1200 В - GB2X50MPS12-227 и GB2X100MPS12-227. Эти SiC-диоды заменяют кремниевые сверхбыстрые диоды восстановления., позволяет инженерам создавать схемы переключения с большей эффективностью и большей удельной мощностью. Ожидается, что приложения будут включать устройства быстрой зарядки электромобилей., моторные приводы, источники питания для транспорта, выпрямители высокой мощности и промышленные источники питания.

В дополнение к изолированной опорной плите пакета SOT-227 мини-модуля, эти недавно выпущенные диоды имеют низкое прямое падение напряжения, нулевое прямое восстановление, нулевое обратное восстановление, низкая емкость перехода и рассчитаны на максимальную рабочую температуру 175 ° C. Технология SiC диодов Шоттки третьего поколения от GeneSiC обеспечивает лучшую в отрасли устойчивость к лавинам и импульсным токам (Ifsm) надежность, в сочетании с высококачественным 6-дюймовым корпусом, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, и передовой технологией дискретной сборки с высокой надежностью.

Эти SiC-диоды являются прямой заменой других диодов, доступных в SOT-227. (мини-модуль) упаковка. Выгода от более низких потерь мощности (работа кулера) и возможность высокочастотного переключения, теперь дизайнеры могут достичь большей эффективности преобразования и большей удельной мощности в проектах.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.

опубликовано

GeneSiC выпускает лучшие в отрасли 1700 В SiC Schottky MPS™ диоды

DULLES, VA, Январь 7, 2019 — GeneSiC выпускает полный портфель своих 1700 В SiC диодов Шоттки MPS ™ третьего поколения в корпусе TO-247-2.

GeneSiC представила GB05MPS17-247, ГБ10MPS17-247, GB25MPS17-247 и GB50MPS17-247; Лучшие в отрасли диоды на 1700 В SiC, доступные в популярном сквозном корпусе TO-247-2. Эти SiC-диоды на 1700 В заменяют кремниевые диоды сверхбыстрого восстановления и другие SiC-диоды на 1700 В старого поколения JBS., позволяет инженерам создавать схемы переключения с большей эффективностью и большей удельной мощностью. Ожидается, что приложения будут включать устройства быстрой зарядки электромобилей., моторные приводы, источники питания для транспорта и возобновляемые источники энергии.

GB50MPS17-247 - SiC-диод с объединенным PiN-шоттки, 1700 В, 50 А., дискретный силовой диод SiC с самым высоким в отрасли номинальным током. Эти недавно выпущенные диоды имеют низкое прямое падение напряжения., нулевое прямое восстановление, нулевое обратное восстановление, низкая емкость перехода и рассчитаны на максимальную рабочую температуру 175 ° C. Технология SiC диодов Шоттки третьего поколения от GeneSiC обеспечивает лучшую в отрасли устойчивость к лавинам и импульсным токам (Ifsm) надежность, в сочетании с высококачественным 6-дюймовым литейным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, и передовой высоконадежной технологией дискретной сборки.

Эти SiC-диоды являются прямой заменой других диодов, доступных в корпусе TO-247-2.. Выгода от более низких потерь мощности (работа кулера) и возможность высокочастотного переключения, теперь дизайнеры могут достичь большей эффективности преобразования и большей удельной мощности в проектах.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.